CN202075339U - 一种过零检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种过零检测电路,包括限流电阻、二极管和光电耦合器;所述限流电阻的一端与交流电源L端连接,另一端与所述光电耦合器的输入侧第一极连接;所述二极管的一端与交流电源N端连接,另一端与所述光电耦合器的输入侧第二极连接;所述光电耦合器的输出侧第一极与处理器端口连接,输出侧第二极接地。所述过零检测电路的功耗低,能够节约能源。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域,尤其涉及一种低功耗的过零检测电路。
背景技术
过零检测电路用于检测交流电的过零点,在很多电路中都有应用,例如应用在家用微波炉中。现有技术中大多数过零检测电路是直接接在电网中的火线和零线之间,由一个限流电阻来限制流过光电耦合器的初级电流,从而检测电网的过零点。但是,限流电阻所消耗的能量大。
国家对家用微波炉的能效限定值及能效等级提出了更高要求,而现有的过零检测电路的功耗大,其在微波炉整机待机时的功耗占比大,无法满足能效要求。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是,降低过零检测电路的功耗,节约能源。
为解决以上技术问题,本实用新型实施例提供一种过零检测电路,包括限流电阻、二极管和光电耦合器;
所述限流电阻的一端与交流电源L端连接,另一端与所述光电耦合器的输入侧第一极连接;所述二极管的一端与交流电源N端连接,另一端与所述光电耦合器的输入侧第二极连接;所述光电耦合器的输出侧第一极与处理器端口连接,输出侧第二极接地。
进一步的,所述光电耦合器的输出侧第一极与所述处理器端口之间还连接有整形电路。
所述整形电路包括第二电阻、第三电阻和电容;所述第二电阻的一端与所述光电耦合器的输出侧第一极连接,另一端连接5V直流电源;所述第三电阻的一端与所述光电耦合器的输出侧第一极连接,另一端与所述处理器端口连接;所述电容的一端与所述处理器端口连接,另一端接地。
本实用新型实施例提供的过零检测电路,在光电耦合器的输入侧与交流电源之间设置单向导通二极管。在交流电源正半周输入部分,二极管导通,光电耦合器的三极管也导通;但是,在交流电源负半周输入部分,二极管截止,使光电耦合器的三极管截止,没有电流通过,因此节省了一半的功率损耗,能够降低过零检测电路的功耗,节约能源。
附图说明
图1是本实用新型提供的过零检测电路的一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
参见图1,是本实用新型提供的过零检测电路的一个实施例的结构示意图。
本实施例提供的过零检测电路包括限流电阻R1、二极管D1和光电耦合器U1;具体如下:
限流电阻R1的一端与交流电源L端连接,另一端与光电耦合器U1的输入侧第一极(如图1所示的“1”极)连接;
二极管D1的一端与交流电源N端连接,另一端与光电耦合器U1的输入侧第二极(如图1所示的“2”极)连接;
光电耦合器U1的输出侧第一极(如图1所示的“4”极)与处理器端口(如图1所示的“AC-SW”端口)连接,输出侧第二极(如图1所示的“3”极)接地。
进一步,光电耦合器U1的输出侧第一极与处理器端口之间还连接有整形电路。如图1所示,整形电路包括第二电阻R2、第三电阻R3和电容C1;其中,第二电阻R2为上拉电阻,该第二电阻R2的一端与光电耦合器U1的输出侧第一极连接,另一端连接5V直流电源;第三电阻R3的一端与光电耦合器U1的输出侧第一极连接,另一端与处理器端口连接;电容C1的一端与处理器端口连接,另一端接地。
具体实施时,当过零检测电路的输入端输入220V、50Hz的正弦波时,在正弦波的正半周,二极管D1导通,电流通过限流电阻R1限流,光电耦合器U1的二极管发光,光电耦合器U1的三极管导通,三极管的输出端集电极输出低电平;在正弦波的负半周,二极管D1截止,光电耦合器U1的三极管截止,三极管的输出端集电极经上拉电阻R2输出高电平,三极管的输出端发射极接地。由于在交流电源负半周输入部分没有电流通过,节省了一半的功率损耗,能够降低过零检测电路的功耗,节约能源。该过零检测电路可以应用在微波炉等电器中,能够降低过零检测部分在整机待机时的功耗占比,以满足能效要求。
以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
Claims (3)
1.一种过零检测电路,其特征在于,包括限流电阻、二极管和光电耦合器;
所述限流电阻的一端与交流电源L端连接,另一端与所述光电耦合器的输入侧第一极连接;
所述二极管的一端与交流电源N端连接,另一端与所述光电耦合器的输入侧第二极连接;
所述光电耦合器的输出侧第一极与处理器端口连接,输出侧第二极接地。
2.如权利要求1所述的过零检测电路,其特征在于,所述光电耦合器的输出侧第一极与所述处理器端口之间还连接有整形电路。
3.如权利要求2所述的过零检测电路,其特征在于,所述整形电路包括第二电阻、第三电阻和电容;
所述第二电阻的一端与所述光电耦合器的输出侧第一极连接,另一端连接5V直流电源;
所述第三电阻的一端与所述光电耦合器的输出侧第一极连接,另一端与所述处理器端口连接;
所述电容的一端与所述处理器端口连接,另一端接地。
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CN102749501A (zh) * | 2012-08-01 | 2012-10-24 | 电子科技大学 | 隔离式直流高压检测方法及检测电路 |
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