CN208140851U - 一种半导体元件加速老化测试装置 - Google Patents

一种半导体元件加速老化测试装置 Download PDF

Info

Publication number
CN208140851U
CN208140851U CN201820740033.3U CN201820740033U CN208140851U CN 208140851 U CN208140851 U CN 208140851U CN 201820740033 U CN201820740033 U CN 201820740033U CN 208140851 U CN208140851 U CN 208140851U
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor element
cabinet
electrically connected
interior case
data conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201820740033.3U
Other languages
English (en)
Inventor
刘畅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Modern Enterprise Informatization Application And Support Software Engineering Technology Research And Development Center
Original Assignee
Jiangsu Modern Enterprise Informatization Application And Support Software Engineering Technology Research And Development Center
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Modern Enterprise Informatization Application And Support Software Engineering Technology Research And Development Center filed Critical Jiangsu Modern Enterprise Informatization Application And Support Software Engineering Technology Research And Development Center
Priority to CN201820740033.3U priority Critical patent/CN208140851U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN208140851U publication Critical patent/CN208140851U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种半导体元件加速老化测试装置,通过设置内箱,并在内箱内设置半导体元件,然后再设置加热板,能够通过加热板增加内箱内的温度,从而使半导体元件所在的环境内的温度得到改变,能够使半导体元件老化,然后再通过电压表和电流表检测半导体元件两侧的电压和通过半导体元件的电流,能够测试出半导体元件老化后的效果;然后再设置雾化罐和风机,能够通过风机将雾化罐内的雾气导向内箱,从而使内箱内的湿度得到增加,进而提高半导体元件所在环境的湿度,然后再通过电压表和电流表检测半导体元件两侧的电压和通过半导体元件的电流,能够测试出半导体元件老化后的效果。

Description

一种半导体元件加速老化测试装置
技术领域
本实用新型涉及一种测试装置,具体涉及一种半导体元件加速老化测试装置。
背景技术
可靠性测试,其定义为检测产品在规定条件下,完成规定功能所能保持的时间长短,时间越长可靠性越高。可靠性测试起源于冷战时期的太空国防军备工业,随着冷战的结束,可靠性测试的应用领域,由太空国防逐步扩展到一般民用产业,工业自动化产品,科学仪器,医疗器材,汽车工业,现代商业应用产品。尤其是工业自动化产品,通讯网路,发展神速,功能复杂多变,发生失效的机会增多,使用时间加长,对可靠性提出了进一步的要求。
随着电子技术的飞速发展。半导体元器件作为组成各种电子电路的核心元件,不断应用于各种严酷恶劣的环境。以往生产商以ICE标准测试检验半导体元件的可靠性,但由于测试时间长(>1000Hrs)和无法对元件电气特性的跟踪监控限制,需要一种加大应力,模拟更为严酷的条件来缩短测试周期和即时的电气特性跟踪监控的方法。
对电子产品的可靠性检验,分析和使用中的保障,无一不考虑环境对产品影响。其中最主要和直观指标就是温湿度的变化,湿度对电子器件会产生巨大的应力,根据大数据完全统计半导体元件主要的失效是由于湿度引起的,约占40%的不良是湿度引起。模拟环境的湿度变化,测试产品对这些应力造成的效应,检测产品生产设计中缺陷,及时采取防护和预防措施。以往半导体厂商依据ICE标准(85%rh相对湿度85℃热环境)对半导体元件进行长时间(>1000hrs)静态老化,使其失效周期加速显现。之后通过加电测量其伏安特性,评定元件在高湿高湿环境下的使用寿命指标。
随着半导体光伏行业的需求增长,各大半导体厂商对ICE标准的湿度老化的评估标准越来越不满足。其超长的实验周期,不支持表面贴装工艺,对整个实验过程中元件电气性的检测。决定了ICE无论从生产性还是新工艺的兼容,甚至产品在使用寿命内的稳定性判定,都无法继续支持了。
因而,需要一种能够检测在不同环境下,老化程度不同时半导体元件的使用情况。
发明内容
本实用新型提供一种半导体元件加速老化测试装置,解决了背景技术中的问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:
本实用新型一种半导体元件加速老化测试装置,包括箱体,所述箱体的内部设置有内箱,所述内箱内设置有安装座,所述安装座上安装有半导体元件,所述内箱的内壁上安装有温度传感器和湿度传感器,所述内箱内还安装有加热板,所述内箱和箱体的一侧均开设有通孔,该通孔内穿入有输入管,所述输入管的进口端连接有雾化罐,该雾化罐的出口端安装有电磁阀,所述输入管的出口端内安装有风机,所述箱体内安装有电压表、定值电阻和电流表,所述电压表的正负极均通过数据导线电连接半导体元件的正负极,所述定值电阻和电流表通过数据导线电连接后再通过数据导线电连接半导体元件,所述箱体内还安装有控制盒,所述控制盒内设置有控制装置,该控制装置包括PLC控制器、与PLC控制器电连接的A/D转换器和继电器,该A/D转换器通过数据导线电连接温度传感器和湿度传感器,该继电器通过数据导线电连接风机、加热板和电磁阀,所述箱体外连接有电源插头,所述电源插头通过数据导线分别电连接电流表、加热板、温度传感器、湿度传感器、风机和控制装置。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述箱体和内箱前均连接有活动门。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述箱体的活动门外安装有显示器,所述显示器通过数据导线电连接控制装置。
作为本实用新型的一种优选技术方案,两个活动门上均设置有把手。
本实用新型所达到的有益效果是:通过设置内箱,并在内箱内设置半导体元件,然后再设置加热板,能够通过加热板增加内箱内的温度,从而使半导体元件所在的环境内的温度得到改变,能够使半导体元件老化,然后再通过电压表和电流表检测半导体元件两侧的电压和通过半导体元件的电流,能够测试出半导体元件老化后的效果;然后再设置雾化罐和风机,能够通过风机将雾化罐内的雾气导向内箱,能够通过提高半导体元件所在环境的湿度,然后再通过电压表和电流表检测半导体元件两侧的电压和通过半导体元件的电流,能够测试出半导体元件老化后的效果。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。
在附图中:
图1是本实用新型一种半导体元件加速老化测试装置的整体结构图;
图2是本实用新型一种半导体元件加速老化测试装置的主视图;
图中:1、箱体;2、内箱;3、安装座;4、半导体元件;5、加热板;6、温度传感器;7、湿度传感器;8、输入管;9、雾化罐;10、风机;11、电压表;12、定值电阻;13、电流表;14、电源插头;15、控制盒;16、显示器。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例:如图1-2所示,本实用新型一种半导体元件加速老化测试装置,包括箱体1,所述箱体1的内部设置有内箱2,所述内箱2内设置有安装座3,所述安装座3上安装有半导体元件4,能够通过改变半导体元件4所在环境的湿度和温度,然后再检测半导体元件4的使用效果,进而能够得到半导体元件4的测试效果;所述内箱2的内壁上安装有温度传感器6和湿度传感器7,通过温度传感器6能够检测内箱2内的温度,通过湿度传感器7能够检测内箱2内的湿度,进而再通过显示器16显示出来,方便人们观看;所述内箱2内还安装有加热板5,通过加热板5加热,能够改变内箱2内的温度;所述内箱2和箱体1的一侧均开设有通孔,该通孔内穿入有输入管8,所述输入管8的进口端连接有雾化罐9,通过雾化罐9向内箱2内喷雾,能够改变内箱2内的湿度;该雾化罐9的出口端安装有电磁阀,所述输入管8的出口端内安装有风机10,所述箱体1内安装有电压表11、定值电阻12和电流表13,所述电压表11的正负极均通过数据导线电连接半导体元件4的正负极,所述定值电阻12和电流表13通过数据导线电连接后再通过数据导线电连接半导体元件4,所述箱体1内还安装有控制盒15,所述控制盒15内设置有控制装置,该控制装置包括PLC控制器、与PLC控制器电连接的A/D转换器和继电器,该A/D转换器通过数据导线电连接温度传感器6和湿度传感器7,该继电器通过数据导线电连接风机10、加热板5和电磁阀,所述箱体1外连接有电源插头14,所述电源插头14通过数据导线分别电连接电流表13、加热板5、温度传感器6、湿度传感器7、风机10和控制装置。
所述箱体1和内箱2前均连接有活动门。
所述箱体1的活动门外安装有显示器16,所述显示器16通过数据导线电连接控制装置。
两个活动门上均设置有把手。
该种半导体元件加速老化测试装置,通过设置内箱2,并在内箱2内设置半导体元件4,然后再设置加热板5,能够通过加热板5增加内箱2内的温度,从而使半导体元件4所在的环境内的温度得到改变,能够使半导体元件4老化,然后再通过电压表11和电流表13检测半导体元件4两侧的电压和通过半导体元件4的电流,能够测试出半导体元件4老化后的效果;然后再设置雾化罐9和风机10,能够通过风机10将雾化罐9内的雾气导向内箱2,能够通过提高半导体元件4所在环境的湿度,然后再通过电压表11和电流表13检测半导体元件4两侧的电压和通过半导体元件4的电流,能够测试出半导体元件4老化后的效果。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种半导体元件加速老化测试装置,包括箱体(1),其特征在于,所述箱体(1)的内部设置有内箱(2),所述内箱(2)内设置有安装座(3),所述安装座(3)上安装有半导体元件(4),所述内箱(2)的内壁上安装有温度传感器(6)和湿度传感器(7),所述内箱(2)内还安装有加热板(5),所述内箱(2)和箱体(1)的一侧均开设有通孔,该通孔内穿入有输入管(8),所述输入管(8)的进口端连接有雾化罐(9),该雾化罐(9)的出口端安装有电磁阀,所述输入管(8)的出口端内安装有风机(10),所述箱体(1)内安装有电压表(11)、定值电阻(12)和电流表(13),所述电压表(11)的正负极均通过数据导线电连接半导体元件(4)的正负极,所述定值电阻(12)和电流表(13)通过数据导线电连接后再通过数据导线电连接半导体元件(4),所述箱体(1)内还安装有控制盒(15),所述控制盒(15)内设置有控制装置,该控制装置包括PLC控制器、与PLC控制器电连接的A/D转换器和继电器,该A/D转换器通过数据导线电连接温度传感器(6)和湿度传感器(7),该继电器通过数据导线电连接风机(10)、加热板(5)和电磁阀,所述箱体(1)外连接有电源插头(14),所述电源插头(14)通过数据导线分别电连接电流表(13)、加热板(5)、温度传感器(6)、湿度传感器(7)、风机(10)和控制装置。
2.根据权利要求1所述的一种半导体元件加速老化测试装置,其特征在于,所述箱体(1)和内箱(2)前均连接有活动门。
3.根据权利要求2所述的一种半导体元件加速老化测试装置,其特征在于,所述箱体(1)的活动门外安装有显示器(16),所述显示器(16)通过数据导线电连接控制装置。
4.根据权利要求1所述的一种半导体元件加速老化测试装置,其特征在于,两个活动门上均设置有把手。
CN201820740033.3U 2018-05-18 2018-05-18 一种半导体元件加速老化测试装置 Expired - Fee Related CN208140851U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201820740033.3U CN208140851U (zh) 2018-05-18 2018-05-18 一种半导体元件加速老化测试装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201820740033.3U CN208140851U (zh) 2018-05-18 2018-05-18 一种半导体元件加速老化测试装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN208140851U true CN208140851U (zh) 2018-11-23

Family

ID=64313826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201820740033.3U Expired - Fee Related CN208140851U (zh) 2018-05-18 2018-05-18 一种半导体元件加速老化测试装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN208140851U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115128437A (zh) * 2022-08-29 2022-09-30 成都爱旗科技有限公司 一种高温老化测试系统及高温老化测试方法
CN116068327A (zh) * 2023-03-31 2023-05-05 深圳市鼎泰佳创科技有限公司 基于电性能检测的老化控制柜测试装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115128437A (zh) * 2022-08-29 2022-09-30 成都爱旗科技有限公司 一种高温老化测试系统及高温老化测试方法
CN116068327A (zh) * 2023-03-31 2023-05-05 深圳市鼎泰佳创科技有限公司 基于电性能检测的老化控制柜测试装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102360047B (zh) 一种高温老化测试仪及其恒温控制方法
CN208140851U (zh) 一种半导体元件加速老化测试装置
CN103954847A (zh) 一种油纸复合绝缘频域介电谱及电导率测试的试验装置
CN109557439A (zh) 油纸绝缘缺陷套管运行工况模拟装置
CN106656037B (zh) 光伏组件焊接质量测量装置及使用该装置进行质量检测的方法
CN201348654Y (zh) 锂电池保护线路板测试仪
CN201072597Y (zh) 用于航空电子飞行仪表的自动检测仪
CN102043119A (zh) 崩应测试方法
CN102967809A (zh) 漆包线耐电晕测试装置及测试方法
CN102540063A (zh) 一种交流继电器测试装置及其测试方法
CN106443430A (zh) 一种开关寿命自检测预警方法及相应的开关
CN112415344A (zh) 一种可调节的gis局部放电综合缺陷模拟装置
CN103713627A (zh) 一种功能节点测试系统
Pikkarainen et al. Interference of touch dimmer lamps due to PLC and other high frequency signals
CN109142995B (zh) 一种基于介电响应法的油纸绝缘介电测试仪及方法
CN104808041A (zh) 一种氮氧传感器芯片泵电流的测试方法及装置
CN108760090B (zh) 模拟环境温度测试装置
CN106768200A (zh) 一种液位传感器性能检测装置及检测方法
CN114002561A (zh) 一种变压器母线铜排绝缘套管检测装置及检测方法
CN207396635U (zh) 配电终端可靠性测试设备
CN206321760U (zh) 继电器测试装置
CN208999517U (zh) 一种dcs机柜保险丝测试装置
CN204882853U (zh) 电能表耐压试验装置
CN106442634A (zh) 基于同轴测试装置的场敏感型电磁脉冲防护材料测试方法
CN201583598U (zh) 一种高压定子线圈绝缘介损测试箱

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20181123