CN208479167U - 一种过压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种过压保护电路,包括:第一电阻、稳压管、第二电阻、PNP三极管、第三电阻、增强型PMOS管和第四电阻;所述第一电阻的一端与电源连接、另一端与稳压管连接,所述稳压管的另一端接地;所述增强型PMOS管的源极、漏极、栅极与分别与电源、电子设备、第四电阻连接,所述第四电阻连接另一端接地;所述PNP三极管的发射极连接于电源与增强型PMOS管的源极之间,所述PNP三极管的基极连接于第一电阻与稳压管之间,所述PNP三极管的集电极连接于增强型PMOS管的栅极与第四电阻。本实用新型价格低廉、耐电压高、耐电流大和适用范围广。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域,具体涉及一种过压保护电路。
背景技术
现有技术中的过压保护电路,要么价格比较贵,要么电流比较小,要么耐电压不够,要么设计过于复杂,要么反应速度慢,要么元件采购不便等问题。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供了一种过压保护电路,本实用新型旨在提供一种价格低廉、耐电压高、耐电流大和适用范围广的过压保护电路。
本实用新型解决技术问题所采用的技术方案如下:
一种过压保护电路,所述过压保护电路的输入端与电源连接、输出端与电子设备连接;
所述过压保护电路包括:
第一电阻、稳压管、第二电阻、PNP三极管、第三电阻、增强型PMOS管和第四电阻;
所述第一电阻的一端与电源连接、另一端与稳压管连接,所述稳压管的另一端接地;
所述增强型PMOS管的源极、漏极、栅极与分别与电源、电子设备、第四电阻连接,所述第四电阻连接另一端接地;
所述PNP三极管的发射极连接于电源与增强型PMOS管的源极之间,所述PNP三极管的基极连接于第一电阻与稳压管之间,所述PNP三极管的集电极连接于增强型PMOS管的栅极与第四电阻;
所述第二电阻连接在PNP三极管的基极上,所述第三电阻的一端与PNP三极管的发射极连接、另一端与PNP三极管的集电极连接。
优选地,所述PNP三极管的型号为2N3906,所述增强型PMOS管的型号为AO3407。
优选地,所述过压保护电路的输入端与地之间连接有第一电容,所述过压保护电路的输出端与地之间连接有第二电容。
与现有技术相比,本实用新型所提供的过压保护电路,使得电子设备供电电压超标时中断供电,实现了一种元件少,反应速度快,价格低廉,耐电压高,耐电流大,适用范围从消费电子到汽车电子,从工业设备到军用设备都适用的过压保护电路。
附图说明
图1是本实用新型一种过压保护电路较佳实施例的电路原理图。
图2是本实用新型一种过压保护电路与电子设备的连接示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本实用新型进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
本实用新型较佳实施例提供了一种过压保护电路,如图1和图2所示,所述过压保护电路的输入端与电源连接、输出端与电子设备连接;所述过压保护电路包括:第一电阻、稳压管、第二电阻、PNP三极管、第三电阻、增强型PMOS管和第四电阻;所述第一电阻的一端与电源连接、另一端与稳压管连接,所述稳压管的另一端接地;所述增强型PMOS管的源极、漏极、栅极与分别与电源、电子设备、第四电阻连接,所述第四电阻连接另一端接地;所述PNP三极管的发射极连接于电源与增强型PMOS管的源极之间,所述PNP三极管的基极连接于第一电阻与稳压管之间,所述PNP三极管的集电极连接于增强型PMOS管的栅极与第四电阻;所述第二电阻连接在PNP三极管的基极上,所述第三电阻的一端与PNP三极管的发射极连接、另一端与PNP三极管的集电极连接。
具体实施时,该过压保护电路适用于5V供电的电子设置上,大电流高电压场合增强型PMOS管可以换成常闭继电器。
在电源电压低于6.3V的时候,稳压管的正极处电压和电源电压一致,PNP三极管的基极和发射极电压相同,PNP三极管不导通,所以PNP三极管的集电极电压为0V。这个时候增强型PMOS管处于导通状态,正常供电。
在供电电压高于6.3V的时候,稳压管的正极处电压一直是5.6V,PNP三极管的基极上的电压比发射极上的电压低0.7V,这时候PNP三极管导通,所以PNP三极管的集电极上的电压和电源电压相同,这时候增强型PMOS管处于关闭状态,供电中断,保护后端电子设备不被高电压烧毁。
四个电阻都起限流保护的作用,第三电阻和第四电阻起到上拉和下拉的作用。四个电阻可以选用0402到1206的贴片电阻,根据使用的场合,在电压加大的时候,这四个电阻阻值和封装都需要按比例相应调大,以避免稳压管和PNP三极管损坏。这个值需要根据稳压管和PNP三级管的参数去调整。稳压管的稳压值需要根据过压保护的值相应调高。
本实用新型进一步较佳实施例中,所述PNP三极管的型号为2N3906,所述增强型PMOS管的型号为AO3407。
PNP三极管和增强型PMOS管在电子设备上用SOT-23封装,在电压更高的场合需要换耐压更高,体积更大的封装。
本实用新型进一步较佳实施例中,所述过压保护电路的输入端与地之间连接有第一电容,所述过压保护电路的输出端与地之间连接有第二电容。
第一电容和第二电容起到滤波作用,根据电源电压相应需要使用耐压更高的电容,要求电容耐压值比电源电压高25%以上。如果为了节省成本,第一电容和第二电容这两个电容都可以去掉,不影响过压保护电路正常工作。
该过压保护电路通过电路合理设计,可以实现电压正常供电,电压超压时保护后端电子设备的效果,通过更改PNP三极管、增强型PMOS管和稳压管这三个元件的型号,使得这个电路适用于从1.2V到380V,电流0A到100A的电路环境中,比集成的IC成本低而且适用范围广。
综上所述,本实用新型公开了一种过压保护电路,使得电子设备供电电压超标时中断供电,实现了一种元件少,反应速度快,价格低廉,耐电压高,耐电流大,适用范围从消费电子到汽车电子,从工业设备到军用设备都适用的过压保护电路。
应当理解的是,本实用新型的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
Claims (3)
1.一种过压保护电路,所述过压保护电路的输入端与电源连接、输出端与电子设备连接;其特征在于,所述过压保护电路包括:
第一电阻、稳压管、第二电阻、PNP三极管、第三电阻、增强型PMOS管和第四电阻;
所述第一电阻的一端与电源连接、另一端与稳压管连接,所述稳压管的另一端接地;
所述增强型PMOS管的源极、漏极、栅极与分别与电源、电子设备、第四电阻连接,所述第四电阻连接另一端接地;
所述PNP三极管的发射极连接于电源与增强型PMOS管的源极之间,所述PNP三极管的基极连接于第一电阻与稳压管之间,所述PNP三极管的集电极连接于增强型PMOS管的栅极与第四电阻;
所述第二电阻连接在PNP三极管的基极上,所述第三电阻的一端与PNP三极管的发射极连接、另一端与PNP三极管的集电极连接。
2.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述PNP三极管的型号为2N3906,所述增强型PMOS管的型号为AO3407。
3.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述过压保护电路的输入端与地之间连接有第一电容,所述过压保护电路的输出端与地之间连接有第二电容。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110048391A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-07-23 | 晶晨半导体(上海)股份有限公司 | 一种过压保护电路 |
WO2023092883A1 (zh) * | 2021-11-29 | 2023-06-01 | 科博达技术股份有限公司 | 可防止错误电压接入的保护电路 |
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2018
- 2018-08-09 CN CN201821277757.5U patent/CN208479167U/zh active Active
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