CN208571588U - 一种llc过流保护电路 - Google Patents
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Abstract
一种LLC过流保护电路，包括LLC拓扑电源原边和副边，原边制有控制芯片，控制芯片制有使能管脚，与原边依次连接有信号衰减模块、基准比较模块和保护延时模块，保护延时模块与使能管脚连接。本实用新型的好处在于可以通过分压电阻R1和R2对过流信号进行不同倍比例衰减，相当于可以自由设置LLC过流保护点的门槛电压；高精度（1%）过流保护基准，温漂小，过流保护点准确，可靠保障MOS管准确、及时关断;保护电路内置RC网络，可通过设置RC的参数，改变保护维持时间，最长保护时间可以到十几秒甚至几十秒;极大降低了保护重启的频率，减小了电源主功率器件的平均发热损耗，提高了电源可靠性。新过流保护不但性能可靠，而且成本更低。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种过流保护电流，尤其涉及一种LLC过流保护电路。
背景技术
常规LLC拓扑的电源，在副边输出一直短路时，LLC拓扑原边电流会比正常工作时电流大很多，通常在LLC控制芯片有个电流检测引脚，此引脚内部有电流流检测门限，当电流信号超过此门限后，芯片会控制主功率mos管关断，电源无输出，当主电路不工作后，过流现象解除，电源会重新启动，此时由于电源副边输出仍然是短路状态，LLC主电路原边又会过流，触发芯片过流保护门限，关闭MOS驱动，如此反复。所以当电源输出一直短路时，电源会一直在保护、关闭、重启之间循环，由于过流保护信号出现后马上消失，维持时间非常短，因此保护、重启循环频率很高。另外电源在输出为短路状态下，LLC在启动的时候，启动电流会非常大，损耗很大，高频率的保护、重启模式使得LLC拓扑的MOS管、变压器、二极管等主功率器件损耗严重，发热巨大。因此电源在长期短路时，有可能有损坏风险。
以往过流保护通过使用开通三极管来拉低芯片使能引脚从而关断芯片，三极管的温漂非常大，导致过流保护点会随着温度的变化而变化，所以以往过流保护可能会在开机启动（启动时LLC电流比正常工作大）时触发保护，或者在短路时触发不到保护而损坏。实用新型内容
为了解决上述技术问题，本实用新型公开了一种LLC过流保护电路，当副边输出一直短路的时候原边过流保护的重启次数降低，且过流保护点不受温度影响。
本实用新型的技术方案为一种LLC过流保护电路，包括LLC拓扑电源原边和副边，所述原边制有控制芯片，所述控制芯片制有使能管脚，与所述原边依次连接有信号衰减模块、基准比较模块和保护延时模块，所述保护延时模块与所述使能管脚连接。
优选的，所述信号衰减模块包括与所述原边连接的电阻R1和R2，所述电阻R1分别与所述基准比较模块和电阻R2连接，所述电阻R2接地。
优选的，所述电阻R2并联了一个滤波电容C4。
优选的，所述基准比较模块包括比较器U2A和直流电压源V2，所述比较器U2A的正极与所述电阻R1连接，所述比较器U2A的负极与所述直流电压源V2的正极连接，所述直流电压源V2的负极接地。
优选的，所述比较器U2A的输出端与所述保护延时模块连接。
优选的，所述保护延时模块包括二极管D3，电容C5，电阻R3和mos管Q1，所述二极管D3的正极与所述比较器U2A的输出端连接，负极与所述mos管Q1的栅极连接，所述mos管Q1的源极接地，所述mos管Q1的漏极与所述控制芯片的使能管连接，所述电容C5和电阻R3并联后一端与所述mos管Q1的栅极连接，一端接地。
优选的，所述信号衰减模块与所述原边之间制有隔离电容C2。
本实用新型的好处在于：可以通过分压电阻R1和R2对过流信号进行不同倍比例衰减，相当于可以自由设置LLC过流保护点的门槛电压;高精度（1%）过流保护基准，温漂小，过流保护点准确，可靠保障MOS管准确、及时关断;保护电路内置RC网络，可通过设置RC的参数，改变保护维持时间，最长保护时间可以到十几秒甚至几十秒;极大降低了保护重启的频率，减小了电源主功率器件的平均发热损耗，提高了电源可靠性。新过流保护不但性能可靠，而且成本更低。
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
图1中：1、信号衰减模块，2、基准比较模块，3、保护延时模块。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步的描述，但本实用新型并不仅限于这些实施例。
结合附图1，本实用新型公开了一种LLC过流保护电路，包括LLC拓扑电源原边和副边，所述原边制有控制芯片，所述控制芯片制有使能管脚，所述原边依次连接有信号衰减模块1、基准比较模块2和保护延时模块3，所述保护延时模块3与所述使能管脚连接。
所述信号衰减模块1包括与所述原边连接的电阻R1和R2，所述电阻R1分别与所述基准比较模块2和电阻R2连接，所述电阻R2并联了一个滤波电容C4，所述电阻R2接地。所述基准比较模块2包括比较器U2A和直流电压源V2，所述比较器U2A的正极与所述电阻R1连接，所述比较器U2A的负极与所述直流电压源V2的正极连接，所述直流电压源V2的负极接地。所述比较器U2A的输出端与所述保护延时模块3连接。所述保护延时模块3包括二极管D3，电容C5，电阻R3和mos管Q1，所述二极管D3的正极与所述比较器U2A的输出端连接，负极与所述mos管Q1的栅极连接，所述mos管Q1的源极接地，所述mos管Q1的漏极与所述控制芯片的使能管连接，所述电容C5和电阻R3并联后一端与所述mos管Q1的栅极连接，一端接地。所述信号衰减模块1与所述原边之间制有隔离电容C2。
当输出短路时(S1闭合)，LLC谐振腔电流变大，电流信号i1首先通过信号衰减模块1，进行信号衰减，所述电阻R1和电阻R2的阻值大小可以调节，使电流信号i1在电阻R1和R2之间的节点电压V1大于所述直流电压源V2，同时滤波电容C4对电流信号进行滤波整形，消除杂波干扰。之后信号V1进入所述基准比较模块2，与直流电压源V2比较，当大于直流电压源V2时，认为触发过流保护，所述基准比较模块2输出高电平，触发保护延时模块3。保护延时模块3中二极管D3的正极接收到过流保护信号后导通驱动mos管Q1，所述mos管Q1的漏极连接的所述控制芯片的使能管脚，所述mos管Q1的源极接地，mos管Q1的源极和漏极导通后，所述控制芯片的使能管脚为低电平，所述芯片关断输出。利用mos管Q1的栅极阻抗无穷大的特点，所述电阻R3也很大，栅极电容C5放电非常慢，即使电流信号i1消失后，mos管Q1也可维持处于导通状态，当电容C5上的电放完后，mos管Q1才断开，所述控制芯片重启。
如此LLC拓扑在过流保护后，可在比较长一段延时后重启，降低过流保护重启频率，如此减小了短路时的平均功耗。
Claims (7)
1.一种LLC过流保护电路，包括LLC拓扑电源原边和副边，所述原边制有控制芯片，所述控制芯片制有使能管脚，其特征在于：与所述原边依次连接有信号衰减模块、基准比较模块和保护延时模块，所述保护延时模块与所述使能管脚连接。
2.如权利要求1所述的一种LLC过流保护电路，其特征在于：所述信号衰减模块包括与所述原边连接的电阻R1和R2，所述电阻R1分别与所述基准比较模块和电阻R2连接，所述电阻R2接地。
3.如权利要求2所述的一种LLC过流保护电路，其特征在于：所述电阻R2并联了一个滤波电容C4。
4.如权利要求2所述的一种LLC过流保护电路，其特征在于：所述基准比较模块包括比较器U2A和直流电压源V2，所述比较器U2A的正极与所述电阻R1连接，所述比较器U2A的负极与所述直流电压源V2的正极连接，所述直流电压源V2的负极接地。
5.如权利要求4所述的一种LLC过流保护电路，其特征在于：所述比较器U2A的输出端与所述保护延时模块连接。
6.如权利要求5所述的一种LLC过流保护电路，其特征在于：所述保护延时模块包括二极管D3，电容C5，电阻R3和mos管Q1，所述二极管D3的正极与所述比较器U2A的输出端连接，负极与所述mos管Q1的栅极连接，所述mos管Q1的源极接地，所述mos管Q1的漏极与所述控制芯片的使能管连接，所述电容C5和电阻R3并联后一端与所述mos管Q1的栅极连接，一端接地。
7.如权利要求1所述的一种LLC过流保护电路，其特征在于：所述信号衰减模块与所述原边之间制有隔离电容C2。
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| CN201820196633.8U CN208571588U (zh) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | 一种llc过流保护电路 |
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| CN (1) | CN208571588U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110011525A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-07-12 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种降压调节芯片的保护电路及电子设备 |
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2018
- 2018-02-05 CN CN201820196633.8U patent/CN208571588U/zh active Active
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