CN208486481U - 一种负离子陶瓷砖 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种负离子陶瓷砖，其特征在于，它包括砖体和设置在砖体表面的底釉层、彩绘层、负离子釉料层，砖体表面设置有多个孔，孔内填充有负离子发生功能组件。本实用新型结构简单，使用效果好。
Description
技术领域
本实用新型涉及陶瓷砖技术领域，更具体的是涉及一种负离子陶瓷砖。
背景技术
负离子不仅能促成人体合成和储存维生素，强化和激活人体的生理活动，因此它又被称为"空气维生素",认为它像食物的维生素一样，对人体及其他生物的生命活动有着十分重要的影响，如雷雨过后，空气的负离子增多，人们感到心情舒畅。在医学界，负离子被确认是具有杀灭病菌及净化空气的有效手段。陶瓷砖是家庭装修的常用建材，将之复合可释放负离子功能可以调节室内空气质量，提高舒适度。如中国专利申请号为201610788750.9，发明名称为一种可释放负离子的矿物晶体花釉及其制备的陶瓷砖，它是将矿物晶体花釉布施在坯体上，使得烧成后的陶瓷砖可以释放负离子。但缺点是能释放负离子的釉料只存在于陶瓷砖的表面，应用一段时间后会因为釉料的磨损而逐渐失去释放负离子的功能，使用寿命短。
发明内容
本实用新型的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种不仅结构简单，而且设计合理，耐候性好的负离子陶瓷砖。
本实用新型是采用如下技术解决方案来实现上述目的：一种负离子陶瓷砖，其特征在于，它包括砖体和设置在砖体表面的底釉层、彩绘层、负离子釉料层，砖体表面设置有多个孔，孔内填充有负离子发生功能组件。
作为上述方案的进一步说明，所述负离子发生功能组件包括基料和包裹于基料表面的负离子涂料层。
进一步地，所述负离子釉料层的厚度为0.2-1mm。
所述彩绘图案层的厚度为0.1-2mm。
所述底釉层的厚度为0.2-3mm。
本实用新型采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是：
本实用新型采用在砖体表面设置底釉层、彩绘层、负离子釉料层，彩绘层的设置使得陶瓷砖更具有个性，负离子釉料层的设置使得陶瓷砖具有良好的负离子释放功能，而砖体表面设置多个孔，并在孔内填充有负离子发生功能组件，为陶瓷砖的负离子释放功能提供更加有力的保障。
附图说明
图1为本实用新型的剖视结构示意图；
图2为本实用新型的结构示意图；
图3为本实用新型的结构示意图；
图4为负离子发生功能组件结构示意图。
附图标记说明：1、砖体 2、底釉层 3、彩绘层 4、负离子釉料层5、沉孔 6、负离子发生功能组件 6-1、基料 6-2、负离子涂料层。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本技术方案作详细的描述。
如图1-图2所示，本实用新型是一种负离子陶瓷砖，它包括砖体1和设置在砖体表面的底釉层2、彩绘层3、负离子釉料层4，砖体表面设置有多个孔，本实施例是设置为沉孔5的形式，孔内填充有负离子发生功能组件6，如图3。如图4所示，负离子发生功能组件包括基料6-1和包裹于基料表面的负离子涂料层6-2。本实施例中，基料采用的材料与砖体的成分一致，负离子涂料层材料为现购产品。作为墙砖时，负离子发生功能组件的上表面低于孔的开口端面，不仅可以更加装饰性能，而且能避免与人接触，延长其使用寿命。
进一步地，所述负离子釉料层的厚度为0.5mm，彩绘图案层的厚度为0.5mm，底釉层的厚度为0.6mm。
本实用新型与现有技术相比，采用在砖体表面设置底釉层、彩绘层、负离子釉料层，彩绘层的设置使得陶瓷砖更具有个性，负离子釉料层的设置使得陶瓷砖具有良好的负离子释放功能，而砖体表面设置多个孔，并在孔内填充有负离子发生功能组件，为陶瓷砖的负离子释放功能提供更加有力的保障。
以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种负离子陶瓷砖，其特征在于，它包括砖体和设置在砖体表面的底釉层、彩绘层、负离子釉料层，砖体表面设置有多个孔，孔内填充有负离子发生功能组件，所述负离子发生功能组件包括基料和包裹于基料表面的负离子涂料层。
2.根据权利要求1所述的一种负离子陶瓷砖，其特征在于，所述负离子釉料层的厚度为0.2-1mm。
3.根据权利要求1所述的一种负离子陶瓷砖，其特征在于，所述彩绘层的厚度为0.1-2mm。
4.根据权利要求1所述的一种负离子陶瓷砖，其特征在于，所述底釉层的厚度为0.2-3mm。
Priority Applications (1)
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| CN201720512839.2U CN208486481U (zh) | 2017-05-09 | 2017-05-09 | 一种负离子陶瓷砖 |
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2017
- 2017-05-09 CN CN201720512839.2U patent/CN208486481U/zh active Active
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