CN207993872U - 一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体表面靠近一端设置有晶体管固定孔，所述晶体管主体的一侧设置有多功能开槽，所述晶体管固定孔的另一端位于晶体管主体的表面设置有基极凹槽，所述基极凹槽的一侧设置有集电极凹槽，所述基极凹槽的另一侧设置有发射极凹槽，将晶体管电机设置为可转动的连接模式，在安装和运输时可将电极放置在设置的凹槽内，在晶体管安装时再将电极拨出，可以防止电极因颠簸或者压碰导致的变形断裂，在晶体管的侧面设置有多个半圆形凹槽，通过凹槽可对晶体管进行固定，在使用晶体管时也可以通过增大表面提高晶体管散热效果，提高晶体管使用性能。

Description

一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管

技术领域

本实用新型属于电子元件技术领域，具体涉及一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管。

背景技术

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能，晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上，严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等，晶体管有时多指晶体三极管，晶体管主要分为两大类：双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。

现有的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，晶体管的电极硬度较低，在安装或者运输时若不注意碰到电机易将电极压弯或者碰断，造成不必要的损失，且晶体管在运输时不便于固定，在使用时晶体管的散热对使用也有影响的问题，为此我们提出一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，以解决上述背景技术中提出的现有的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，晶体管的电极硬度较低，在安装或者运输时若不注意碰到电机易将电极压弯或者碰断，造成不必要的损失，且晶体管在运输时不便于固定，在使用时晶体管的散热对使用也有影响的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体表面靠近一端设置有晶体管固定孔，所述晶体管主体的一侧设置有多功能开槽，所述晶体管固定孔的一端位于晶体管主体的表面设置有基极凹槽，所述基极凹槽的一侧设置有集电极凹槽，所述基极凹槽的另一侧设置有发射极凹槽，所述晶体管主体的表面靠近另一端连接设置有电极转轴，所述集电极凹槽的一端通过电极转轴连接设置有晶体管集电极，所述基极凹槽的一端通过电极转轴连接设置有晶体管基极，所述发射极凹槽的一端通过电极转轴连接设置有晶体管发射极，所述晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极固定连接在电极转轴上。

优选的，所述多功能开槽为半圆型结构，且晶体管主体的两侧均设置有七个多功能开槽。

优选的，所述电极转轴的长度贯穿发射极凹槽、集电极凹槽和基极凹槽。

优选的，所述晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极通过电极转轴转动连接在晶体管主体上。

优选的，所述晶体管主体为矩形结构。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

(1)现有的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，晶体管的电极硬度较低，在安装或者运输时若不注意碰到电机易将电极压弯或者碰断，造成不必要的损失，将晶体管电机设置为可转动的连接模式，在安装和运输时可将电极放置在设置的凹槽内，在晶体管安装时再将电极拨出，可以防止电极因颠簸或者压碰导致的变形断裂；

(2)且晶体管在运输时不便于固定，在使用时晶体管的散热对使用也有影响，在晶体管的侧面设置有多个半圆形凹槽，通过凹槽可对晶体管进行固定，在使用晶体管时也可以通过增大表面提高晶体管散热效果，提高晶体管使用性能。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型电极部分的结构示意图；

图中：1-晶体管主体、2-晶体管固定孔、3-多功能开槽、4-发射极凹槽、 5-晶体管发射极、6-晶体管基极、7-晶体管集电极、8-电极转轴、9-集电极凹槽、10-基极凹槽。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1和图2，本实用新型提供一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管技术方案：一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体1，晶体管主体1表面靠近一端设置有晶体管固定孔2，晶体管主体1的一侧设置有多功能开槽3，晶体管固定孔2的一端位于晶体管主体1的表面设置有基极凹槽10，基极凹槽10的一侧设置有集电极凹槽9，基极凹槽10的另一侧设置有发射极凹槽4，晶体管主体1的表面靠近另一端连接设置有电极转轴8，集电极凹槽9的一端通过电极转轴8连接设置有晶体管集电极7，基极凹槽 10的一端通过电极转轴8连接设置有晶体管基极6，发射极凹槽4的一端通过电极转轴8连接设置有晶体管发射极5，晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7固定连接在电极转轴8上。

为了更好的稳定晶体管和散热，本实施例中，优选的，多功能开槽3为半圆型结构，且晶体管主体1的两侧均设置有七个多功能开槽3。

为了控制晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7能一起运动，本实施例中，优选的，电极转轴8的长度贯穿发射极凹槽4、集电极凹槽9和基极凹槽10。

为了更好的控制晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7开合，本实施例中，优选的，晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7通过电极转轴8转动连接在晶体管主体1上。

为了使晶体管更好的控制电流，本实施例中，优选的，晶体管主体1为矩形结构。

本实用新型的工作原理及使用流程：该晶体管在使用时，因为晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7的硬度较低，在晶体管的运输或者安装时易将晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7压弯或者碰断，将晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7设置为可转动的模式，在不需要使用该原件时可将晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7转动在发射极凹槽4、集电极凹槽9和基极凹槽10内，防止晶体管在运输或者安装时因不注意导致损坏，且在晶体管的侧面设置有多功能开槽3，多功能开槽 3既可以在安装和运输时通过稳定部件稳定，也可以在使用时降低晶体管的温度，提高晶体管的性能。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体(1)，其特征在于：所述晶体管主体(1)表面靠近一端设置有晶体管固定孔(2)，所述晶体管主体(1)的一侧设置有多功能开槽(3)，所述晶体管固定孔(2)的一端位于晶体管主体(1)的表面设置有基极凹槽(10)，所述基极凹槽(10)的一侧设置有集电极凹槽(9)，所述基极凹槽(10)的另一侧设置有发射极凹槽(4)，所述晶体管主体(1)的表面靠近另一端连接设置有电极转轴(8)，所述集电极凹槽(9)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管集电极(7)，所述基极凹槽(10)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管基极(6)，所述发射极凹槽(4)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管发射极(5)，所述晶体管发射极(5)、晶体管基极(6)和晶体管集电极(7)固定连接在电极转轴(8)上。

2.根据权利要求1所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述多功能开槽(3)为半圆型结构，且晶体管主体(1)的两侧均设置有七个多功能开槽(3)。

3.根据权利要求1所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述电极转轴(8)的长度贯穿发射极凹槽(4)、集电极凹槽(9)和基极凹槽(10)。

4.根据权利要求1或3所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管发射极(5)、晶体管基极(6)和晶体管集电极(7)通过电极转轴(8)转动连接在晶体管主体(1)上。

5.根据权利要求1所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管主体(1)为矩形结构。