CN208158960U - 一种位置灯的电流补偿电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种位置灯的电流补偿电路，包括第一二三极管和第二三极管；第一三极管的第一极通过第一电阻连接至电源输入端，第二极接地，第三极通过第二电阻连接至位置灯的负极，第一三极管的第三极还与第二三极管的第一极连接；其中，位置灯的正极与所述电源输入端连接，负极通过串联的第一负载电阻和第二负载电阻接地；第二三极管的第二极接地，第三电极通过第三电阻连接至第一负载电阻和第二负载电阻的连接点。采用本实用新型的电流补偿电路能够实现电流补偿的智能控制，可有效降低电流补偿电路的功率损耗。

Description

一种位置灯的电流补偿电路

技术领域

本实用新型涉及车灯技术领域，尤其涉及一种位置灯的电流补偿电路。

背景技术

随着汽车行业的发展，车灯故障报警功能被广泛应用在汽车上。现有的车灯故障报警方式主要有电压反馈和电流反馈两种，其中，电流反馈车灯故障报警电路中要求单个车灯在工作电压范围内的电流必须大于电流阈值，否则判定为车灯故障，会产生车灯故障报警。

位置灯是车灯的重要组成部件，位置灯大多采用电阻式设计，即经过位置灯的电流与位置灯两端的电压呈线性相关。因此，当位置灯发生欠压时，需要补偿电流来避免产生误报警。如图1所示，是现有的欠压电流补偿电路的结构示意图。该欠压电流补偿电路中电源输入端Vin通过电阻R101直接接地，当通过位置灯的电流小于电流阈值时，电源输入端Vin向位置灯提供补偿电流；而当位置灯的电压恢复到工作电压时，电源输入端Vin仍然向位置灯提供补偿电流，这就使得现有的欠压补偿电路具有较大的功率损耗。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型的一种位置灯的电流补偿电路能够实现电流补偿的智能控制，可有效降低电流补偿电路的功率损耗。

为解决上述技术问题，本实用新型的一种位置灯的电流补偿电路，包括第一三极管和第二三极管；

所述第一三极管的第一极通过第一电阻连接至电源输入端，第二极接地，第三极通过第二电阻连接至位置灯的负极，所述第一三极管的第三极还与所述第二三极管的第一极连接；其中，所述位置灯的正极与所述电源输入端连接，负极通过串联的第一负载电阻和第二负载电阻接地；

所述第二三极管的第二极接地，第三电极通过第三电阻连接至所述第一负载电阻和所述第二负载电阻的连接点。

与现有技术相比，本实用新型的一种位置灯的电流补偿电路中，当位置灯欠压时，通过第一负载电阻和第二负载电阻分压，使得第一三极管导通、第二三极管截止，进而电源输入端向位置灯提供补偿电流；当位置灯的电压恢复至正常工作电压时，由于第二负载电阻分压较大，使得第二三极管导通、第一三极管截止，进而关闭电源输入端的电流补偿。本实用新型的电流补偿通过第一三极管和第二三极管实现电流补偿的智能控制，能够减少正常工作电压时电路中的功率器件，可有效降低电流补偿电路的功率损耗。

作为上述方案的改进，所述第一三极管包括第一NPN晶体管，所述第二三极管包括第二NPN晶体管；其中，

所述第一三极管的第一极为所述第一NPN晶体管的集电极，所述第一三极管的第二极为所述第一NPN晶体管的发射极，所述第一三极管的第三极为所述第一NPN晶体管的基极；

所述第二三极管的第一极为所述第二NPN晶体管的集电极，所述第二三极管的第二极为所述第二NPN晶体管的发射极，所述第二三极管的第三极为所述第二NPN晶体管的基极。

作为上述方案的改进，所述第一三极管包括第一NMOS场效应管，所述第二三极管包括第二NMOS场效应管；其中，

所述第一三极管的第一极为所述第一NMOS场效应管的漏极，所述第一三极管的第二极为所述第一NMOS场效应管的源极，所述第一三极管的第三极为所述第一NMOS场效应管的栅极；

所述第二三极管的第一极为所述第二NMOS场效应管的漏极，所述第二三极管的第二极为所述第二NMOS场效应管的源极，所述第二三极管的第三极为所述第二NMOS场效应管的栅极。

作为上述方案的改进，所述电源输入端通过二极管连接至电源。

作为上述方案的改进，所述二极管的正极与所述电源之间连接有滤波子电路，以对所述电源进行滤波处理。

作为上述方案的改进，所述滤波子电路包括双向TVS管，所述双向TVS管的第一端与所述二极管的正极连接，所述双向TVS管的第二端接地。

作为上述方案的改进，所述滤波子电路包括第四电阻和第一电容；其中，

所述第四电阻的第一端与所述二极管的正极连接，第二端接地；

所述第一电容的第一端与所述二极管的正极连接，第二端接地。

作为上述方案的改进，所述滤波子电路包括第五电阻、第二电容、第三电容、第四电容和第五电容；其中，

所述第五电阻的第一端与所述二极管的正极连接，第二端接地；

所述第二电容的第一端与所述二极管的正极连接，第二端与所述第三电容的第一端连接，所述第三电容的第二端接地；

所述第四电容的第一端与所述二极管的正极连接，第二端与所述第五电容的第一端连接，所述第五电容的第二端接地。

附图说明

图1是现有位置灯的欠压电流补偿电路结构示意图。

图2是本实用新型实施例1的一种位置灯的电流补偿电路结构示意图。

图3是本实用新型实施例2的一种位置灯的电流补偿电路结构示意图。

图4是本实用新型实施例中滤波子电路的一种结构示意图。

图5是本实用新型实施例中滤波子电路的另一个结构示意图。

具体实施方式

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

下面结合具体实施例和附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的描述。

实施例1

如图2所示，是本实用新型实施例1的一种位置灯的电流补偿电路结构示意图。

该位置灯的电流补偿电路包括第一NPN晶体管Q1和第二NPN晶体管Q2；第一NPN晶体管Q1的集电极通过第一电阻R1连接至电源输入端Vin，发射极接地，基极通过第二电阻R2连接至位置灯1的负极，第一NPN晶体管Q1的基极还与第二NPN晶体管Q2的集电极连接；第二NPN晶体管Q2的发射极接地，基极通过第三电阻R3连接至第一负载电阻R11和第二负载电阻R12的连接点。

在实施例1中，当电源输入端Vin向位置灯1提供的电压小于位置灯1的正常工作电压时，位置灯1发生欠压，使得第一负载电阻R11与第二负载电阻 R12连接点处的电压小于第二NPN晶体管Q2的导通电压，第二NPN晶体管 Q2截止；而第一负载电阻R11分压较大，使得第一NPN晶体管Q1导通，则电源输入端Vin经第一电阻R1和第一NPN晶体管Q1接地，向位置灯1所在支出补偿电流。当电源输入端Vin向位置灯1提供的电压达到正常工作电压时，第一负载电阻R11与第二负载电阻R12连接点处的电压值达到第二NPN晶体管 Q2的导通电压，则第二NPN晶体管Q2导通、第一NPN晶体管Q1截止，关闭电流补偿。

实施例2

如图3所示，是本实用新型实施例2的一种位置灯的电流补偿电路结构示意图。

该位置灯的电流补偿电路包括第一NMOS场效应管M1和第二NMOS场效应管M2；其中，第一NMOS场效应管M1的漏极通过第一电阻R1连接至补偿电源输入端Vin，源极接地，栅极通过第二电阻R2连接至位置灯1的负极，第一NMOS场效应管M1的栅极还与第二NMOS场效应管M2的漏极连接；第二 NMOS场效应管M2的源极接地，栅极通过第三电阻R3连接至第一负载电阻 R11和第二负载电阻R12的连接点。

在实施例2中，当供电电源输入端Vin向位置灯1提供的电压小于位置灯1 的正常工作电压时，位置灯1发生欠压，使得第一负载电阻R11与第二负载电阻R12连接点处的电压小于第二NMOS场效应管M2的导通电压，第二NMOS 场效应管M2截止；而第一负载电阻R11分压较大，使得第一NMOS场效应管 M1导通，则补偿电源输入端Vin经第一电阻R1和第一NMOS场效应管M1接地，向位置灯1所在支出补偿电流。当供电电源输入端Vin向位置灯1提供的电压达到正常工作电压时，第一负载电阻R11与第二负载电阻R12连接点处的电压值达到第二NMOS场效应管M2的导通电压，则第二NMOS场效应管M2 导通、第一NMOS场效应管M1截止，关闭电流补偿。

优选地，为了避免电源输入端的电流反向流动，如图4和图5所示，本实用新型中的电源输入端Vin通过二极管D1连接至电源2，其中，电源输入端 Vin与二极管D1的负极连接，二极管D1的正极与电源2连接。

优选地，为了使电源输入端提供的电压具有较高的稳定性，在二极管D1和电源2之间还连接有对电源2进行滤波处理的滤波子电路。

具体地，如图4所示，本实用新型中滤波子电路包括：双向TVS管T1、第四电阻R4和第一电容C1；其中，该双向TVS管T1的第一端与二极管D1的正极连接，双向TVS管T1的第二端接地，使得当电源2提供的电压高于电压阈值时，双向TVS管T1可将电源2提供的电压箝位在预定的电压值上，从而确保后面电流补偿电路中的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。另外，第四电阻R4的第一端与二极管D1的正极连接，第二端接地；第一电容C1的第一端与二极管D1的正极连接，第二端接地，第四电阻R4和第一电容C1对电源2 提供的电压进行滤波，使得电源2提供的电压具有较高的稳定性。

如图5所示，本实用新型还提供另一种滤波子电路，该滤波子电路除了包括双向TVS管T1之外，还包括：第五电阻R5、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4和第五电容C5；其中，第五电阻R5的第一端与二极管D1的正极连接，第五电阻R5的第二端接地；第二电容C2的第一端与二极管D1的正极连接，第二电容C2的第二端与第三电容C3的第一端连接，第三电容C3的第二端接地；第四电容C4的第一端与二极管D1的正极连接，第四电容C4的第二端与第五电容C5的第一端连接，第五电容C5的第二端接地。在该滤波子电路中，采用第二电容C2和第三电容C3串联支路，以及第四电容C4和第五电容C5串联支路与第五电阻R5并联，使得当两个串联支路中的任一电容发生短路时，该串联支路的另一电容仍然可以工作，并与另一串联支路、第五电阻R5 一起对电源2提供的电压进行滤波处理，提高滤波子电路的可靠性和稳定性，进而使得电源2提供的电压具有较高的稳定性。

可选的，本实用新型中的位置灯1可以是1个LED灯，也可以是至少2个 LED灯串联构成的LED灯条。

与现有技术相比，本实用新型的电流补偿电路具有以下有益效果：

(1)该电流补偿电路能够在位置灯欠压时提供补偿电流，在位置灯的电压恢复为正常工作电压时关闭电流补偿，实现电流补偿的智能控制，减少正常工作电压时电路中的功率器件，可有效降低电流补偿电路的功率损耗；

(2)在电源输入端设置二极管来防止电流倒流，以及设置滤波子电路来对电源输入端进行滤波，使得电源输入端提供的电源稳定、可靠，增加电流补偿电路的稳定性和可靠性。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型做任何形式上的限制，故凡未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (8)

1.一种位置灯的电流补偿电路，其特征在于，包括第一三极管和第二三极管；

所述第一三极管的第一极通过第一电阻连接至电源输入端，第二极接地，第三极通过第二电阻连接至位置灯的负极，所述第一三极管的第三极还与所述第二三极管的第一极连接；其中，所述位置灯的正极与所述电源输入端连接，负极通过串联的第一负载电阻和第二负载电阻接地；

所述第二三极管的第二极接地，第三电极通过第三电阻连接至所述第一负载电阻和所述第二负载电阻的连接点。

2.如权利要求1所述的电流补偿电路，其特征在于，所述第一三极管包括第一NPN晶体管，所述第二三极管包括第二NPN晶体管；其中，

所述第一三极管的第一极为所述第一NPN晶体管的集电极，所述第一三极管的第二极为所述第一NPN晶体管的发射极，所述第一三极管的第三极为所述第一NPN晶体管的基极；

所述第二三极管的第一极为所述第二NPN晶体管的集电极，所述第二三极管的第二极为所述第二NPN晶体管的发射极，所述第二三极管的第三极为所述第二NPN晶体管的基极。

3.如权利要求1所述的电流补偿电路，其特征在于，所述第一三极管包括第一NMOS场效应管，所述第二三极管包括第二NMOS场效应管；其中，

所述第一三极管的第一极为所述第一NMOS场效应管的漏极，所述第一三极管的第二极为所述第一NMOS场效应管的源极，所述第一三极管的第三极为所述第一NMOS场效应管的栅极；

所述第二三极管的第一极为所述第二NMOS场效应管的漏极，所述第二三极管的第二极为所述第二NMOS场效应管的源极，所述第二三极管的第三极为所述第二NMOS场效应管的栅极。

4.如权利要求1～3中任一项所述的电流补偿电路，其特征在于，所述电源输入端通过二极管连接至电源。

5.如权利要求4所述的电流补偿电路，其特征在于，所述二极管的正极与所述电源之间连接有滤波子电路，以对所述电源进行滤波处理。

6.如权利要求5所述的电流补偿电路，其特征在于，所述滤波子电路包括双向TVS管，所述双向TVS管的第一端与所述二极管的正极连接，所述双向TVS管的第二端接地。

7.如权利要求6所述的电流补偿电路，其特征在于，所述滤波子电路包括第四电阻和第一电容；其中，

所述第四电阻的第一端与所述二极管的正极连接，第二端接地；

所述第一电容的第一端与所述二极管的正极连接，第二端接地。

8.如权利要求6所述的电流补偿电路，其特征在于，所述滤波子电路包括第五电阻、第二电容、第三电容、第四电容和第五电容；其中，

所述第五电阻的第一端与所述二极管的正极连接，第二端接地；

所述第二电容的第一端与所述二极管的正极连接，第二端与所述第三电容的第一端连接，所述第三电容的第二端接地；

所述第四电容的第一端与所述二极管的正极连接，第二端与所述第五电容的第一端连接，所述第五电容的第二端接地。