CN208226871U - 地质发射机的主电路结构 - Google Patents

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CN208226871U CN201820411546.XU CN201820411546U CN208226871U CN 208226871 U CN208226871 U CN 208226871U CN 201820411546 U CN201820411546 U CN 201820411546U CN 208226871 U CN208226871 U CN 208226871U
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罗成
查明
王衡
赵锦波
罗志清
杨淼
程磊
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张辰
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Abstract

本实用新型公开了一种地质发射机的主电路结构，属于能源探测领域。该主电路结构包括依次连接的发射机组、三相整流滤波电路、准Z源电路、H型逆变桥、高频变压器、高频整流桥、低通滤波单元及发射H桥，H型逆变桥的第一桥臂或第二桥臂直通时，准Z源电路可以储能，当H型逆变桥的第一桥臂的上桥臂与第二桥臂的下桥臂连通或者第一桥臂的下桥臂与第二桥臂的上桥臂连通时，准Z源电路释放能量，将三相整流滤波电路输出的直流电进行预升压，再由H型逆变桥将预升压后的直流电转换成交流电，由高频变压器将该交流电进一步升压或降压，以实现地质发射机的高压或低压输出，减小了地质发射机的体积和制造成本，提高了电路的可靠性。

Description

地质发射机的主电路结构
技术领域
本实用新型涉及能源探测领域，特别涉及一种地质发射机的主电路结构。
背景技术
电磁探测技术近年来在国内外得到迅速发展，可以解决的问题范围不断扩大，如国家矿产资源、工程地质勘察、地下水与地热调查、环境灾害地质调查及考古、地下管线及埋葬物探测、海水倒灌和地下污染范围界定、地下开采巷道等，几乎涉及了地球物理勘探的各个领域。目前电磁探测系统采用的主要设备为地质发射机。由于不同地区的接地电阻相差可能很大，为了适应发射装置宽范围电压输出要求，国内外地质发射机均采用低压和高压两档输出。
现有的地质发射机主电路结构主要由以下部分依次连接而成：三相整流滤波电路、H型逆变桥、高频变压器单元、高频整流桥、低通滤波单元及发射H桥。其中高频变压器单元包括两组串并联可切换连接的高频变压器，当两组变压器的副边并联时，地质发射机可实现低压输出，当两组变压器的副边串联时，地质发射机即可实现高压输出。
在实现本实用新型的过程中，实用新型人发现现有技术至少存在以下问题：
现有的地质发射机需要采用两组串并联可切换连接的高频变压器来实现低压和高压两档输出，会导致整个地质发射机的体积较大，成本较高，且在串并联切换过程中，必须保证地质发射机已经停止发射，切换完成后再将地质发射机开启，在地质发射机开启或关闭的过程中会对开关器件造成冲击，影响开关器件的使用寿命。
实用新型内容
为了解决现有技术中地质发射机体积较大，成本较高的问题，本实用新型实施例提供了一种地质发射机的主电路结构。所述技术方案如下：
本实用新型提供了一种地质发射机的主电路结构，所述主电路结构包括：
发射机组，用于输出三相交流电；
三相整流滤波电路，所述三相整流滤波电路的输入端与所述发射机组的输出端连接并将所述发射机组输出的三相交流电转换成直流电输出；
准Z源电路，所述准Z源电路的输入端与所述三相整流滤波电路的输出端连接；
H型逆变桥，包括第一桥臂和第二桥臂，所述第一桥臂和所述第二桥臂的一端与所述准Z源电路的一个输出端连接，所述第一桥臂和所述第二桥臂的另一端与所述准Z源电路的另一个输出端连接，所述第一桥臂和所述第二桥臂均包括上桥臂和下桥臂，所述第一桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点以及所述第二桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点为所述H型逆变桥的输出端；
高频变压器，所述高频变压器的输入端与所述H型逆变桥的输出端连接；
高频整流桥，所述高频整流桥的输入端与所述高频变压器的输出端连接并将所述高频变压器输出的交流电转换成直流电输出；
低通滤波单元，所述低通滤波单元的输入端与所述高频整流桥的输出端连接；
发射H桥，所述发射H桥的输入端与所述低通滤波单元的输出端连接并将所述低通滤波单元输出的直流电转换成交流电输出。
进一步地，所述三相整流滤波电路包括三相不可控二极管整流模块和滤波电容Cd1，
所述三相不可控二极管整流模块与所述发射机组的输出端连接，所述滤波电容Cd1的两端分别与所述三相不可控二极管整流模块的两输出端连接。
进一步地，所述准Z源电路包括电感L1、电感L2、电容C1、电容C2和二极管D0，
所述电感L1的一端与所述三相整流滤波电路的一个输出端连接，所述电感L1的另一端与所述二极管D0的正极连接，所述二极管D0的负极与所述电感L2的一端连接，所述电感L2的另一端与所述H型逆变桥的一个输入端连接；
所述电容C2的一端与所述二极管D0的正极连接，所述电容C2的另一端与所述电感L2的另一端连接；所述电容C1的一端与所述二极管D0的负极连接，所述电容C1的另一端与所述三相整流滤波电路的另一输出端连接；所述电感L1和所述电感L2通过一个铁芯以变压器的形式进行耦合。
进一步地，所述H型逆变桥的第一桥臂的输出端与所述高频变压器的原线圈的一端连接，所述H型逆变桥的第二桥臂的输出端与所述高频变压器的原线圈的另一端连接。
进一步地，所述高频整流桥包括第三桥臂和第四桥臂，所述第三桥臂和所述第四桥臂均包括上桥臂和下桥臂，所述第三桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点与所述高频变压器的副线圈的一端连接，所述第四桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点与所述高频变压器的副线圈的另一端连接，所述第三桥臂和所述第四桥臂的两端为所述高频整流桥的输出端。
进一步地，所述高频整流桥还包括电容Cd2，所述电容Cd2的两端分别与所述高频整流桥的两输出端连接。
进一步地，所述高频整流桥还包括一个电阻Rs和一个电容Cs，所述电阻Rs-的一端与所述高频整流桥的一个输出端连接，所述电阻Rs的另一端与所述电容Cs的一端连接，所述电容Cs的另一端与所述高频整流桥的另一个输出端连接。
进一步地，所述低通滤波单元包括一个电感L0和一个电容C0，所述电感L0的一端与所述高频整流桥的一个输出端连接，所述电感L0的另一端与所述电容C0的一端连接，所述电容C0的另一端与所述高频整流桥的另一个输出端连接。
进一步地，所述发射H桥包括第五桥臂和第六桥臂，所述第五桥臂和所述第六桥臂的一端与所述低通滤波单元的一个输出端连接，所述第五桥臂和所述第六桥臂的另一端与所述低通滤波单元的另一个输出端连接，所述第五桥臂和所述第六桥臂均包括上桥臂和下桥臂，所述第五桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点以及所述第六桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点为所述发射H桥的输出端。
进一步地，所述H型逆变桥采用两个绝缘栅双极型晶体管半桥FF300R17KE4模块组成，每个所述FF300R17KE4模块内均集成了两个绝缘栅双极型晶体管单元和两个反并联二极管，每个所述绝缘栅双极型晶体管单元对应一个所述反并联二极管。
本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过设置准Z源电路，使得H型逆变桥的第一桥臂或第二桥臂直通时，准Z源电路可以储能，当H型逆变桥的第一桥臂的上桥臂与第二桥臂的下桥臂连通或者第一桥臂的下桥臂与第二桥臂的上桥臂连通时，准Z源电路释放能量，将三相整流滤波电路输出的直流电进行预升压，再由H型逆变桥将预升压后的直流电转换成交流电，由高频变压器将该交流电进一步升压或降压，以实现地质发射机的高压或低压输出，使得地质发射机的输出电压达到技术要求。无需使用两组高频变压器来实现低压和高压两档输出，减小了地质发射机的体积，同时在实现低压和高压两档输出时，无需频繁的开启或关闭地质发射机，提高了地质发射机的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的一种地质发射机的主电路结构示意图；
图2是本实用新型实施例提供的一种地质发射机的输出电压U1的波形图；
图3是本实用新型实施例提供的一种地质发射机的输出电压u2的波形图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
本实用新型提供了一种地质发射机的主电路结构，图1是本实用新型实施例提供的一种地质发射机的主电路结构示意图，如图1所示，主电路结构包括依次连接的发射机组10、三相整流滤波电路20、准Z源电路30、H型逆变桥40、高频变压器50、高频整流桥60、低通滤波单元70及发射H桥80。
其中，发射机组10用于输出三相交流电。三相整流滤波电路20的输入端与发射机组10的输出端连接并将发射机组10输出的三相交流电转换成直流电输出。准Z源电路30的输入端与三相整流滤波电路20的输出端连接。H型逆变桥40包括第一桥臂和第二桥臂，第一桥臂和第二桥臂的一端与准Z源电路30的一个输出端连接，第一桥臂和第二桥臂的另一端与准Z源电路30的另一个输出端连接，第一桥臂和第二桥臂均包括上桥臂和下桥臂，第一桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点以及第二桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点为H型逆变桥的输出端。高频变压器50的输入端与H型逆变桥40的输出端连接。高频整流桥60的输入端与高频变压器50的输出端连接并将高频变压器50输出的交流电转换成直流电输出。低通滤波单元70的输入端与高频整流桥60的输出端连接。发射H桥80的输入端与低通滤波单元70的输出端连接并将低通滤波单元70输出的直流电转换成交流电输出。
本实用新型实施例通过设置准Z源电路，使得H型逆变桥的第一桥臂或第二桥臂直通时，准Z源电路可以储能，当H型逆变桥的第一桥臂的上桥臂与第二桥臂的下桥臂连通或者第一桥臂的下桥臂与第二桥臂的上桥臂连通时，准Z源电路释放能量，将三相整流滤波电路输出的直流电进行预升压，再由H型逆变桥将预升压后的直流电转换成交流电，由高频变压器将该交流电进一步升压或降压，以实现地质发射机的高压或低压输出，使得地质发射机的输出电压达到技术要求。无需使用两组高频变压器来实现低压和高压两档输出，减小了地质发射机的体积，同时在实现低压和高压两档输出时，无需频繁的开启或关闭地质发射机，提高了地质发射机的使用寿命。
在本实施例中，发射机组10产生380V的三相交流电。
进一步地，三相整流滤波电路20包括三相不可控二极管整流模块21和滤波电容Cd1。三相不可控二极管整流模块21与发射机组10的输出端连接，滤波电容Cd1的两端分别与三相不可控二极管整流模块21的两输出端连接，用于使三相不可控二极管整流模块21输出稳定的直流电。
具体地，三相不可控二极管整流模块21可以采用额定电流为210A，额定电压为1600V的SKD210/16模块。
进一步地，准Z源电路包括电感L1、电感L2、电容C1、电容C2和二极管D0。电感L1的一端与三相整流滤波电路的一个输出端连接，电感L1的另一端与二极管D0的正极连接，二极管D0的负极与电感L2的一端连接，电感L2的另一端与H型逆变桥的一个输入端连接。电容C2的一端与二极管D0的正极连接，电容C2的另一端与电感L2的另一端连接。电容C1的一端与二极管D0的负极连接，电容C1的另一端与三相整流滤波电路的另一输出端连接。电感L1和电感L2通过一个铁芯以变压器的形式进行耦合。
具体地，当H型逆变桥40的第一桥臂或第二桥臂直通时，电感L1、电感L2、电容C1、电容C2均储能。当H型逆变桥40的第一桥臂或第二桥臂非直通时，即第一桥臂的上桥臂与第二桥臂的下桥臂或第一桥臂的下桥臂与第二桥臂的上桥臂连通时，电感L1、电感L2、电容C1、电容C2均将存储的能量释放，准Z源电路30将三相整流滤波电路20输出的直流电进行预升压。
在本实施例中，H型逆变桥40的输入电压不超过1000V。
优选地，电感L1和电感L2的电感量相同。
其中，电感L1和电感L2的电感量的设置与H型逆变桥40中的四个开关的工作频率有关，四个开关的工作频率越高，电感L1和电感L2的电感量可以设置的越小。在本实施例中，电感L1和电感L2的电感量可以均为100μH。
进一步地，电容C1和电容C2的电容量相同。
在本实施例中，电容C1和电容C2的电容量可以均为470μF。
进一步地，二极管D0为快恢复二极管，当H型逆变桥40的第一桥臂和第二桥臂为非直通态时，快恢复二极管可以为电感L1和电感L2提供续流通道。
进一步地，H型逆变桥40的第一桥臂的输出端与高频变压器50的原线圈的一端连接，H型逆变桥40的第二桥臂的输出端与高频变压器的原线圈的另一端连接。
具体地，高频变压器50包括相耦合的原线圈和副线圈。
H型逆变桥40包括四个开关V1、V2、V3和V4，开关V1组成第一桥臂的上桥臂，开关V2组成第一桥臂的下桥臂，开关V3组成第二桥臂的上桥臂，开关V4组成第二桥臂的下桥臂。
在本实施例中，H型逆变桥40的四个开关为采用了封装反并联二极管的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，中文：绝缘栅双极型晶体管)器件。
开关V1的源极与电感L2的另一端连接，开关V1的漏极与开关V2的源极连接，开关V2的漏极与电容C1的另一端连接，开关V3的源极与电感L2的另一端连接，开关V3的漏极与开关V4的源极连接，开关V4的漏极与电容C1的另一端连接。
开关V1、V2、V3和V4的栅极均与PWM(Pulse Width Modulation，脉冲宽度调制)控制器连接。
当开关V1和V2同时关闭时，H型逆变桥40的第一桥臂直通，当开关V3和V4同时关闭时，H型逆变桥40的第二桥臂直通。
优选地，H型逆变桥40采用两个IGBT半桥FF300R17KE4模块组成，每个FF300R17KE4模块内均集成了两个IGBT单元和两个反并联二极管，每个IGBT单元对应一个反并联二极管。
在本实施例中，高频变压器50的工作频率可以选取为20kHZ。
进一步地，高频整流桥60包括第三桥臂和第四桥臂，第三桥臂和第四桥臂均包括上桥臂和下桥臂，第三桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点与高频变压器50的副线圈的一端连接，第四桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点与高频变压器50的副线圈的另一端连接，第三桥臂和第四桥臂的两端为高频整流桥60的输出端。
可选地，高频整流桥60包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4，二极管D1组成第三桥臂的上桥臂，二极管D2组成第三桥臂的下桥臂，二极管D3组成第四桥臂的上桥臂，二极管D4组成第四桥臂的下桥臂。
具体地，二极管D1和二极管D3的负极以及二极管D2和二极管D4的正极与低通滤波单元70的输入端连接，二极管D1的正极和二极管D2的负极均与高频变压器50的副线圈的一端连接，二极管D3的正极和二极管D4的负极均与高频变压器50的副线圈的另一端连接。
在本实施例中，二极管D1、D2、D3和D4需承受的反向电压峰值为1200V，最大工作电流为50A，则四个二极管可采用APTDF200H170G模块，该模块的额定电压为1700V，额定电流为200A。
进一步地，高频整流桥60还包括电容Cd2，电容Cd2的两端分别与高频整流桥60的两输出端连接，用于使高频整流桥60输出稳定的直流电。
具体地，电容Cd2的一端与二极管D1或二极管D3的负极连接，电容Cd2的另一端与二极管D2或二极管D4的正极连接。
进一步地，高频整流桥60还包括一个电阻Rs和一个电容Cs，电阻Rs的一端与高频整流桥60的一个输出端连接，电阻Rs的另一端与电容Cs的一端连接，电容Cs的另一端与高频整流桥60的另一个输出端连接。电容Cs和电阻Rs与二极管构成吸收回路，用于避免H型逆变桥40中的开关在截止瞬间出现过高的反向峰值电压损坏高频整流桥60中的二极管。
具体地，电阻Rs的一端与二极管D1或二极管D3的负极连接，电容Cs的一端与二极管D2或二极管D4的正极连接。
进一步地，低通滤波单元70包括一个电感L0和一个电容C0，电感L0的一端与高频整流桥60的一个输出端连接，电感L0的另一端与电容C0的一端连接，电容C0的另一端与高频整流桥60的另一个输出端连接。低通滤波单元70用于将高频整流桥60输出的直流电进行过滤。
进一步地，发射H桥80包括第五桥臂和第六桥臂，第五桥臂和第六桥臂的一端与低通滤波单元70的一个输出端连接，第五桥臂和第六桥臂的另一端与低通滤波单元70的另一个输出端连接，第五桥臂和第六桥臂均包括上桥臂和下桥臂，第五桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点以及第六桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点为发射H桥80的输出端。
在本实施例中，发射H桥80的输出端与发射天线连接。
进一步地，发射H桥80包括四个开关，四个开关均为采用了封装反并联二极管的IGBT器件。
具体地，如图1所示，发射H桥80包括四个开关V5、V6、V7和V8，开关V5的源极与电感L0的另一端连接，开关V5的漏极与开关V6的源极连接，开关V6的漏极与电容C0的另一端连接，开关V7的源极与电感L0的另一端连接，开关V7的漏极与开关V8的源极连接，开关V8的漏极与电容C0的另一端连接。
开关V5、V6、V7和V8的栅极均与PMW控制器连接。
优选地，发射H桥80还可以采用两个IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)半桥FF300R17KE4模块组成，每个FF300R17KE4模块内均集成了两个IGBT单元和两个反并联二极管，每个IGBT单元对应一个反并联二极管。
在本实施例中，采用PWM调制方式，调节H型逆变桥40的四个开关的占空比和H型逆变桥40的调制比，即可使得高频变压器50输出的交流电的大小改变。例如，当H型逆变桥40的第一桥臂直通时，开关V1和V2均闭合，开关V1和V2的占空比越大，即开关V1和V2闭合时间越长，则电感L1、电感L2、电容C1和电容C2储存的能量越多，当开关V1或V2断开时，电感L1、电感L2、电容C1和电容C2释放的能量就越多，此时准Z源电路30输出的直流电越大。
调节H型逆变桥40的调制比，即H型逆变桥40的输入电压与输出电压的比值，由于准Z源电路30已经将三相整流滤波电路20输出的直流电进行预升压，则输入至H型逆变桥40的电压增大，此时若再增大H型逆变桥40的调制比，高频变压器50输出的电压将进一步增大，实现高压输出。
图2是本实用新型实施例提供的一种地质发射机的输出电压U1的波形图，如图2所示，图2中横坐标表示时间，纵坐标表示高频整流桥60输出端的电压U1的大小，此时U1为直流电，如图2所示，在0～0.08时间内，调制比M＝0.9，在0～0.02s时间段，H型逆变桥40的第一桥臂或第二桥臂不直通，准Z源电路30将三相整流滤波电路20输出的直流电发送至H型逆变桥40，H型逆变桥40将准Z源电路30输出的直流电转换为交流电，在调制比为M＝0.9时，高频变压器50将H型逆变桥40输出的交流电升压至600V，由图2可知，在0～0.02s时间段内，高频整流桥60输出端的电压U1＝600V。
在0.02s～0.08s时间段，将H型逆变桥40中开关的占空比设置为0.5，H型逆变桥40的第一桥臂或第二桥臂在某些时间段会直通，准Z源电路30将三相整流滤波电路20输出的直流电进行预升压，H型逆变桥40将准Z源电路30预升压后的直流电转换为交流电，则高频变压器50的输入电压会增大，而调制比不变，最终高频变压器50的输出电压增大至1000V，由图2可知在0.02s～0.03s时间段内U1由600V升压至1000V，在0.03时刻，U1＝1000V。在上述整个过程中，地质发射机连续调压，地质发射机无需停机，减少了停机开机过程中对开关器件的冲击。
图3是本实用新型实施例提供的一种地质发射机的输出电压u2的波形图，如图3所示，图3中横坐标表示时间，纵坐标表示发射H桥80输出端的电压u2的大小，此时u2为交流电，如图3所示，在0～0.08时间内，调制比M＝0.9，在0～0.02s时间段，H型逆变桥40不包括直通态，发射H桥80输出端的电压u2在±600V范围内周期性变化，在0.02s～0.08s时间段，调制比不变，将H型逆变桥40中开关的占空比设置为0.5，由图3可知在0.02s～0.03s时间段内u2在±600V～±1000V范围内周期性变化，在0.03时刻，u2＝1000V。在上述整个过程中，地质发射机连续调压，地质发射机无需停机，减少了停机开机过程中对开关器件的冲击。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种地质发射机的主电路结构，其特征在于，所述主电路结构包括：
发射机组，用于输出三相交流电；
三相整流滤波电路，所述三相整流滤波电路的输入端与所述发射机组的输出端连接并将所述发射机组输出的三相交流电转换成直流电输出；
准Z源电路，所述准Z源电路的输入端与所述三相整流滤波电路的输出端连接；
H型逆变桥，包括第一桥臂和第二桥臂，所述第一桥臂和所述第二桥臂的一端与所述准Z源电路的一个输出端连接，所述第一桥臂和所述第二桥臂的另一端与所述准Z源电路的另一个输出端连接，所述第一桥臂和所述第二桥臂均包括上桥臂和下桥臂，所述第一桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点以及所述第二桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点为所述H型逆变桥的输出端；
高频变压器，所述高频变压器的输入端与所述H型逆变桥的输出端连接；
高频整流桥，所述高频整流桥的输入端与所述高频变压器的输出端连接并将所述高频变压器输出的交流电转换成直流电输出；
低通滤波单元，所述低通滤波单元的输入端与所述高频整流桥的输出端连接；
发射H桥，所述发射H桥的输入端与所述低通滤波单元的输出端连接并将所述低通滤波单元输出的直流电转换成交流电输出。
2.根据权利要求1所述的主电路结构，其特征在于，所述三相整流滤波电路包括三相不可控二极管整流模块和滤波电容Cd1，
所述三相不可控二极管整流模块与所述发射机组的输出端连接，所述滤波电容Cd1的两端分别与所述三相不可控二极管整流模块的两输出端连接。
3.根据权利要求1所述的主电路结构，其特征在于，所述准Z源电路包括电感L1、电感L2、电容C1、电容C2和二极管D0，
所述电感L1的一端与所述三相整流滤波电路的一个输出端连接，所述电感L1的另一端与所述二极管D0的正极连接，所述二极管D0的负极与所述电感L2的一端连接，所述电感L2的另一端与所述H型逆变桥的一个输入端连接；
所述电容C2的一端与所述二极管D0的正极连接，所述电容C2的另一端与所述电感L2的另一端连接；所述电容C1的一端与所述二极管D0的负极连接，所述电容C1的另一端与所述三相整流滤波电路的另一输出端连接；所述电感L1和所述电感L2通过一个铁芯以变压器的形式进行耦合。
4.根据权利要求1所述的主电路结构，其特征在于，所述H型逆变桥的第一桥臂的输出端与所述高频变压器的原线圈的一端连接，所述H型逆变桥的第二桥臂的输出端与所述高频变压器的原线圈的另一端连接。
5.根据权利要求4所述的主电路结构，其特征在于，所述高频整流桥包括第三桥臂和第四桥臂，所述第三桥臂和所述第四桥臂均包括上桥臂和下桥臂，所述第三桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点与所述高频变压器的副线圈的一端连接，所述第四桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点与所述高频变压器的副线圈的另一端连接，所述第三桥臂和所述第四桥臂的两端为所述高频整流桥的输出端。
6.根据权利要求5所述的主电路结构，其特征在于，所述高频整流桥还包括电容Cd2，所述电容Cd2的两端分别与所述高频整流桥的两输出端连接。
7.根据权利要求5所述的主电路结构，其特征在于，所述高频整流桥还包括一个电阻Rs和一个电容Cs，所述电阻Rs的一端与所述高频整流桥的一个输出端连接，所述电阻Rs的另一端与所述电容Cs的一端连接，所述电容Cs的另一端与所述高频整流桥的另一个输出端连接。
8.根据权利要求1所述的主电路结构，其特征在于，所述低通滤波单元包括一个电感L0和一个电容C0，所述电感L0的一端与所述高频整流桥的一个输出端连接，所述电感L0的另一端与所述电容C0的一端连接，所述电容C0的另一端与所述高频整流桥的另一个输出端连接。
9.根据权利要求1所述的主电路结构，其特征在于，所述发射H桥包括第五桥臂和第六桥臂，所述第五桥臂和所述第六桥臂的一端与所述低通滤波单元的一个输出端连接，所述第五桥臂和所述第六桥臂的另一端与所述低通滤波单元的另一个输出端连接，所述第五桥臂和所述第六桥臂均包括上桥臂和下桥臂，所述第五桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点以及所述第六桥臂的上桥臂和下桥臂的连接点为所述发射H桥的输出端。
10.根据权利要求1-9任一项所述的主电路结构，其特征在于，所述H型逆变桥采用两个绝缘栅双极型晶体管半桥FF300R17KE4模块组成，每个所述FF300R17KE4模块内均集成了两个绝缘栅双极型晶体管单元和两个反并联二极管，每个所述绝缘栅双极型晶体管单元对应一个所述反并联二极管。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112234821A (zh) * 2020-11-13 2021-01-15 燕山大学 一种基于有源网络的高增益直流变换器拓扑结构

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