CN208225851U - 一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘，气体供给盘同轴套设有连接环，气体供给盘外壁同轴固接有一号限位环，一号限位环的环体开设有若干一号通孔，连接环内壁同轴固接有二号限位环，二号限位环开设有若干二号通孔，二号通孔与一号通孔位置相对应，一号通孔与二号通孔内共同插设有堵栓，堵栓上端固接有限位块，堵栓的下端开设有三号通孔，三号通孔的开口处均设有限位凸起，三号通孔的两端均设有活动块，三号通孔内设有弹簧，活动块远离弹簧的一端均固接有顶块。本实用新型中，上部电极中的气体供给盘与连接环为可拆卸连接，从而方便后期更换以及维修，且安装以及拆卸过程都极为简易。

Description

一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极

技术领域

本实用新型涉及干蚀刻装备，尤其涉及一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极。

背景技术

在干蚀刻装备的电极组装体中，蚀刻工艺进行时，工艺气体通过气体注入管被注入，并进入上部电极上形成的多个气体喷射孔内。

此时，根据上部电极上的电压生成等离子，根据这种等离子形成了在晶片上的氧化膜或者金属膜等的蚀刻。

但是，以往的电极组装体用上部电极气体供给盘和连接环是一体的，所以气体供给盘或者连接环其中一个受损时必须把整个上部电极替换掉。

尤其是导入工艺气体的气体供给盘与连接环相比，不仅寿命短而在不同工艺条件下更易受损。

这种情况下，以往的气体供给盘只要受损就要把高价的上部电极整个替换掉，造成了极大的资源浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极，以解决气体供给盘与连接环其中一个部件损坏后需要整体更换上部电极的技术问题。

本实用新型为解决上述技术问题，采用以下技术方案来实现：

本实用新型提供一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘，气体供给盘均匀设有多个气体喷射孔，气体供给盘同轴套设有连接环，连接环开设有多个连接孔，气体供给盘外壁同轴固接有一号限位环，一号限位环的环体开设有若干一号通孔，一号通孔纵向设置，连接环内壁同轴固接有二号限位环，二号限位环设置在一号限位环下方，二号限位环开设有若干二号通孔，二号通孔与一号通孔位置相对应，一号通孔与二号通孔内共同插设有堵栓，堵栓上端固接有限位块，堵栓的下端开设有三号通孔，三号通孔水平设置，三号通孔的开口处均设有限位凸起，三号通孔的两端均设有活动块，活动块通过限位凸起限位在三号通孔内，三号通孔内设有弹簧，弹簧的两端分别与活动块接触，活动块远离弹簧的一端均固接有顶块，顶块设置在二号通孔的下方。

优选地，一号通孔以及二号通孔均设有四个，一号通孔以及二号通孔均沿所在环体圆周均匀设置。

优选地，一号限位环下端固接有若干凸条，凸条长度方向与一号限位环直径方向一致，二号限位环上端开设有若干凹槽，凸条与凹槽位置相对应。

优选地，凸条以及凹槽均为V型。

优选地，凸条以及凹槽均设有四个，凸条以及凹槽均沿所在环体圆周均匀设置。

优选地，堵栓套设有垫圈，垫圈设置在限位块与一号通孔之间。

优选地，顶块远离二号通孔的一端为光滑的曲面。

本实用新型在使用过程中，先将一号限位环上的一号通孔与二号限位环上的二号通孔对齐，然后插入堵栓，插入堵栓的过程中，先按压三号通孔两端的顶块，使顶块进入三号通孔内，然后将堵栓插入一号通孔与二号通孔内即可，当堵栓完全插入后，在弹簧的作用下，活动块像向三号通孔的开口处滑动，从而推动顶块，顶块即可伸出三号通孔，在限位块以及顶块的夹持作用下，一号限位环以及二号限位得以被固定，后期若是需要拆卸时，只需按压顶块，再拔出堵栓即可。

本实用新型通过一号限位环、一号通孔、二号限位环、二号通孔以及堵栓之间结构的相互配合，使得上部电极中的气体供给盘与连接环得以分离，且堵栓结构特殊，不需要动用其他辅助工具则可完成固定，避免了使用螺栓螺母安装时，对上部电极造成的损伤以及安装或拆卸时的繁琐。

一号通孔以及二号通孔的均匀设置则使本实用新型受力更加均匀，有利于上部电极结构的稳定。

在对准一号通孔与二号通孔的过程中，只需要转动气体供给盘，从而带动一号限位环转动，在转动过程中，凸条会插入凹槽内，从而使得一号限位环与二号限位环固定住，进而完成一号通孔与二号通孔的自动对齐，避免了人工对齐时的繁琐。

凸条与凹槽均为V型则可方便凸条插入凹槽，使得对齐过程更加方便快捷。

设置垫圈则可增加一号限位环与二号限位的紧密结合程度。

顶块设有光滑的曲面则方便堵栓从一号通孔以及二号通孔内插入。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供了一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极，上部电极中的气体供给盘与连接环为可拆卸连接，从而方便后期更换以及维修，且安装以及拆卸过程都极为简易。

附图说明

图1为本实用新型中气体供给盘的仰视图。

图2为本实用新型中连接环的俯视图。

图3为本实用新型中气体供给盘的侧视图。

图4为本实用新型中气体供给盘与连接环的连接示意图。

图5为本实用新型中A部分的放大图。

附图标记：1-气体供给盘，2-气体喷射孔，3-一号限位环，4-一号通孔，5-凸条，6-连接环，7-二号限位环，8-二号通孔，9-连接孔，10-凹槽，11-堵栓，12-限位块，13-三号通孔，14-限位凸起，15-活动块，16-弹簧，17-顶块，18-垫圈。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型，但下述实施例仅仅为本实用新型的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它实施例，都属于本实用新型的保护范围。

如图1-5所示，一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘1，气体供给盘1均匀设有多个气体喷射孔2，气体供给盘1同轴套设有连接环6，连接环6开设有多个连接孔9，气体供给盘1外壁同轴固接有一号限位环3，一号限位环3的环体开设有四个一号通孔4，一号通孔4纵向设置，连接环6内壁同轴固接有二号限位环7，二号限位环7设置在一号限位环3下方，二号限位环7开设有四个二号通孔8，二号通孔8与一号通孔4位置相对应，一号通孔4以及二号通孔8均沿所在环体圆周均匀设置，一号通孔4与二号通孔8内共同插设有堵栓11，堵栓11上端固接有限位块12，堵栓11套设有垫圈18，垫圈18设置在限位块12与一号通孔4之间，堵栓11的下端开设有三号通孔13，三号通孔13水平设置，三号通孔13的开口处均设有限位凸起14，三号通孔13的两端均设有活动块15，活动块15通过限位凸起14限位在三号通孔13内，三号通孔13内设有弹簧16，弹簧16的两端分别与活动块15接触，活动块15远离弹簧16的一端均固接有顶块17，顶块17设置在二号通孔8的下方，顶块17远离二号通孔8的一端为光滑的曲面；一号限位环3下端固接有四个凸条5，凸条5长度方向与一号限位环3直径方向一致，二号限位环7上端开设有四个凹槽10，凸条5与凹槽10位置相对应，凸条5以及凹槽10均为V型，凸条5以及凹槽10均沿所在环体圆周均匀设置。

本实用新型在使用过程中，先将一号限位环3上的一号通孔4与二号限位环7上的二号通孔8对齐，然后插入堵栓11，插入堵栓11的过程中，先按压三号通孔13两端的顶块17，使顶块17进入三号通孔13内，然后将堵栓11插入一号通孔4与二号通孔8内即可，当堵栓11完全插入后，在弹簧16的作用下，活动块15像向三号通孔13的开口处滑动，从而推动顶块17，顶块17即可伸出三号通孔13，在限位块12以及顶块17的夹持作用下，一号限位环3以及二号限位7得以被固定，后期若是需要拆卸时，只需按压顶块17，再拔出堵栓11即可。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本实用新型的优选例，并不用来限制本实用新型，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (7)

1.一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘（1），所述气体供给盘（1）均匀设有多个气体喷射孔（2），所述气体供给盘（1）同轴套设有连接环（6），所述连接环（6）开设有多个连接孔（9），其特征在于，所述气体供给盘（1）外壁同轴固接有一号限位环（3），所述一号限位环（3）的环体开设有若干一号通孔（4），所述一号通孔（4）纵向设置，所述连接环（6）内壁同轴固接有二号限位环（7），所述二号限位环（7）设置在所述一号限位环（3）下方，所述二号限位环（7）开设有若干二号通孔（8），所述二号通孔（8）与所述一号通孔（4）位置相对应，所述一号通孔（4）与所述二号通孔（8）内共同插设有堵栓（11），所述堵栓（11）上端固接有限位块（12），所述堵栓（11）的下端开设有三号通孔（13），所述三号通孔（13）水平设置，所述三号通孔（13）的开口处均设有限位凸起（14），所述三号通孔（13）的两端均设有活动块（15），所述活动块（15）通过所述限位凸起（14）限位在所述三号通孔（13）内，所述三号通孔（13）内设有弹簧（16），所述弹簧（16）的两端分别与所述活动块（15）接触，所述活动块（15）远离所述弹簧（16）的一端均固接有顶块（17），所述顶块（17）设置在所述二号通孔（8）的下方。

2.根据权利要求1所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述一号通孔（4）以及所述二号通孔（8）均设有四个，所述一号通孔（4）以及所述二号通孔（8）均沿所在环体圆周均匀设置。

3.根据权利要求1所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述一号限位环（3）下端固接有若干凸条（5），所述凸条（5）长度方向与所述一号限位环（3）直径方向一致，所述二号限位环（7）上端开设有若干凹槽（10），所述凸条（5）与所述凹槽（10）相匹配。

4.根据权利要求3所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述凸条（5）以及所述凹槽（10）均为V型。

5.根据权利要求4所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述凸条（5）以及所述凹槽（10）均设有四个，所述凸条（5）以及所述凹槽（10）均沿所在环体圆周均匀设置。

6.根据权利要求1所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述堵栓（11）套设有垫圈（18），所述垫圈（18）设置在所述限位块（12）与所述一号通孔（4）之间。

7.根据权利要求1所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述顶块（17）远离所述二号通孔（8）的一端为光滑的曲面。