CN208622915U - 极性可调的谐振结构及其滤波器 - Google Patents

极性可调的谐振结构及其滤波器 Download PDF

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Abstract

本实用新型适用于通信技术领域,提供了一种极性可调的谐振结构,包括有至少四个谐振腔、至少一极点结构以及至少一耦合调节结构,所述谐振腔之间相互导通,所述极点结构设于至少一对相邻的所述谐振腔之间,且所述耦合调节结构设于至少一对相邻的所述谐振腔之间的导通处。还提出了一种包括所述极性可调的谐振结构的滤波器。借此,本实用新型通过调节极点位置实现滤波器通带高低频段不同位置的抑制要求,且制造成本低。本实用新型还提供一种包括上述极性可调的谐振结构的滤波器。

Description

极性可调的谐振结构及其滤波器
技术领域
本实用新型涉及通信技术领域,尤其涉及一种极性可调的谐振结构及其滤波器。
背景技术
伴随无线移动通信技术的飞速发展,无源器件中同轴滤波器因其功率容量大、抗干扰强、结构可定制性强等特点而被广泛利用与通讯领域。
随着微波通讯的发展,频谱资源划分越来越紧张,导致不同系统网络的频谱隔离段越来越窄,为保证良好的通讯质量,这就要求不同频段通带降的相互抑制要求越来越高。
综上可知,现有的方法在实际使用上,显然存在不便与缺陷,所以有必要加以改进。
实用新型内容
针对上述的缺陷,本实用新型的目的在于提供一种极性可调的谐振结构及其滤波器,通过调节极点位置实现滤波器通带高低频段不同位置的抑制要求,且制造成本低。
为了实现上述目的,本实用新型提供一种极性可调的谐振结构,包括有至少四个谐振腔、至少一极点结构以及至少一耦合调节结构,所述谐振腔之间相互导通,所述极点结构设于至少一对相邻的所述谐振腔之间,且所述耦合调节结构设于至少一对相邻的所述谐振腔之间的导通处。
根据所述的极性可调的谐振结构,包括呈矩阵分布的第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔以及第四谐振腔,所述第一谐振腔与所述第四谐振腔呈对角分布,所述第一谐振腔和所述第三谐振腔之间设有用于导通所述第一谐振腔和所述第三谐振腔之间信号的所述极点结构。
根据所述的极性可调的谐振结构,所述第一谐振腔和所述第二谐振腔之间的导通处设有第一耦合调节结构,所述第二谐振腔和所述第四谐振腔之间的导通处设有第二耦合调节结构,所述第四谐振腔和所述第三谐振腔之间的导通处设有第三耦合调节结构。
根据所述的极性可调的谐振结构,包括有主壳体,所述主壳体的中部设有呈十字型的隔离柱,以将所述主壳体的内部分割成相互导通的四个所述谐振腔。
根据所述的极性可调的谐振结构,所述第一谐振腔上设有信号输入端,所述第四谐振腔上设有信号输出端。
根据所述的极性可调的谐振结构,所述谐振腔之间为一体成型结构。
本实用新型还提出一种包括有如上述任一项所述极性可调的谐振结构的滤波器。
本实用新型所述的极性可调的谐振结构,包括有至少四个谐振腔、至少一极点结构以及至少一耦合调节结构,所述谐振腔之间相互导通,所述极点结构设于至少一对相邻的所述谐振腔之间,且所述耦合调节结构设于至少一对相邻的所述谐振腔之间的导通处。还提出了一种包括所述极性可调的谐振结构的滤波器。借此,本实用新型通过调节极点位置实现滤波器通带高低频段不同位置的抑制要求,且制造成本低。
附图说明
图1为本实用新型优选实施例所述极性可调的谐振结构的结构示意图;
图2为本实用新型优选实施例所述极性可调的谐振结构实现对称极点的仿真测试图;
图3为本实用新型优选实施例所述极性可调的谐振结构实现感性极点的仿真测试图;
图4为本实用新型优选实施例所述极性可调的谐振结构实现容性极点的仿真测试图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
图1示出本实用新型优选实施例所述的极性可调的谐振结构,包括有至少四个谐振腔、至少一极点结构50以及至少一耦合调节结构,所述谐振腔之间相互导通,所述极点结构50设于至少一对相邻的所述谐振腔之间,且所述耦合调节结构设于至少一对相邻的所述谐振腔之间的导通处。通过相邻腔的交叉耦合技术来实现高抑制的带外需求,其中容性极点耦合结构可实现对通带低频段的抑制要求,感性极点耦合结构可实现对通带高频段的抑制要求;通过调整感性或者容性耦合的强弱来实现极性可调。
优选的是,包括呈矩阵分布的第一谐振腔10、第二谐振腔20、第三谐振腔30以及第四谐振腔40,所述第一谐振腔10与第四谐振腔40呈对角分布,所述第一谐振腔10和第三谐振腔30之间设有用于导通所述第一谐振腔10和第三谐振腔30之间信号的所述极点结构50。通过特定的走腔结构实现的极点结构形式,起到极点可调的作用。
具体的是,所述第一谐振腔10和第二谐振腔20之间的导通处设有第一耦合调节结构101,所述第二谐振腔20和第四谐振腔40之间的导通处设有第二耦合调节结构102,所述第四谐振腔40和第三谐振腔30之间的导通处设有第三耦合调节结构103。通过调节所述耦合调节结构的耦合量来改变所述极点结构50的极性,具体以所述第三耦合调节结构103为例,在极点结构50相同尺寸情况下通过控制第三耦合调节结构103可实现极性可调,其中第三耦合调节结构103的耦合量加大,则感性极点极性会变强,第三耦合调节结构103的耦合量减小容性极点极性会变强;如图2,通过调节极性可调的谐振结构的所述耦合调节结构来实现极点的对称结果;通过第三谐振腔30的极点位置的粗调谐,实现图3、图4不同极性的极点形式,如图3,可通过调节极性可调的谐振结构的所述耦合调节结构配合第三谐振腔30的极点位置的粗调谐来实现极点的感性调节结果;如图4,可通过调节极性可调的谐振结构的所述耦合调节结构配合第三谐振腔30的极点位置的粗调谐来实现极点的容性调节结果。
优选的是,所述谐振腔之间为一体成型结构。本实施例包括有主壳体,所述主壳体的中部设有呈十字型的隔离柱,以将所述主壳体的内部分割成相互导通的四个所述谐振腔;即所述第一谐振腔10、第二谐振腔20、第三谐振腔30以及第四谐振腔40被所述隔离柱隔离且并存在同一主壳体内部。
所述第一谐振腔10上设有信号输入端,所述第四谐振腔40上设有信号输出端。即所述第一谐振腔10和第四谐振腔40分别作为此谐振结构的首尾腔。
本实用新型还提出一种包括有如图1所示的极性可调的谐振结构的滤波器。对于滤波器通过归一化的设计可有效较低成本,通过可调节结构来实现不同极性极点形式可提高设计效率,满足不同系统带外要求。
综上所述,本实用新型所述的极性可调的谐振结构,包括有至少四个谐振腔、至少一极点结构以及至少一耦合调节结构,所述谐振腔之间相互导通,所述极点结构设于至少一对相邻的所述谐振腔之间,且所述耦合调节结构设于至少一对相邻的所述谐振腔之间的导通处。还提出了一种包括所述极性可调的谐振结构的滤波器。借此,本实用新型通过调节极点位置实现滤波器通带高低频段不同位置的抑制要求,且制造成本低。
当然,本实用新型还可有其它多种实施例,在不背离本实用新型精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。

Claims (7)

1.一种极性可调的谐振结构,其特征在于,包括有至少四个谐振腔、至少一极点结构以及至少一耦合调节结构,所述谐振腔之间相互导通,所述极点结构设于至少一对相邻的所述谐振腔之间,且所述耦合调节结构设于至少一对相邻的所述谐振腔之间的导通处。
2.根据权利要求1所述的极性可调的谐振结构,其特征在于,包括呈矩阵分布的第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔以及第四谐振腔,所述第一谐振腔与所述第四谐振腔呈对角分布,所述第一谐振腔和所述第三谐振腔之间设有用于导通所述第一谐振腔和所述第三谐振腔之间信号的所述极点结构。
3.根据权利要求2所述的极性可调的谐振结构,其特征在于,所述第一谐振腔和所述第二谐振腔之间的导通处设有第一耦合调节结构,所述第二谐振腔和所述第四谐振腔之间的导通处设有第二耦合调节结构,所述第四谐振腔和所述第三谐振腔之间的导通处设有第三耦合调节结构。
4.根据权利要求2所述的极性可调的谐振结构,其特征在于,包括有主壳体,所述主壳体的中部设有呈十字型的隔离柱,以将所述主壳体的内部分割成相互导通的四个所述谐振腔。
5.根据权利要求2所述的极性可调的谐振结构,其特征在于,所述第一谐振腔上设有信号输入端,所述第四谐振腔上设有信号输出端。
6.根据权利要求1所述的极性可调的谐振结构,其特征在于,所述谐振腔之间为一体成型结构。
7.一种包括有如权利要求1~6任一项所述极性可调的谐振结构的滤波器。
CN201821156331.4U 2018-07-20 2018-07-20 极性可调的谐振结构及其滤波器 Active CN208622915U (zh)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021004544A1 (zh) * 2019-07-11 2021-01-14 中兴通讯股份有限公司 一种滤波器耦合单元和滤波器

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PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
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Effective date of registration: 20200930

Granted publication date: 20190319

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PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right
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