CN208076605U - 一种电磁离合控制器的电流采样电路 - Google Patents

一种电磁离合控制器的电流采样电路 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开了一种电磁离合控制器的电流采样电路。所述电磁离合控制器的电流采样电路包括：预驱模块、开关电路、续流电路和电流采样电路；预驱模块，用于控制开关电路中MOSFET管的开通和关断；开关电路，用于调整电磁离合控制器中负载线圈的电流大小；续流电路，用于消耗负载线圈上的残余能量；电流采样电路，用于计算负载线圈端的电流值。本实用新型能够采集电磁离合控制器线圈端任何时刻的真实电流，使得电磁离合控制器可以采用电流闭环的控制方式，保证控制器能灵活、迅速的吸合、脱开档位，提高驾驶与乘坐体验。

Description

一种电磁离合控制器的电流采样电路
技术领域
本实用新型涉及电磁离合控制器电流采集控制技术领域，特别涉及一种电磁离合控制器的电路采样电路。
背景技术
在汽车动力等领域，控制器作为整车动力系统的核心部件，对于系统的可靠性要求极高。随着时代的发展，人们越来越追求整车的驾驶与乘坐体验，若想做到换挡的灵活平顺，则要求控制器对电流控制的准确性很高，因此，准确的负载线圈的电流反馈显得尤为重要。
实用新型内容
本实用新型提供了一种电磁离合控制器的电路采样电路，以准确采集负载线圈在驱动时刻和续流时刻的电流有效值。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
本实用新型的提供的电磁离合器电路采样电路，包括：预驱模块、开关电路、续流电路和电流采样电路；
预驱模块，用于控制开关电路中MOSFET管的开通和关断；
开关电路，用于调整电磁离合器中负载线圈的电流大小；
续流电路，用于消耗负载线圈上的残余能量；
电流采样电路，用于计算负载线圈端的电流值。
优选地，预驱模块包括：预驱芯片U1、第一二极管D1和第三电容C3；预驱芯片U1的输入端接收PWM信号，预驱芯片U1的电源端连接第一电源并串联第一二极管D1后连接到驱动电压输出端VB，第三电容C3串联连接在驱动电压输出端VB和驱动参考地端VS。
优选地，开关电路包括：第一电阻R1、第二电阻R2、MOSFET管Q1；预驱芯片U1的控制端HO顺次连接第一电阻R1、第二电阻R2后连接到MOSFET管Q1的栅极，MOSFET管Q1的漏极连接第二电源，MOSFET管Q1的源极连接负载线圈。
优选地，开关电路还包括：第一电容C1，第一电容C1连接在第二电源与地之间。
优选地，续流电路包括：第二二极管D2，第三电阻R3；负载线圈串联第三电阻R3并且与第二二极管D2并联后连接所述预驱芯片U1的驱动参考地端VS。
优选地，第一电源为15V。
优选地，第二电源为24V。
本实用新型的有益效果是：本实用新型的电磁离合控制器的电流采样电路，能够采集电磁离合控制器线圈端任何时刻的真实电流，使得电磁离合控制器可以采用电流闭环的控制方式，保证控制器能灵活、迅速的吸合、脱开档位，提高驾驶与乘坐体验。
附图说明
图1为本实用新型的提供的电磁离合控制器的电流采样电路的结构框图；
图2为本实用新型的提供的电磁离合控制器的电流采样电路的电路示意图；
图3为本实用新型的提供的负载线圈的驱动时刻的电流方向示意图；
图4为本实用新型的提供的负载线圈的续流时刻的电流方向示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
参考图4所示，常规的电流检测方案中只能检测到PWM(Pulse Width Modulation，脉冲宽度调整)在高电平驱动时刻的线圈电流，本申请不仅可以采集到负载线圈在驱动时刻的电流，还可以采集到负载线圈在续流时刻的电流，也即本申请采集到的电流是电磁离合控制器线圈端任何时刻的真实电流。由于负载线圈工作时会自发热，发热以后负载线圈的阻抗会变大，如果PWM以同样占空比的电压进行电流控制，负载线圈电流就会偏小，非常容易造成变速箱脱档问题。
本申请基于上述情况，本申请的电磁离合控制器采用电流闭环的控制方式，以保证控制器能灵活、迅速的吸合、脱开档位，而电流闭环首先要保证能采集到负载线圈实际输出的准确电流，所以本申请的电流采样电路拓扑结构非常有必要。
图1为本实用新型实施例提供的电磁离合控制器的电流采样电路的结构框图，如图1所示，本实施例的电磁离合控制器的电流采样电路，包括：预驱模块、开关电路、续流电路和电流采样电路；其中，
预驱模块，用于控制开关电路中MOSFET管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金氧半场效晶体管)的开通和关断；
开关电路，用于调整电磁离合控制器中负载线圈的电流大小；
续流电路，用于消耗该负载线圈上的残余能量；
电流采样电路，用于计算该负载线圈端的电流值。
本实施例的电流采样电路采用高边预驱，控制MOSFET管的导通和断开，通过PWM控制方式实现输出目标电流。
参考图2所示，本实施例的预驱模块包括：预驱芯片U1、第一二极管D1和第三电容C3；其中，预驱芯片U1的输入端2接收PWM信号，预驱芯片U1的电源端1连接第一电源并串联第一二极管D1后连接到驱动电压输出端VB，第三电容C3串联连接在驱动电压输出端VB 8和驱动参考地端VS 6。
开关电路包括：第一电阻R1、第二电阻R2、MOSFET管Q1；预驱芯片U1的控制端HO 7顺次连接第一电阻R1、第二电阻R2后连接到MOSFET管Q1的栅极1，MOSFET管Q1的漏极2连接第二电源，MOSFET管Q1的源极3连接负载线圈。如图2所示，开关电路还包括：第一电容C1，第一电容C1连接在第二电源与GND地之间，本实施例的第一电容C1为去耦电容。
续流电路包括：第二二极管D2，第三电阻R3；负载线圈串联第三电阻R3并且与第二二极管D2并联后连接预驱芯片U1的驱动参考地端VS 6。如图2所示，Load coil与第三电阻R3的串联线路的一端与第二二极管D2并联后接GND地，Load coil与第三电阻R3的串联线路的另一端与第二二极管D2并联后连接预驱芯片U1的驱动参考地端VS 6。其中，第一电源为15V，第二电源为24V，第二二极管D2为续流二极管。
可以理解的是：本实施例为对负载线圈的电流进行准确采集，为每个负载线圈设计本申请的上述的电流采样电路。
需要说明的是，本实施例附图2～4中的Load_coil为本申请实施例的负载线圈。
本实施例中的预驱芯片U1为利用现有技术集成的具有本申请实施例功能的集成电路或集成芯片。示例性的，本实施例的预驱芯片U1集成有电荷泵。电荷泵的基本原理是电容的充电和放电采用不同的连接方式，如并联充电、串联放电，串联充电、并联放电等，以实现升压、降压、负压等电压转换功能。
本实施例采用完整的采样电流回路方式，对负载线圈的电流进行精确采集。当系统上电时，第一电源和第二电源工作，第三电容C3瞬间被充满电，预驱电路开始工作。本申请采集负载线圈在续流时刻和驱动时刻的电流有效值的方法如下：
负载线圈在续流时刻的电流为I2：
如图3所示，当PWM输入为高电平时，预驱芯片U1的控制端HO 7与驱动电压输出端VB 8内部MOSFET管Q1导通，控制端HO 7输出为高电平，然后MOSFET管Q1的Vgs≈15V，达到MOSFET管的导通条件，MOSFET管的漏极2和源极3导通，此时预驱芯片U1的驱动参考地端VS6对地电压为24V，预驱芯片U1的驱动电压输出端VB 8对地电压为24V+15V，能保证Vgs的电压仍为15V，可以稳定的开通MOSFET管，此时电流回路为：电流从第二电源24V+流经MOSFET管Q1到负载线圈，通过第三电阻R3进行电流采样，再经过外围的放大电路可以计算出此时负载线圈端的电流值I2。
负载线圈在驱动时刻的电流为I1：
如图4所示，当PWM输入为低电平时，预驱芯片U1的控制端HO 7与驱动电压输出端VB 8内部MOSFET管关断，控制端HO 7输出为低电平，MOSFET管Q1的Vgs＝0V，达到MOSFET管Q1的关断条件，MOSFET管Q1的漏极2和源极3关断，此时第二电源24V+不再为负载线圈提供电流。由于负载线圈为感性负载，两端的电流不能突变，会保持原来的电流方向工作，电流将经过第二二极管D2，流经第三电阻R3完成续流回路，第三电阻R3上的分压在经过外围的放大电路可以计算出此时负载线圈端的电流值I1。
综上，本申请实施例提供了一种电磁离合控制器的电流采样电路，采集电磁离合控制器线圈端任何时刻的真实电流，使得电磁离合控制器可以采用电流闭环的控制方式，保证控制器能灵活、迅速的吸合、脱开档位。
为了便于清楚描述本实用新型实施例的技术方案，在实用新型的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，在本实用新型的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行其他的改进或变形。本领域技术人员应该明白，上述的具体描述只是更好的解释本实用新型的目的，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种电磁离合控制器的电流采样电路，其特征在于，包括：预驱模块、开关电路、续流电路和电流采样电路；
预驱模块，用于控制开关电路中MOSFET管的开通和关断；
开关电路，用于调整电磁离合控制器中负载线圈的电流大小；
续流电路，用于消耗所述负载线圈上的残余能量；
电流采样电路，用于计算所述负载线圈端的电流值。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述预驱模块包括：预驱芯片U1、第一二极管D1和第三电容C3；
所述预驱芯片U1的输入端接收脉冲宽度调制PWM信号，所述预驱芯片U1的电源端连接第一电源并串联第一二极管D1后连接到驱动电压输出端VB，所述第三电容C3串联连接在驱动电压输出端VB和驱动参考地端VS。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关电路包括：第一电阻R1、第二电阻R2、MOSFET管Q1；
所述预驱芯片U1的控制端HO顺次连接第一电阻R1、第二电阻R2后连接到所述MOSFET管Q1的栅极，所述MOSFET管Q1的漏极连接第二电源，所述MOSFET管Q1的源极连接所述负载线圈。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述开关电路还包括：第一电容C1，所述第一电容C1连接在第二电源与地之间。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述续流电路包括：第二二极管D2，第三电阻R3；
所述负载线圈串联第三电阻R3并且与第二二极管D2并联后连接所述预驱芯片U1的驱动参考地端VS。
6.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一电源为15V。
7.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第二电源为24V。
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