CN208433378U - 热处理设备 - Google Patents

Abstract

一种热处理设备，包括热处理腔室、真空装置、气体分析装置和控制装置，所述真空装置连接热处理腔室以对所述热处理腔室抽真空，所述气体分析装置设置在所述真空装置上用于检测所述热处理腔室内的特定气体的含量，所述控制装置与所述气体分析装置连接用于控制所述热处理设备的热处理时间。本实用新型的热处理设备在热处理过程中能准确的管控产品热处理时间。

Description

热处理设备

技术领域

本实用新型涉及一种热处理设备，属于OLED设备技术领域。

背景技术

在制作OLED基板的过程中，需要利用化学气相沉积(CVD，Chemical VaporDeposition)设备沉积各种不同的膜层结构，在这些膜层结构中，水汽和H的含量在工艺过程中影响非常大，基于良率及工艺间的稳定性考虑，需要搭配热处理腔室(HeatingChamber)以去除这些杂质的含量。

例如在涂布缓冲层(PI)后沉积阻挡层(barrier layer)前需要将产品进行退火(anneal)处理，去除PI膜层内的水汽，避免后续高温制程出现气泡现象，提高产品良率。在形成3-layer膜层(SIN/SIN/A-Si)后还要利用准分子激光退火(ELA)技术对将已淀积在玻璃上的A-Si薄膜转化为P-Si薄膜。在进行准分子激光退火工艺前也需要将产品退火处理，去除3-layer膜层内的H含量，避免后续准分子激光退火工艺出现氢爆现象，影响其设备稳定性。

行业内去除这些杂质的含量的方法通常在工艺调试阶段，产品形成PI或3-layer膜层后采用不同退火时间作条件，再用量测仪器如二次离子质谱仪(SIMS)等测试产品内的关键元素含量，当含量低于特定值后默认此条件下的退火时间满足工艺需求，后续按照这个时间标准进行生产。

然而此方法存在缺陷，因为制作工艺过程中势必会存在细微差别，导致膜层之间存在一定的片间差，固定退火时间会导致部分产品热处理时间不够或者过长的现象，同时随着时间推移硬件的老化及产品的变更，该模式弊端尤为明显。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种热处理设备，其在热处理过程中能准确的管控产品热处理时间。

本实用新型实施例提供一种热处理设备，包括热处理腔室、真空装置、气体分析装置和控制装置，所述真空装置连接热处理腔室以对所述热处理腔室抽真空，所述气体分析装置设置在所述真空装置上用于检测所述热处理腔室内的特定气体的含量，所述控制装置与所述气体分析装置连接用于控制所述热处理设备的热处理时间。

进一步地，所述热处理腔室包括加热壳体和腔室门，所述加热壳体内设有支撑结构，所述支撑结构包括多个支撑板；所述加热壳体上还设有真空抽口，所述热处理腔室通过所述真空抽口与所述真空装置连通。

进一步地，所述真空装置包括真空管和真空泵，所述真空管的一端连接在所述加热壳体的真空抽口、另一端连接真空泵，所述气体分析装置连接在所述真空管靠近所述真空抽口的一端。

进一步地，所述热处理腔室包括加热壳体和设置在所述加热壳体内的多个隔离板，所述隔离板将所述加热壳体分隔成多个独立的加热层，每个所述加热层都具层门，每个所述加热层均设有真空抽口。

进一步地，所述真空装置包括真空管和真空泵；所述真空管包括主管和多个支管，每个所述支管其中一端与所述主管连接、每个所述支管远离所述主管的一端连接至一个所述加热层的真空抽口。

进一步地，所述气体分析装置设置在所述真空管上并与每个所述支管靠近所述真空抽口的一端相连。

进一步地，所述隔离板为碳板。

进一步地，所述特定气体为氢气或水。

进一步地，所述气体分析装置为残余气体分析仪。

进一步地，控制装置还用于控制进装料系统将待热处理的产品装入热处理腔室内以及将热处理后的产品移出。

本实用新型实施例提供的热处理设备，在热处理腔室与真空泵之间的真空管处增加气体分析装置，通过气体分析装置实时监控热处理腔室排出的气体中特定气体的含量(如水、氢气等)，当检测的气体分子含量小于设定值即表产品内气体含量满足继续生产的要求，可以结束热处理。热处理设备在热处理过程中能准确的管控产品热处理时间，避免出现产品因热处理时间不够出现气泡现象而导致的良率下降或后期的准分子激光退火工艺出现氢爆现象影响设备的稳定性，同时还能防止因处理时间过多而导致的产能浪费。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例的热处理设备的结构示意图。

图2为本实用新型第二实施例的热处理设备的结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对本实用新型的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

[第一实施例]

图1为本实用新型较佳实施例的热处理设备的结构示意图，如图1所示，热处理设备100包括热处理腔室110、真空装置120，气体分析装置130和控制装置140。

本实施例中，热处理腔室110包括加热壳体111和设置在加热壳体111内的支撑结构112，该支撑结构112包括多个层叠设置的支撑板1121，每个支撑板1121上设有支撑引脚1122，多个支撑板1121将加热壳体111的内部空间分隔成多个容置空间，待热处理的产品可设置在支撑板1121的支撑引脚1122上进行热处理。加热壳体111上还设有真空抽口113，热处理腔室110通过真空抽口113与真空装置120连通。

热处理腔室110还包括腔室门(图未绘示)，该腔室门关闭后与加热壳体111形成一个密闭的空间。

本实施例中，真空装置120包括真空管121和真空泵122，真空管121的一端连接在在加热壳体111的真空抽口113、另一端连接真空泵122，真空管121通过真空抽口113与加热壳体111的内部空间连通。

真空管121上还设有真空阀门(图未绘示)，通过调节真空阀门的开闭来调节真空泵122的抽气速率等，此为本领域技术人员所熟知技术，在此不再详述。

气体分析装置130连接在真空管121靠近真空抽口113的一端。气体分析装置130例如是残余气体分析仪(RGA)。气体分析装置130用于检测通过该真空管121内的气体中特定气体的含量，也即是相当于用于检测热处理腔室110内的特定气体的含量。具体地可针对不同的处理产品检测一种或多种特定气体的含量。该特定气体例如是水或氢气等。

控制装置140与气体分析装置130相连，控制装置140在获取气体分析装置130检测的特定气体的含量并根据该含量管控产品热处理时间。

控制装置140还用于控制进装料系统(图未绘示)将待热处理的产品装入热处理腔室110内以及将热处理后的产品出炉载出以进入下一步工艺处理。

热处理设备100在热处理腔室110与真空泵122之间的真空管111处增加气体分析装置130，通过气体分析装置130实时监控热处理腔室110排出的气体中特定气体的含量(如水、氢气等)，当检测的气体分子含量小于设定值即表产品内气体含量满足继续生产的要求，可以结束热处理。热处理设备100在热处理过程中能准确的管控产品热处理时间，避免出现产品因热处理时间不够出现气泡现象而导致的良率下降或后期的准分子激光退火工艺出现氢爆现象影响设备的稳定性，同时还能防止因处理时间过多而导致的产能浪费。

[第二实施例]

图2为本实用新型第二实施例的热处理设备的结构示意图，如图2所示，热处理设备200包括热处理腔室210、真空装置220，气体分析装置230和控制装置240。

本实施例中，热处理腔室210包括加热壳体211和设置在加热壳体211内的多个隔离板2111，隔离板2111将加热壳体211分隔成多个独立的加热层2112，每个加热层2112都具一个层门2113(图2仅绘示了最上一层的层门2113)，对应加热层2112的层门2113关闭后，该加热层2112内即形成一个密闭的空间。各加热层2112之间相互独立。每个加热层2112都设有一个真空抽口213。

本实施例中，隔离板2111采用碳板便于热辐射，隔离板2111上还设有加热线对该加热层2112进行加热。

热处理腔室210的各加热层2112均设置有支撑板2121，支撑板2121上设有支撑引脚2122，设置在该加热层2112内的待热处理的产品即位于支撑板2121的支撑引脚2122上进行热处理。每个加热层2112的真空抽口213设置在加热壳体211上。

真空装置220包括真空管221和真空泵222，真空管221的一端连接在在加热壳体211上另一端连接真空泵222，真空管221通过真空抽口213与加热壳体211的内部空间连通。

本实施例中，真空管221包括主管2211和多个支管2212，每个支管2212其中一端均与主管2211连接，每个支管2212远离主管2211的一端连接至一个加热层2112的真空抽口213，即每个加热层2112均通过一根支管2212与主管2211相连再连接至真空泵222。

真空管221的每个支管2212上还设有真空阀门(图未绘示)，通过调节与加热层2112对应的支管2212上的真空阀门的开闭来调节真空泵222对该加热层2112的抽气速率、或停止对该加热层2112抽真空动作等。

气体分析装置230设置在真空管221上并与每个支管2212靠近真空抽口213的一端相连。气体分析装置230例如是残余气体分析仪(RGA)。气体分析装置230用于检测通过该真空管221的支管2212内的气体中特定气体的含量，也即是用于检测热处理腔室210内对应该支管2212的加热层2112内特定气体的含量。该特定气体例如是水或氢气等。

控制装置240与气体分析装置230相连，控制装置240用于获取气体分析装置230检测的特定气体的含量并根据该含量管控该加热层2112内产品热处理时间。

具体地，当气体分析装置230检测到某一加热层2112内特定气体的含量低于设定阈值时，控制装置240控制对应该加热层2112内的支管2212断开，停止对该支管2212内的产品进行热处理。

控制装置240还用于控制进装料系统(图未绘示)将待热处理的产品装入热处理腔室210内以及将热处理后的产品移出以进入下一步工艺处理。

本实施例在每层都设置独立的层门2113可以满足产品单独搬运而不会有气体的串流，同时，还可单独管控每个产品的热处理时间，使得热处理后的产品内稳定性较均匀。

热处理设备200在热处理腔室210与真空泵222之间的真空管211的各子管2212增加气体分析装置230，通过气体分析装置230实时监控热处理腔室210的每个加热层2112排出的气体中特定气体的含量(如水、氢气等)，当检测的气体分子含量小于设定值即表产品内气体含量满足继续生产的要求，可以结束热处理。热处理设备200在热处理过程中能准确的管控每一片产品的热处理时间，避免出现产品因热处理时间不够出现气泡现象而导致的良率下降或后期的准分子激光退火工艺出现氢爆现象影响设备的稳定性，同时还能防止因处理时间过多而导致的产能浪费。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种热处理设备，其特征在于，包括热处理腔室(110、210)、真空装置(120、220)、气体分析装置(130、230)和控制装置(140、240)，所述真空装置(120、220)连接热处理腔室(110、210)以对所述热处理腔室(110、210)抽真空，所述气体分析装置(130、230)设置在所述真空装置(120、220)上用于检测所述热处理腔室(110、210)内的特定气体的含量，所述控制装置(140、240)与所述气体分析装置(130、230)连接用于控制所述热处理设备(100、200)的热处理时间。

2.根据权利要求1所述的热处理设备，其特征在于，所述热处理腔室(110)包括加热壳体(111)和腔室门，所述加热壳体(111)内设有支撑结构(112)，所述支撑结构(112)包括多个支撑板(1121)；所述加热壳体(111)上还设有真空抽口(113)，所述热处理腔室(110)通过所述真空抽口(113)与所述真空装置(120)连通。

3.根据权利要求2所述的热处理设备，其特征在于，所述真空装置(120)包括真空管(121)和真空泵(122)，所述真空管(121)的一端连接在所述加热壳体(111)的真空抽口(113)、另一端连接真空泵(122)，所述气体分析装置(130)连接在所述真空管(121)靠近所述真空抽口(113)的一端。

4.根据权利要求1所述的热处理设备，其特征在于，所述热处理腔室(210)包括加热壳体(211)和设置在所述加热壳体(211)内的多个隔离板(2111)，所述隔离板(2111)将所述加热壳体(211)分隔成多个独立的加热层(2112)，每个所述加热层(2112)都具层门(2113)，每个所述加热层(2112)均设有真空抽口(213)。

5.根据权利要求4所述的热处理设备，其特征在于，所述真空装置(120)包括真空管(221)和真空泵(222)；所述真空管(221)包括主管(2211)和多个支管(2212)，每个所述支管(2212)其中一端与所述主管(2211)连接、每个所述支管(2212)远离所述主管(2211)的一端连接至一个所述加热层(2112)的真空抽口(213)。

6.根据权利要求5所述的热处理设备，其特征在于，所述气体分析装置(230)设置在所述真空管(221)上并与每个所述支管(2212)靠近所述真空抽口(213)的一端相连。

7.根据权利要求4所述的热处理设备，其特征在于，所述隔离板(2111)为碳板。

8.根据权利要求1所述的热处理设备，其特征在于，所述特定气体为氢气或水。

9.根据权利要求1所述的热处理设备，其特征在于，所述气体分析装置(130、230)为残余气体分析仪。

10.根据权利要求1所述的热处理设备，其特征在于，控制装置(140、240)还用于控制进装料系统将待热处理的产品装入热处理腔室(110、210)内以及将热处理后的产品移出。