CN208432316U - 抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电磁干扰抑制电路技术领域，具体涉及抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路，包括瓷片电容C1、电阻R1、二极管D1、二极管D2、电感L1和电感L2；瓷片电容C1与二极管D2并联，二极管D2连接主控IC和电源VCC，电阻R1连接电源VCC和二极管D1的阳极，电感L1两端分别连接二极管D1的阴极和水位探头CN的正极，电感L2的一端和水位探头CN的负极连接，电感L2的另一端接地，本实用新型通过在水壶水位探头与芯片引脚之间添加由电阻、电感、二极管、电容组成的新型检测电路，以电感电流不能突变的性质，配合瓷片电容在交流信号中表现的低阻抗特性，为电磁干扰提供一个抑制回传环路，配合其它元器件从而减少电磁干扰直接传导至电源电网。
Description
技术领域
本实用新型涉及电磁干扰抑制电路技术领域，具体涉及抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路。
背景技术
目前市面上茶炉水位检测电路都是电路板上芯片引脚通过金属探头与茶水的直接接触，由于茶水本身具有的导电性，从而判断是否有水。但是这种电路会将茶炉自身的电磁干扰通过水壶外壳传导到供电电网，并影响电网中其它设备。采用这种传统电路方案的产品，在EMC认证测试中，电磁干扰传导发射量都是不合格的。基于此，本实用新型设计了抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路，以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路，以解决上述背景技术中提出的茶炉水位检测电路会产生电磁干扰的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路，包括瓷片电容C1、电阻R1、二极管D1、二极管D2、电感L1和电感L2；所述瓷片电容C1与所述二极管D2并联，所述二极管D2阳极连接到主控IC，所述二极管D2阴极连接到电源VCC，所述电阻R1的一端连接到电源VCC，所述电阻R1的另一端和所述二极管D1的阳极连接，所述电感L1两端分别连接所述二极管D1的阴极和水位探头CN的正极，所述电感L2的一端和所述水位探头CN的负极连接，所述电感L2的另一端接地；
优选地，所述电阻R1的阻值为470kΩ；
优选地，所述电感L1和所述电感L2的电感值均为6.8mH；
优选地，所述瓷片电容C1的电容值为1000pF；
优选地，所述二极管D1为4007型二极管；
优选地，所述二极管D2为4148型二极管。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过在水壶水位探头与芯片引脚之间添加由电阻、电感、二极管、电容组成的新型检测电路，以电感电流不能突变的性质，配合瓷片电容在交流信号中表现的低阻抗特性，为电磁干扰提供一个抑制回传环路，配合其它元器件从而减少电磁干扰直接传导至电源电网；本电路结构简单，实用性强。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型电路连接示意图。
图2为本实用新型应用结构示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
水位探头CN1、检测电路2
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1和图2，本实用新型提供一种技术方案：抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路，包括瓷片电容C1、电阻R1、二极管D1、二极管D2、电感L1和电感L2；瓷片电容C1与二极管D2并联，二极管D2阳极连接到主控IC，二极管D2阴极连接到电源VCC，电阻R1的一端连接到电源VCC，电阻R1的另一端和二极管D1的阳极连接，电感L1两端分别连接二极管D1的阴极和水位探头CN的正极，电感L2的一端和水位探头CN的负极连接，电感L2的另一端接地；
其中，电阻R1的阻值为470kΩ；电感L1和电感L2的电感值均为6.8mH；瓷片电容C1的电容值为1000pF；二极管D1为4007型二极管；二极管D2为4148型二极管。
本实施例的一个具体应用为：本电路以电感L1和电感L2电流不能突变的性质，配合瓷片电容C1在交流信号中表现的低阻抗特性，为电磁干扰提供一个抑制回传环路，配合其它元器件从而减少电磁干扰直接传导至电源电网，本电路结构简单，实用性强。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上公开的本实用新型优选实施例只是用于帮助阐述本实用新型。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (6)
1.抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路，其特征在于：包括瓷片电容C1、电阻R1、二极管D1、二极管D2、电感L1和电感L2；所述瓷片电容C1与所述二极管D2并联，所述二极管D2阳极连接到主控IC，所述二极管D2阴极连接到电源VCC，所述电阻R1的一端连接到电源VCC，所述电阻R1的另一端和所述二极管D1的阳极连接，所述电感L1两端分别连接所述二极管D1的阴极和水位探头CN的正极，所述电感L2的一端和所述水位探头CN的负极连接，所述电感L2的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路，其特征在于：所述电阻R1阻值为470kΩ。
3.根据权利要求1所述的抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路，其特征在于：所述电感L1和所述电感L2的电感值均为6.8mH。
4.根据权利要求1所述的抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路，其特征在于：所述瓷片电容C1的电容值为1000pF。
5.根据权利要求1所述的抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路，其特征在于：所述二极管D1为4007型二极管。
6.根据权利要求1所述的抑制电磁干扰发射的茶炉水位检测电路，其特征在于：所述二极管D2为4148型二极管。
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2018
- 2018-06-26 CN CN201820991553.1U patent/CN208432316U/zh not_active Expired - Fee Related
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