CN208283687U - 一种高亮度量子点膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种高亮度量子点膜，包括第一量子点层、第二量子点层、微晶阻隔层、扩散阻隔层、量子点扩散层；所述微晶阻隔层为最底层，由所述微晶阻隔层自下而上分别是第一量子点层、量子点扩散层、第二量子点层、扩散阻隔层；所述第二量子点层的厚度小于所述第一量子点层的厚度。本实用新型提供的一种高亮度量子点膜，通过微晶、扩散粒子的折射、散射作用，提高了量子点膜激发后的亮度，具有激发后亮度高、色域范围广、发光稳定性高的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及量子点膜技术领域，特别涉及一种高亮度量子点膜。
背景技术
量子点是由锌、镉、硒和硫原子组合而成的一种三个维度尺寸均在纳米数量级的结晶结构的半导体材料。在量子点中，能级根据量子点的尺寸而改变，因此可以通过改变量子点的尺寸来控制能隙，从而控制量子点的发射光谱。量子点壳通过外部光源如发光二极管的照射激发出高亮度的纯色光线，其发光特性远远超过LED背光的荧光粉的发光特性。
目前，市面上的液晶电视一般采用蓝光LED+黄色荧光粉的发光模式作为背光源白光方案，但是由于红色光和绿色光不纯，导致显示色域覆盖率较低，背光转换效率较低，而使用量子点材料作为高效发光材料应用在显示背光中，可以得到高色域的背光源。
然而，现有的量子点膜由于将多种波段的量子点混合在一起，造成了各单色波段间的相互吸收比较严重，导致使用量子点膜制成的背光显示产品的亮度无法满足较高的使用需求。
实用新型内容
为解决上述提到的现有技术中使用量子点膜制成的背光显示产品的亮度无法满足较高的使用需求的问题，本实用新型提供一种高亮度量子点膜，包括第一量子点层、第二量子点层、微晶阻隔层、扩散阻隔层、量子点扩散层；所述微晶阻隔层为最底层，由所述微晶阻隔层自下而上分别是第一量子点层、量子点扩散层、第二量子点层、扩散阻隔层；所述第二量子点层的厚度小于所述第一量子点层的厚度。
进一步地，所述微晶阻隔层为内部添加有微晶的水氧阻隔层，所述微晶为透明球形玻璃，所述微晶的粒径为4μm～10μm。
进一步地，所述扩散阻隔层为内部添加有扩散粒子的水氧阻隔层。
进一步地，所述量子点扩散层为添加有扩散粒子的量子点层。
进一步地，所述扩散粒子为聚苯乙烯扩散粒子，粒径为2.5μm～3.5μm。
进一步地，所述第一量子点层和第二量子点层都包括红光量子点和绿光量子点，所述红光量子点和绿光量子点均为CdSe/ZnS、CdTe/ZnS、CdSe/CdS 半导体材料中的一种或几种。
进一步地，所述第一量子点层的厚度为30μm～100μm。
进一步地，所述第二量子点层的厚度为20μm～50μm。
本实用新型提供的一种高亮度量子点膜，通过在下侧的水氧阻隔层中加入微晶，使进入量子点膜的光更为分散均匀，通过量子点扩散层和扩散阻隔层中的扩散粒子的作用，增加了光的散射效果，使部分光重新回到第一量子点层和第二量子点层中，从而加强了量子点膜受激发后的亮度，通过量子点扩散层将第一量子点层和第二量子点层分开，并且限定在上方的第二量子点层的厚度小于第一量子点层的厚度，使进入第一量子点层的蓝光在激发量子点后发出的光经过量子点扩散层的加强后进入第二量子点层，从而使量子点膜受激发后的亮度大大提高，且对量子点的色域范围不产生影响。本实用新型提供的一种高亮度量子点膜，具有激发后亮度高、色域范围广、发光稳定性高的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型提供的高亮度量子点膜的结构示意图。
附图标记：
10第一量子点层 20第二量子点层 30微晶阻隔层
40扩散阻隔层 50量子点扩散层 31微晶
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
图1是本实用新型提供的一种高亮度量子点膜的结构示意图，如图1所示，包括第一量子点层10、第二量子点层20、微晶阻隔层30、扩散阻隔层 40、量子点扩散层50；所述微晶阻隔层30为最底层，由所述微晶阻隔层30 自下而上分别是第一量子点层10、量子点扩散层50、第二量子点层20、扩散阻隔层40；所述第二量子点层20的厚度小于所述第一量子点层10的厚度。
优选地，所述微晶阻隔层30为内部添加有微晶31的水氧阻隔层，所述微晶为透明球形玻璃，所述微晶的粒径为4μm～10μm。
优选地，所述扩散阻隔层40为内部添加有扩散粒子的水氧阻隔层。
优选地，所述量子点扩散层50为添加有扩散粒子的量子点层。
具体实施时，在制备水氧阻隔层时，加入微晶31和扩散粒子，微晶31 为透明球形玻璃，制得含有微晶31和扩散粒子的水氧阻隔层，分别设在量子点膜的最下层和最上层，即为微晶阻隔层30和扩散阻隔层40。光源首先照射至微晶阻隔层30中，由于微晶31均匀分布，其折射作用使光线进入第一量子点层时更为均匀，扩散阻隔层40中的扩散粒子的散射作用使量子点膜受激发的光的亮度得到了加强。
量子点扩散层50为内部添加有扩散粒子的量子点层，量子点扩散层位于第一量子点层10和第二量子点层20之间，加入扩散粒子后对由第一量子点层10发出的光的亮度进行加强，同时散射作用使量子点扩散层50内的量子点受到来自各个方向的光线激发，使其亮度得到提高。
第一量子点层10的厚度大于第二量子点层20，避免了量子点在受到激发后发出的光之间的相互干扰，增强了量子点膜的发光稳定性。
本实用新型提供的一种高亮度量子点膜，具有激发后亮度高、色域范围广，发光稳定性高的优点。
优选地，所述扩散粒子为聚苯乙烯扩散粒子，粒径为2.5μm～3.5μm。
具体实施时，选用聚苯乙烯扩散粒子，且其粒径在2.5μm～3.5μm之间，其中，在量子点扩散层50中的扩散粒子的粒径较小，在2.5μm～3μm之间，在扩散阻隔层40中的扩散粒子的粒径较大，在2.8微米～3.5μm之间。选用以上粒径的扩散粒子，可以在不影响量子点膜的发光效率的前提下，提高量子点膜的发光亮度。
优选地，所述第一量子点层10和第二量子点层20都包括红光量子点和绿光量子点，所述红光量子点和绿光量子点均为CdSe/ZnS、CdTe/ZnS、 CdSe/CdS半导体材料中的一种或几种。
具体实施时，第一量子点层10和第二量子点层20中的红光量子点占所在层量子点总量的50％～80％，绿光量子点占所在层量子点总量的30％～50％，各层的红光量子点和绿光量子点的总量分别占所在量子点层质量的0.5％～ 1.5％。
所述CdSe(Cadmium Selenide，化学式为CdSe)的中文名称为硒化镉；所述ZnS(Zinc Sulphur，化学式为CdSe)的中文名称为硫化锌；所述CdTe (Cadmium Tellurium，化学式为CdTe)的中文名称为碲化镉；所述CdS (Cadmium Sulphur，化学式为CdSe)的中文名称为硫化镉。
优选地，所述第一量子点层10的厚度为30μm～100μm。
优选地，所述第二量子点层20的厚度为20μm～50μm。
尽管本文中较多的使用了诸如第一量子点层、第二量子点层、微晶阻隔层、扩散阻隔层、量子点扩散层、微晶等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本实用新型的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本实用新型精神相违背的。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
Claims (8)
1.一种高亮度量子点膜，其特征在于：包括第一量子点层(10)、第二量子点层(20)、微晶阻隔层(30)、扩散阻隔层(40)、量子点扩散层(50)；
所述微晶阻隔层(30)为最底层，由所述微晶阻隔层(30)自下而上分别是第一量子点层(10)、量子点扩散层(50)、第二量子点层(20)、扩散阻隔层(40)；
所述第二量子点层(20)的厚度小于所述第一量子点层(10)的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种高亮度量子点膜，其特征在于：所述微晶阻隔层(30)为内部添加有微晶(31)的水氧阻隔层，所述微晶为透明球形玻璃，所述微晶的粒径为4μm～10μm。
3.根据权利要求1所述的一种高亮度量子点膜，其特征在于：所述扩散阻隔层(40)为内部添加有扩散粒子的水氧阻隔层。
4.根据权利要求1所述的一种高亮度量子点膜，其特征在于：所述量子点扩散层(50)为添加有扩散粒子的量子点层。
5.根据权利要求3或4所述的一种高亮度量子点膜，其特征在于：所述扩散粒子为聚苯乙烯扩散粒子，粒径为2.5μm～3.5μm。
6.根据权利要求1所述的一种高亮度量子点膜，其特征在于：所述第一量子点层(10)和第二量子点层(20)都包括红光量子点和绿光量子点，所述红光量子点和绿光量子点均为CdSe/ZnS、CdTe/ZnS、CdSe/CdS半导体材料中的一种或几种；
所述CdSe为硒化镉；所述ZnS为硫化锌；所述CdTe为碲化镉；所述CdS为硫化镉。
7.根据权利要求1所述的一种高亮度量子点膜，其特征在于：所述第一量子点层(10)的厚度为30μm～100μm。
8.根据权利要求1所述的一种高亮度量子点膜，其特征在于：所述第二量子点层(20)的厚度为20μm～50μm。
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| CN109946879A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-06-28 | 惠州市创亿达新材料有限公司 | 量子点背光模组 |
| CN113257113A (zh) * | 2020-02-13 | 2021-08-13 | 群创光电股份有限公司 | 光学装置 |
| CN114241896A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-03-25 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 量子点膜及其制作方法、背光模组以及显示装置 |
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