CN208043882U - 一种磁场发生器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种磁场发生器，包括CPU处理器及与CPU处理器通过I/O接口连接的温度传感器、与CPU处理器通过另一个I/O接口连接的磁场传感器、与CPU处理器输出端连接的闭环控制器和矢量控制器、与CPU处理器输入端连接的闭环控制器，所述温度传感器的输入端电路连接有电热偶装置；所述磁场传感器的输入端电路连接有场强探测器；与CPU处理器输入端连接的闭环控制器的输入端电路连接有输出模块。当工场温度到达1000℃时，磁场发生器开始起动发出1500W‑3000W/24V的直流电压，并随温度增减，做5‑10W/℃等比变化，在等比螺线管中产生5‑15高斯的均匀磁场。磁场发生器的CPU处理器，可编程控制，使得磁场的起动、终止、强弱变化更加智能化。

Description

一种磁场发生器

技术领域

本实用新型涉及磁场发生器。

背景技术

磁场发生器是对电气和电子产品的工频磁场抗扰度试验的特点和要求而专门设计的全智能化高可靠性测试仪器。它可以模拟住宅、商业区，工矿企业和发电厂，以及中、高变电所的磁场环境。

在工场环境中，工场温度过高会发生一系列事故，尤其是温度超过1000度时，各设备的承受能力会达到警戒值，因此，需要做出相应的控制。

实用新型内容

针对现有技术中的不足，本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种磁场发生器。

为解决上述技术问题，本实用新型通过以下方案来实现：一种磁场发生器，包括CPU处理器，

及与CPU处理器：

通过I/O接口连接的温度传感器，所述温度传感器的输入端电路连接有电热偶装置；

通过另一个I/O接口连接的磁场传感器，所述磁场传感器的输入端电路连接有场强探测器；

输出端连接的闭环控制器、矢量控制器；

输入端连接的闭环控制器，该闭环控制器的输入端电路连接有输出模块，所述输出模块的输入端电路连接所述矢量控制器，所述矢量控制器的输入端还电路连接有滤波储能模块，所述滤波储能模块的输入端电路连接有稳压电路，所述稳压电路的输入端电路连接有整流电路，所述整流电路接入220V市电。

进一步的，所述输出模块的输出端还连接有3组恒流源。

进一步的，所述整流电路为桥式整流电路，其输出端的电路稳压电路，且其负极端连接有一条负极主线；

所述稳压电路包括一JK稳压器，其正极端连接电容C1、电容C2及一可调电路，其负极端连接有按压式开关，按压式开关的另一端依次连接电阻R5、单向晶闸管D4，所述单向晶闸管D4的正极端分出两个连接线，分别连接桥式整流电路的负极、一电容的一端及电阻R36、电阻R37之间的电路节点上。

进一步的，所述可调电路设有三个接触部，其中一接触部为与JK稳压器正极端连接的第一接触，该第一接触设有拨叉，朝上的第二接触部电路连接有并联的LM320显示屏、二极管D2的正极、NPN型三极管Q1的集电极，朝下的第一接触部连接电阻R9，电阻R9的另一端连接发光二极管LED1，所述发光二极管LED1的正极连接负极主线；

所述LM320显示屏与二极管D2的负极连接、与NPN型三极管Q1的基极连接、与电容C3连接，电容C3另一端连接负极主线，NPN型三极管Q1的发射极连接有低功耗单运算放大器LM321、二极管D21的正极、电容C4的一端，电容C4的另一端连接负极主线；

所述低功耗单运算放大器LM321的输出端分别连接有滤波器正极、电阻R35、电容C7、电阻R8、电阻R39、NPN型三极管Q4、NPN型三极管Q5，其零线端连接电阻R3、电阻R4之间的电路节点上，还连接一可调电阻KP2，所述电阻R35的另一端、电容C7的另一端电路连接负极主线；

所述电阻R4的另一端连接可调电阻KP2的另一端、1二极管的负极端、滤波器负极、电阻R7，电阻R7的另一端连接负极主线，该二极管的正极连接在滤波器上；

所述滤波器的侧接触部电路连接NPN型三极管Q1的发射极，其另一侧接触部电路连接电容C5，电容C5的另一端连接负极主线。

进一步的，所述电阻R8的另一端连接二极管D8的负极，二极管D8的正极端电路连接负极主线；

所述电阻R39的另一端连接NPN型三极管Q2的集电极，所述NPN型三极管Q2的发射极连接负极主线，其基极连接电阻R10、负极主线、PNP型三极管Q3的集电极，所述电阻R10的另一端连接可调电阻P5的可调部，所述PNP型三极管Q3的基极连接可调电阻P4的可调部，其发射极连接NPN型三极管Q4的发射极、电阻R13、NPN型三极管Q5的基极，所述可调电阻P4的一端连接电阻R13的另一端，其另一端连接可调电阻P5的一端、正极输出端，可调电阻P5的另一端连接负极主线；

所述NPN型三极管Q4的基极连接电阻R33和电阻R34之间电路的节点上，电阻R33另一端连接CPU处理器，电阻R34的另一端接地；

所述NPN型三极管Q5的发射极连接可变电阻R14，所述可变电阻R14的另一端连接有极性电容C8的正极，所述有极性电容C8的负极连接负极主线。

进一步的，所述CPU处理器的IC芯片规格为IX0365M。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果是：当工场温度到达1000℃时，磁场发生器开始起动发出1500W-3000W/24V的直流电压，并随温度增减，做5-10W/℃等比变化，在等比螺线管中产生5-15高斯的均匀磁场。磁场发生器的CPU处理器，可编程控制，使得磁场的起动、终止、强弱变化更加智能化。

附图说明

图1为本实用新型磁场发生器电路原理图；

图2为本实用新型磁场发生器电路图；

图3为图2的A区放大图；

图4为图2的B区放大图；

图5为图2的C区放大图；

图6为图2的D区放大图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参照附图1-6，本实用新型的一种磁场发生器，包括CPU处理器，

及与CPU处理器：

通过I/O接口连接的温度传感器，所述温度传感器的输入端电路连接有电热偶装置；

通过另一个I/O接口连接的磁场传感器，所述磁场传感器的输入端电路连接有场强探测器；

输出端连接的闭环控制器、矢量控制器；

输入端连接的闭环控制器，该闭环控制器的输入端电路连接有输出模块，所述输出模块的输入端电路连接所述矢量控制器，所述矢量控制器的输入端还电路连接有滤波储能模块，所述滤波储能模块的输入端电路连接有稳压电路，所述稳压电路的输入端电路连接有整流电路，所述整流电路接入220V市电。

优选方案，所述输出模块的输出端还连接有3组恒流源。

优选方案，所述整流电路为桥式整流电路，其输出端的电路稳压电路，且其负极端连接有一条负极主线；

所述稳压电路包括一JK稳压器，其正极端连接电容C1、电容C2及一可调电路，其负极端连接有按压式开关，按压式开关的另一端依次连接电阻R5、单向晶闸管D4，所述单向晶闸管D4的正极端分出两个连接线，分别连接桥式整流电路的负极、一电容的一端及电阻R36、电阻R37之间的电路节点上。

优选方案，所述可调电路设有三个接触部，其中一接触部为与JK稳压器正极端连接的第一接触，该第一接触设有拨叉，朝上的第二接触部电路连接有并联的LM320显示屏、二极管D2的正极、NPN型三极管Q1的集电极，朝下的第一接触部连接电阻R9，电阻R9的另一端连接发光二极管LED1，所述发光二极管LED1的正极连接负极主线；

所述LM320显示屏与二极管D2的负极连接、与NPN型三极管Q1的基极连接、与电容C3连接，电容C3另一端连接负极主线，NPN型三极管Q1的发射极连接有低功耗单运算放大器LM321、二极管D21的正极、电容C4的一端，电容C4的另一端连接负极主线；

所述低功耗单运算放大器LM321的输出端分别连接有滤波器正极、电阻R35、电容C7、电阻R8、电阻R39、NPN型三极管Q4、NPN型三极管Q5，其零线端连接电阻R3、电阻R4之间的电路节点上，还连接一可调电阻KP2，所述电阻R35的另一端、电容C7的另一端电路连接负极主线；

所述电阻R4的另一端连接可调电阻KP2的另一端、1二极管的负极端、滤波器负极、电阻R7，电阻R7的另一端连接负极主线，该二极管的正极连接在滤波器上；

所述滤波器的侧接触部电路连接NPN型三极管Q1的发射极，其另一侧接触部电路连接电容C5，电容C5的另一端连接负极主线。

优选方案，所述电阻R8的另一端连接二极管D8的负极，二极管D8的正极端电路连接负极主线；

所述电阻R39的另一端连接NPN型三极管Q2的集电极，所述NPN型三极管Q2的发射极连接负极主线，其基极连接电阻R10、负极主线、PNP型三极管Q3的集电极，所述电阻R10的另一端连接可调电阻P5的可调部，所述PNP型三极管Q3的基极连接可调电阻P4的可调部，其发射极连接NPN型三极管Q4的发射极、电阻R13、NPN型三极管Q5的基极，所述可调电阻P4的一端连接电阻R13的另一端，其另一端连接可调电阻P5的一端、正极输出端，可调电阻P5的另一端连接负极主线；

所述NPN型三极管Q4的基极连接电阻R33和电阻R34之间电路的节点上，电阻R33另一端连接CPU处理器，电阻R34的另一端接地；

所述NPN型三极管Q5的发射极连接可变电阻R14，所述可变电阻R14的另一端连接有极性电容C8的正极，所述有极性电容C8的负极连接负极主线。

优选方案，所述CPU处理器的IC芯片规格为IX0365M。

通过以上电路的控制，当工场温度到达1000℃时，磁场发生器开始起动发出1500W-3000W/24V的直流电压，并随温度增减，做5-10W/℃等比变化，在等比螺线管中产生5-15高斯的均匀磁场。磁场发生器的CPU处理器，可编程控制，使得磁场的起动、终止、强弱变化更加智能化。

以上所述仅为本实用新型的优选实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种磁场发生器，其特征在于，包括CPU处理器，

及与CPU处理器：

通过I/O接口连接的温度传感器，所述温度传感器的输入端电路连接有电热偶装置；

通过另一个I/O接口连接的磁场传感器，所述磁场传感器的输入端电路连接有场强探测器；

输出端连接的闭环控制器、矢量控制器；

输入端连接的闭环控制器，该闭环控制器的输入端电路连接有输出模块，所述输出模块的输入端电路连接所述矢量控制器，所述矢量控制器的输入端还电路连接有滤波储能模块，所述滤波储能模块的输入端电路连接有稳压电路，所述稳压电路的输入端电路连接有整流电路，所述整流电路接入220V市电。

2.根据权利要求1所述的一种磁场发生器，其特征在于：所述输出模块的输出端还连接有3组恒流源。

3.根据权利要求1所述的一种磁场发生器，其特征在于：所述整流电路为桥式整流电路，其输出端的电路稳压电路，且其负极端连接有一条负极主线；

所述稳压电路包括一JK稳压器，其正极端连接电容C1、电容C2及一可调电路，其负极端连接有按压式开关，按压式开关的另一端依次连接电阻R5、单向晶闸管D4，所述单向晶闸管D4的正极端分出两个连接线，分别连接桥式整流电路的负极、一电容的一端及电阻R36、电阻R37之间的电路节点上。

4.根据权利要求3所述的一种磁场发生器，其特征在于：所述可调电路设有三个接触部，其中一接触部为与JK稳压器正极端连接的第一接触，该第一接触设有拨叉，朝上的第二接触部电路连接有并联的LM320显示屏、二极管D2的正极、NPN型三极管Q1的集电极，朝下的第一接触部连接电阻R9，电阻R9的另一端连接发光二极管LED1，所述发光二极管LED1的正极连接负极主线；

所述LM320显示屏与二极管D2的负极连接、与NPN型三极管Q1的基极连接、与电容C3连接，电容C3另一端连接负极主线，NPN型三极管Q1的发射极连接有低功耗单运算放大器LM321、二极管D21的正极、电容C4的一端，电容C4的另一端连接负极主线；

所述低功耗单运算放大器LM321的输出端分别连接有滤波器正极、电阻R35、电容C7、电阻R8、电阻R39、NPN型三极管Q4、NPN型三极管Q5，其零线端连接电阻R3、电阻R4之间的电路节点上，还连接一可调电阻KP2，所述电阻R35的另一端、电容C7的另一端电路连接负极主线；

所述电阻R4的另一端连接可调电阻KP2的另一端、1二极管的负极端、滤波器负极、电阻R7，电阻R7的另一端连接负极主线，该二极管的正极连接在滤波器上；

所述滤波器的侧接触部电路连接NPN型三极管Q1的发射极，其另一侧接触部电路连接电容C5，电容C5的另一端连接负极主线。

5.根据权利要求4所述的一种磁场发生器，其特征在于：所述电阻R8的另一端连接二极管D8的负极，二极管D8的正极端电路连接负极主线；

所述电阻R39的另一端连接NPN型三极管Q2的集电极，所述NPN型三极管Q2的发射极连接负极主线，其基极连接电阻R10、负极主线、PNP型三极管Q3的集电极，所述电阻R10的另一端连接可调电阻P5的可调部，所述PNP型三极管Q3的基极连接可调电阻P4的可调部，其发射极连接NPN型三极管Q4的发射极、电阻R13、NPN型三极管Q5的基极，所述可调电阻P4的一端连接电阻R13的另一端，其另一端连接可调电阻P5的一端、正极输出端，可调电阻P5的另一端连接负极主线；

所述NPN型三极管Q4的基极连接电阻R33和电阻R34之间电路的节点上，电阻R33另一端连接CPU处理器，电阻R34的另一端接地；

所述NPN型三极管Q5的发射极连接可变电阻R14，所述可变电阻R14的另一端连接有极性电容C8的正极，所述有极性电容C8的负极连接负极主线。

6.根据权利要求1所述的一种磁场发生器，其特征在于：所述CPU处理器的IC芯片规格为IX0365M。