CN208158560U - 一种低成本高效率的mosfet驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低成本高效率的MOSFET驱动电路，包括动力电机电源、脉冲宽度调制信号、充电开启模块、栅极匹配电容、放电模块；所述充电开启模块包括整流二极管；所述充电开启模块的一端与所述脉冲宽度调制信号串联连接；所述充电开启模块的另一端与MOSFET管的栅极相连接；所述栅极匹配电容与MOSFET管并联连接；所述放电模块的一端与MOSFET管的栅极相连接；所述放电模块的另一端与低电平相连接。有效的增加MOSFET驱动信号的安全性能及消减MOSFET自身寄生特性引起的失效风险。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子电路领域，尤其是涉及一种低成本高效率的MOSFET驱动电路。
背景技术
驱动电路的优劣会直接影响产品的可靠性及使用寿命。新能源汽车应用中MOSFET,IGBT等功率器件是最为常用的元件。在动力电机驱动，车载变频空调，等需要用到电机驱动的地方基本都需要用到这类电子元件，但是MOSFET驱动信号的在大电流环境下会受到电磁耦合的干扰。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种低成本高效率的MOSFET驱动电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种低成本高效率的MOSFET驱动电路，包括动力电源、脉冲宽度调制信号、充电开启模块、栅极匹配电容、放电模块；所述充电开启模块包括整流二极管；所述充电开启模块的一端与所述脉冲宽度调制信号串联连接；所述充电开启模块的另一端与MOSFET管的栅极相连接；所述栅极匹配电容与MOSFET管并联连接；所述放电模块的一端与MOSFET管的栅极相连接；所述放电模块的另一端与低电平相连接。
进一步地，所述充电开启模块还包括第一限流电阻，限制充电电流的大小，延长充电时间。
进一步地，所述放电模块包括第二限流电阻，限制放电电流的大小。
进一步地，所述驱动电路还包括TVS二极管，所述TVS二极管的一端与MOSFET管的栅极相连接，所述TVS二极管的另一端与低电平连接。
进一步地，还包括下拉电阻，所述下拉电阻的一端与 MOSFET管的栅极相连接，所述下拉电阻的另一端与低电平相连接，防止MOSFET管出现高阻状态时受电荷干扰。
本实用新型的有益效果是：通过控制MOSFET的开通和关断时间、增加最短放电路径，有效的增加MOSFET驱动信号的安全性能及消减MOSFET自身寄生特性引起的失效风险。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的电路结构示意图。
具体实施方式
以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本实用新型的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本实用新型保护的范围。另外，专利中涉及到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本实用新型创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合，参照图1。
一种低成本高效率的MOSFET驱动电路，包括动力电机电源、脉冲宽度调制信号、充电开启模块1、栅极匹配电容2、放电模块3、TVS二极管4、下拉电阻5。
所述充电开启模块包括整流二极管10、第一限流电阻11；所述第一限流电阻11限制充电电流的大小，延长充电时间。所述充电开启模块的一端与所述脉冲宽度调制信号串联连接；所述充电开启模块的另一端与MOSFET管的栅极相连接。
所述栅极匹配电容与MOSFET管并联连接；所述放电模块3 包括第二限流电阻30，所述第二限流电阻限制放电电流的大小。所述放电模块的一端与MOSFET管的栅极相连接；所述放电模块的另一端与低电平相连接。
所述TVS二极管4的一端与MOSFET管的栅极相连接，所述TVS二极管4的另一端与低电平连接。
所述下拉电阻5的一端与MOSFET管的栅极相连接，所述下拉电阻5的另一端与低电平相连接，防止MOSFET管出现高阻状态时受电荷干扰。
如图1所示，整流二极管D1和第一限流电阻R1构成充电开启模块，PWM信号通过充电开启模块给MOSFET管Q2提供充电过程的开启信号；R4为下拉电阻，防止MOSFET管出现高阻状态；D2为TVS管，确保MOSFET管Q2栅极在各工况条件下不超过电应力使用；C1为栅极匹配电容，增加充电时间，以增加 MOSFET管开启的时间长度更平缓的充电曲线可防止开启过程中在米勒平台附近MOSFET管处于震荡状态；R2及D2为放电回路，R2限制放电电流，为了尽量减小放电回路，PWM信号可以不经过原路径返回，而是经过R2及D2,直接回流到MOSFET的S极，这样在PCB上回流路径更短，受到耦合干扰的机率更小，驱动电路抗扰能力越强。
以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (5)
1.一种低成本高效率的MOSFET驱动电路，其特征在于，包括动力电机电源、脉冲宽度调制信号、充电开启模块、栅极匹配电容、放电模块；所述充电开启模块包括整流二极管；所述充电开启模块的一端与所述脉冲宽度调制信号串联连接；所述充电开启模块的另一端与MOSFET管的栅极相连接；所述栅极匹配电容与MOSFET管并联连接；所述放电模块的一端与MOSFET管的栅极相连接；所述放电模块的另一端与低电平相连接。
2.根据权利要求1所述的一种低成本高效率的MOSFET驱动电路，其特征在于，所述充电开启模块还包括第一限流电阻，限制充电电流的大小，延长充电时间。
3.根据权利要求1所述的一种低成本高效率的MOSFET驱动电路，其特征在于，所述放电模块包括第二限流电阻，限制放电电流的大小。
4.根据权利要求1所述的一种低成本高效率的MOSFET驱动电路，其特征在于，还包括TVS二极管，所述TVS二极管的一端与MOSFET管的栅极相连接，所述TVS二极管的另一端与低电平连接。
5.根据权利要求1所述的一种低成本高效率的MOSFET驱动电路，其特征在于，还包括下拉电阻，所述下拉电阻的一端与MOSFET管的栅极相连接，所述下拉电阻的另一端与低电平相连接，防止MOSFET管出现高阻状态时受电荷干扰。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820565243.3U CN208158560U (zh) | 2018-04-19 | 2018-04-19 | 一种低成本高效率的mosfet驱动电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820565243.3U CN208158560U (zh) | 2018-04-19 | 2018-04-19 | 一种低成本高效率的mosfet驱动电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN208158560U true CN208158560U (zh) | 2018-11-27 |
Family
ID=64379815
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201820565243.3U Active CN208158560U (zh) | 2018-04-19 | 2018-04-19 | 一种低成本高效率的mosfet驱动电路 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN208158560U (zh) |
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2018
- 2018-04-19 CN CN201820565243.3U patent/CN208158560U/zh active Active
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