CN208298859U - 一种单颗高压led发光器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种单颗高压LED发光器件，包括LED高压芯片组和支架，所述LED高压芯片组包括4颗串联的单颗芯片，所述支架包括两端底部热沉部分、两端的焊盘及引脚，所述单颗芯片固定在底部热沉部分，所述LED高压芯片组与支架两端的焊盘及引脚进行连接，所述单颗芯片的电极与支架通过导线键合构成电路结构，所述底部热沉部分形成的支架碗杯内填充并覆盖有LED高压芯片组、导线及硅树脂胶体。本实用新型提供的单颗高压LED发光器件，将支架内部焊盘更改设计为同等大小PAD，以增大碗杯内固晶区域及散热区域面积，有利于提高导热效率和散热效果，利用串联电压相加的方式，提升了单颗LED的功率及亮度。
Description
技术领域
本实用新型属于LED发光器件领域，具体是涉及一种单颗高压LED发光器件。
背景技术
LED作为第四代绿色照明光源，目前已经得到世界各领域范围广泛的应用，LED单颗PN结结构组成的芯片电压为3V/2V左右，且为直流电应用恒流源器件。其中作为激发白光的蓝光芯片单颗3V左右，而目前全球市电均为220V/110V交流电，故在实际应用过程中需采用专门制作的LED转换电源驱动进行点亮。因转换至较低电压时电源体积巨大，在阻容、线性方案电源应用中，需对LED单颗光源做出电路设计提升单串驱动电压以实现驱动与光源匹配。目前封装达成此光源效果方式主要采用外部SMD器件组合线路或内部串联多颗芯片实现，主要采用密集的单颗LED光源串联，成品体积巨大，设计不方便；
以上方式无法应用至灯杯、模组等小体积成品产品中，同时多颗串联引起的线阻高、电路失效等情况也大大增加。因此如何提供一种具有生产效率高、低热阻、可靠性能好、寿命长特点的LED单颗高压LED发光器件是本领域技术人员面临的难题。
实用新型内容
本实用新型目的在于克服现有技术的上述不足之处，提供一种单颗高压LED发光器件，制备出的LED发光器件，具有单颗高压、生产效率高、低热阻、可靠性能好、寿命长等特点。
本实用新型通过以下技术方案得以实现。
一种单颗高压LED发光器件，包括LED高压芯片组和支架，所述LED高压芯片组包括4颗串联的单颗芯片，所述支架包括两端底部热沉部分、两端的焊盘及引脚，所述单颗芯片固定在底部热沉部分，所述LED高压芯片组与支架两端的焊盘及引脚进行连接，所述单颗芯片的电极与支架通过导线键合构成电路结构，所述底部热沉部分形成的支架碗杯内填充并覆盖有LED高压芯片组、导线及硅树脂胶体。
其中，所述硅树脂胶体为耐温性胶体。
其中，所述支架内层红铜材质，外层材质为EMC材料。
其中，所述支架的两端底部热沉部分面积等大。
其中，所述焊盘为同等面积大小。
其中，所述导线为金线，所述单颗芯片之间使用金线串联。
其中，所述单颗芯片的电压为18V，所述高压芯片组达到单颗72V以上电压。
其中，所述支架为等PAD 3.0*3.1尺寸PCT支架。
本实用新型的有益效果为：
本实用新型所述的LED发光器件，该LED发光器件，将所述支架内部焊盘更改设计为同等面积大小，以增大碗杯内固晶区域及散热区域面积，在两端热沉均匀放置4颗高压18V芯片，同时使用金线将芯片电极与支架电路进行串联式连接，通过对两个支架两端的进行供电，利用串联电压相加的方式达到单颗72V以上电压，提升了单颗LED的功率及亮度，且LED支架底部散热焊盘与芯片底部散热区域直接连接，导热面积增大，有利于提高导热效率和散热效果，减少LED芯片光衰，延长使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型所述一种单颗高压LED发光器件的结构示意图；
图2是本实用新型所述一种单颗高压LED发光器件带有完整支架的结构示意图；
其中：1-支架、2-LED高压芯片组、3-固胶、4-导线、5-硅树脂胶体、11-内层、12-外层、13-底部热沉部分、14-焊盘、15-引脚、16-碗杯、21-单颗芯片。
具体实施方式
下面进一步描述本实用新型的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
实施例1
如图1所述的一种单颗高压LED发光器件，包括LED高压芯片组2和支架1，所述LED高压芯片组2包括4颗德豪润达高压18V芯片21，组合成的高压芯片组2，单颗LED光源电压为72V，所述支架1包括两端底部热沉部分13、两端的焊盘14及引脚15，所述引脚15连接到同端的焊盘14上，单颗芯片21通过固胶3固定在底部热沉部分12，所述单颗芯片21之间的正负电极通过金线4串联连接，两端的电极通过金线4连接到与支架上的焊盘14，底部热沉部分13形成的支架碗杯16内填充并覆盖有LED高压芯片组2、导线4及硅树脂胶体5。
所述硅树脂胶体5耐温性超过160℃。
如图2所述一种单颗高压LED发光器件，支架1内层11红铜材质，外层12材质为EMC材料。
所述支架1的两端底部热沉部分13面积等大。
所述焊盘14面积同等大小。
所述支架为等PAD 3.0*3.1尺寸PCT支架。
在实际的安装过程中，在制作好的支架1上进行固晶，所述的固晶是将LED4颗德豪润达18V高压芯片21用在支架内部上，使LED高压芯片组2与支架1形成稳定，固定在热沉部分13，用硅树脂胶体5将填充支架碗杯内填充并覆盖有LED高压芯片组2、金线4，封胶使用的胶水可使用混和荧光粉微粒，得到的单颗高压LED发光器件，具有高导热效率和散热效果，使用寿命长，体积小的优点。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种单颗高压LED发光器件，包括LED高压芯片组和支架，其特征在于：所述LED高压芯片组包括4颗串联的单颗芯片，所述支架包括两端底部热沉部分、两端的焊盘及引脚，所述单颗芯片固定在底部热沉部分，所述LED高压芯片组与支架两端的焊盘及引脚进行连接，所述单颗芯片的电极与支架通过导线键合构成电路结构，所述底部热沉部分形成的支架碗杯内填充并覆盖有LED高压芯片组、导线及硅树脂胶体。
2.根据权利要求1所述的单颗高压LED发光器件，其特征在于：所述硅树脂胶体为耐温性胶体。
3.根据权利要求1所述的单颗高压LED发光器件，其特征在于：所述支架内层红铜材质，外层材质为EMC材料。
4.根据权利要求1所述的单颗高压LED发光器件，其特征在于：所述支架的两端底部热沉部分面积等大。
5.根据权利要求1所述的单颗高压LED发光器件，其特征在于：所述焊盘为同等面积大小。
6.根据权利要求1所述的单颗高压LED发光器件，其特征在于：所述导线为金线，所述单颗芯片之间使用金线串联。
7.根据权利要求1所述的单颗高压LED发光器件，其特征在于：所述单颗芯片的电压为18V，所述高压芯片组达到单颗72V以上电压。
8.根据权利要求1所述的单颗高压LED发光器件，其特征在于：所述支架为等PAD 3.0*3.1尺寸PCT支架。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201820701731.2U CN208298859U (zh) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | 一种单颗高压led发光器件 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820701731.2U CN208298859U (zh) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | 一种单颗高压led发光器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208298859U true CN208298859U (zh) | 2018-12-28 |
Family
ID=64704423
Family Applications (1)
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| CN201820701731.2U Active CN208298859U (zh) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | 一种单颗高压led发光器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208298859U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112271172A (zh) * | 2020-07-29 | 2021-01-26 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种led发光件及其制作方法 |
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2018
- 2018-05-11 CN CN201820701731.2U patent/CN208298859U/zh active Active
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|---|---|---|---|---|
| CN112271172A (zh) * | 2020-07-29 | 2021-01-26 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种led发光件及其制作方法 |
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