一种扁平漆包绕组线
技术领域
本实用新型涉及绕组线加工领域,尤其涉及一种扁平漆包绕组线。
背景技术
绕组线也叫电磁线,是用来制造电工产品中的线圈或绕组的绝缘电线。电磁线通常包含漆包线、绕包线、漆包绕包线和无机绝缘线等。
常见的电磁线横截面多数是圆形的结构,这种圆形电磁线绕在电工产品中时存在以下的缺陷:体积大、槽满率低、功率密度小。
为了解决以上的这些问题,我们对电磁线进行了改进。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于解决现有圆形电磁线存在体积大、槽满率低、功率密度小的问题。其具体解决方案如下:
一种扁平漆包绕组线,包括导体和绝缘漆层,所述导体和绝缘漆层的横截面呈扁平矩形,所述扁平矩形的四角均倒有圆弧边,所述扁平矩形的宽窄比值范围为2-16之间。所述导体为铜或者铝,所述绝缘漆层从内至外包括:
设置于所述导体外表面的聚酯亚胺或耐热聚酯绝缘漆层;
设置于所述聚酯亚胺或耐热聚酯绝缘漆层外表面的添加纳米级的二氧化钛和二氧化硅混合物或二氧化钛和三氧化二铝混合物的绝缘漆层;
设置于所述添加纳米级的二氧化钛和二氧化硅混合物或二氧化钛和三氧化二铝混合物的绝缘漆层外表面的聚酰胺酰亚胺绝缘漆层。
综上所述,采用本实用新型的技术方案具有以下有益效果:
本方案解决了现有圆形电磁线存在体积大、槽满率低、功率密度小的问题。本方案的扁平漆包绕组线的横截面为扁平矩形结构,当绕在电工产品(包括变频电机及高频电子元器件)上时可缩小尺寸,且槽满率高,功率密度大,使用聚酯亚胺或耐热聚酯绝缘漆时,热级可达200级。由于在绝缘漆中添加了纳米级的二氧化钛和二氧化硅混合物或二氧化钛和三氧化二铝混合物的绝缘漆后,使得本方案的扁平漆包绕组线具备更高的抗电晕性能,在高频交流下,能够化解高频脉冲电压,从而降低了材料的电气老化。使用聚酰胺酰亚胺绝缘漆后,具有极佳的热稳定性及介电性能。本方案的扁平矩形结构的四角均倒有圆弧边,保证了本方案的扁平漆包绕组线的每一层外表光滑,不会产生裂痕,提高了扁平漆包绕组线的质量稳定性。本方案可以广泛应用于变频电机及高频电子元器件,比现有的圆形漆包电磁线具有更高的槽满率和功率密度,且缩小了产品体积,具有抗电晕性、高频特性好。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对本实用新型实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一部分实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还能够根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一种扁平漆包绕组线截面结构图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,一种扁平漆包绕组线,包括导体1和绝缘漆层,导体1和绝缘漆层的横截面呈扁平矩形,扁平矩形的四角均倒有圆弧边,导体1为铜或者铝,绝缘漆层从内至外包括:
经多道次涂覆在导体1外表面的聚酯亚胺或耐热聚酯绝缘漆2层;
经多道次涂覆在聚酯亚胺或耐热聚酯绝缘漆2层外表面的添加纳米级的二氧化钛和二氧化硅混合物或二氧化钛和三氧化二铝混合物的绝缘漆3层;
经多道次涂覆在添加纳米级的二氧化钛和二氧化硅混合物或二氧化钛和三氧化二铝混合物的绝缘漆3层外表面的聚酰胺酰亚胺绝缘漆4层。
具体地,扁平矩形的宽窄比值范围为:2-16之间,视具体应用而定。
上述聚酯亚胺或耐热聚酯绝缘漆2、二氧化钛和二氧化硅混合物或二氧化钛和三氧化二硅混合物的绝缘漆3、聚酰胺酰亚胺绝缘漆4都是易配备的常见材料。
综上所述,采用本实用新型的技术方案具有以下有益效果:
本方案解决了现有圆形电磁线存在体积大、槽满率低、功率密度小的问题。本方案的扁平漆包绕组线的横截面为扁平矩形结构,当绕在电工产品(包括变频电机及高频电子元器件)上时可缩小尺寸,且槽满率高,功率密度大,使用聚酯亚胺或耐热聚酯绝缘漆2时,热级可达200级。由于在绝缘漆中添加了纳米级的二氧化钛和二氧化硅混合物或二氧化钛和三氧化二铝混合物的绝缘漆3后,使得本方案的扁平漆包绕组线具备更高的抗电晕性能,在高频交流下,能够化解高频脉冲电压,从而降低了材料的电气老化。使用聚酰胺酰亚胺绝缘漆4后,具有极佳的热稳定性及介电性能。本方案的扁平矩形结构的四角均倒有圆弧边,保证了本方案的扁平漆包绕组线的每一层外表光滑,不会产生裂痕,提高了扁平漆包绕组线的质量稳定性。本方案可以广泛应用于变频电机及高频电子元器件,比现有的圆形漆包电磁线具有更高的槽满率和功率密度,且缩小了产品体积,具有抗电晕性、高频特性好。
以上所述的实施方式,并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在该技术方案的保护范围之内。