CN207977453U - 四孔式的三堆叠天线结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种四孔式的三堆叠天线结构,包括:一第一天线、一第二天线及一第三天线;第一天线具有第一基体、第一辐射金属层及接地金属层;第二天线具有第二基体及第二辐射金属层,第二基体堆叠于第一基体上;第三天线具有第三基体及第三辐射金属层,第三基体堆叠于第二基体上,以至少一个馈入组件穿过第三基体、第二基体与第一基体并与第三辐射金属层电性连接,或与第二基体及第三基体的第二辐射金属层及第三辐射金属层耦合或电性连接,馈入组件再穿过第一基体不与接地金属层电性连接,形成具有单一或多个信号馈入可接收不同频率的四孔式的三堆叠天线结构。

Description

四孔式的三堆叠天线结构
技术领域
本实用新型是有关一种天线,尤其是指一种具有接收不同通信系统频率的四孔式的三堆叠天线结构。
背景技术
目前市面上所使用的无线通信系统至少包含有:全球导航卫星系统(GNSS)、专用短程通信技术系统(DSRC)、卫星数字音频无线电业务系统(SDARS)、长期演进技术系统(LTE)、无线网络系统(WLAN/BT)等。而且该全球导航卫星系统中包括全球的、区域的和增强的,例如全球定位系统(Global Positioning System,GPS)、格洛纳斯(GLONASS)是俄语中的全球卫星导航系统(GLOBAL NAVIGATION SATELLITE SYSTEM)的缩写、伽利略定位系统(Galileo)、北斗卫星导航系统,以及相关的增强系统,如WAAS(广域增强系统)、EGNOS(欧洲静地导航重叠系统)和MSAS(多功能运输卫星增强系统)等无线通信系统。这些无线通信系统中,每一个无线通信系统都有连接相匹配的接收天线来接收信号。
近年来科技不断的进步下,将上述的各种无线通信系统整合在一个电子设备(例如汽车的行车计算机)中,使该电子设备不管营销到世界各地,该电子设备都不需重新设计即可启动使用。由于电子设备整合了多种的无线通信系统,相对地该电子设备的电路板上也需要装多支天线,才可接收各种无线通信系统的信号。
虽然,此种整合设计让电子设备较不受使用地方及区域的限制,但是电子设备的电路板上需整合多支天线,且每一个天线都有一特定的尺寸,且分散设立的位置都不尽相同且占据空间,将会导致电路板的面积变大,也使得安装于该电路板的外壳或空间也相对变大,因此也造成整合上的困难。
实用新型内容
因此,本实用新型的主要目的,在于解决传统缺失,本实用新型提供一种将三个天线堆叠在一起形成具有四孔式的三堆叠天线结构,能接收各种无线通信系统的信号,且使堆叠后的三堆叠天线可以轻易与电子设备做整合,使整合设计上更加简单,也不会造成电路板的面积变大。
为达成上述的目的,本实用新型提供一种四孔式的三堆叠天线结构,包括:一第一天线、一第二天线及一第三天线。该第一天线上具有一第一基体,该第一基体的表面具有一第一辐射金属层,该第一基体的底面具有一接地金属层,该第一基体上开设有一第一通孔、一第二通孔、一第三通孔及一第四通孔,该第一通孔、该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔贯通该第一基体、第一辐射金属层及该接地金属层。该第二天线上具有一第二基体,该第二基体配置于该第一基体的第一辐射金属层的表面上;于该第二基体表面上具有一第二辐射金属层,该第二基体上设有贯穿该第二基体及该第二辐射金属层的一第五通孔、一第六通孔及一第七通孔,该第五通孔、该第六通孔及该第七通孔分别对应该第一基体的该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔。该第三天线上具有一第三基体,该第三基体配置于该第二基体的第二辐射金属层的表面上;于该第三基体表面上具有一第三辐射金属层,该第三基体上设有贯穿该第三基体及该第三辐射金属层的一第八通孔,该第八通孔对应该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔;该第三天线还包含有一第一馈入组件,该第一馈入组件穿过该第三基体的第八通孔、该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔至该第一基体的底面外部。其中,在该第一馈入组件穿过该第八通孔时与该第三辐射金属层电性连接,在该第一馈入组件穿过该第二基体时与该第二辐射金属层形成耦合连接,在该第一馈入组件穿过该第三通孔时与该第一基体上的第一辐射金属层形成耦合连接,在该第一馈入组件穿过第一基体底面外部时不与该接地金属层电性连接,以形成单馈入的四孔式的三堆叠天线结构。
为达成上述的目的,本实用新型另提供一种四孔式的三堆叠天线结构,包括:一第一天线、一第二天线及一第三天线。该第一天线上具有一第一基体,该第一基体的表面具有一第一辐射金属层,该第一基体的底面具有一接地金属层,该第一基体上开设有一第一通孔、一第二通孔、一第三通孔及一第四通孔,该第一通孔、该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔贯通该第一基体、第一辐射金属层及该接地金属层。该第二天线上具有一第二基体,该第二基体配置于该第一基体的第一辐射金属层的表面上;于该第二基体表面上具有一第二辐射金属层,该第二基体上设有贯穿该第二基体及该第二辐射金属层的一第五通孔、一第六通孔及一第七通孔,该第五通孔、该第六通孔及该第七通孔分别对应该第一基体的该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔;该第二天线包含有一第二馈入组件,该第二馈入组件穿过该第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔。该第三天线上具有一第三基体,该第三基体配置于该第二基体的第二辐射金属层的表面上;于该第三基体表面上具有一第三辐射金属层,该第三基体上设有贯穿该第三基体及该第三辐射金属层的一第八通孔,该第八通孔对应该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔;该第三天线还包含有一第一馈入组件,该第一馈入组件穿过该第三基体的第八通孔、该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔至该第一基体的底面外部。其中,该第二馈入组件在穿过第二基体的第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔与该第一辐射金属层形成耦合连接,该第一馈入组件穿过该第八通孔时与该第三辐射金属层电性连接,在该第一馈入组件穿过该第二基体时与该第二辐射金属层形成耦合连接,在该第一馈入组件穿过该第三通孔时与该第一基体上的第一辐射金属层形成耦合连接,在该第二馈入组件及该第一馈入组件穿过第一基体底面外部时不与该接地金属层电性连接,以形成双馈入的四孔式的三堆叠天线结构。
为达成上述的目的,本实用新型再提供一种四孔式的三堆叠天线结构,包括:一第一天线、一第二天线及一第三天线。该第一天线上具有一第一基体,该第一基体的表面具有一第一辐射金属层,该第一基体的底面具有一接地金属层,该第一基体上开设有一第一通孔、一第二通孔、一第三通孔及一第四通孔,该第一通孔、该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔贯通该第一基体、第一辐射金属层及该接地金属层;该第一天线包含有一第三馈入组件,该第三馈入组件穿过该第四通孔与该第一辐射金属层电性连接。该第二天线上具有一第二基体,该第二基体配置于该第一基体的第一辐射金属层的表面上;于该第二基体表面上具有一第二辐射金属层,该第二基体上设有贯穿该第二基体及该第二辐射金属层的一第五通孔、一第六通孔及一第七通孔,该第五通孔、该第六通孔及该第七通孔分别对应该第一基体的该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔;该第二天线包含有一第二馈入组件,该第二馈入组件穿过该第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔。该第三天线上具有一第三基体,该第三基体配置于该第二基体的第二辐射金属层的表面上;于该第三基体表面上具有一第三辐射金属层,该第三基体上设有贯穿该第三基体及该第三辐射金属层的一第八通孔,该第八通孔对应该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔;该第三天线还包含有一第一馈入组件,该第一馈入组件穿过该第三基体的第八通孔、该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔至该第一基体的底面外部。其中,该第三馈入组件在穿过第一基体的第四通孔与该第一辐射金属层电性连接,该第二馈入组件在穿过第二基体的第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔与该第一辐射金属层形成耦合连接,该第一馈入组件穿过该第八通孔时与该第三辐射金属层电性连接,在该第一馈入组件穿过该第二基体时与该第二辐射金属层形成耦合连接,在该第一馈入组件穿过该第三通孔时与该第一基体上的第一辐射金属层形成耦合连接,在该第三馈入组件、该第二馈入组件及该第一馈入组件穿过第一基体底面外部时不与该接地金属层电性连接,以形成三馈入的四孔式的三堆叠天线结构。
为达成上述的目的,本实用新型又提供一种四孔式的三堆叠天线结构,包括:一第一天线、一第二天线及一第三天线。该第一天线上具有一第一基体,该第一基体的表面具有一第一辐射金属层,该第一基体的底面具有一接地金属层,该第一基体上开设有一第一通孔、一第二通孔、一第三通孔及一第四通孔,该第一通孔、该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔贯通该第一基体、第一辐射金属层及该接地金属层;该第一天线包含有两个第三馈入组件,该两个第三馈入组件分别穿过该第四通孔及该第一通孔与该第一辐射金属层电性连接。该第二天线上具有一第二基体,该第二基体配置于该第一基体的第一辐射金属层的表面上;于该第二基体表面上具有一第二辐射金属层,该第二基体上设有贯穿该第二基体及该第二辐射金属层的一第五通孔、一第六通孔及一第七通孔,该第五通孔、该第六通孔及该第七通孔分别对应该第一基体的该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔;该第二天线包含有一第二馈入组件,该第二馈入组件穿过该第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔。该第三天线,其上具有一第三基体,该第三基体配置于该第二基体的第二辐射金属层的表面上;于该第三基体表面上具有一第三辐射金属层,该第三基体上设有贯穿该第三基体及该第三辐射金属层的一第八通孔,该第八通孔对应该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔;该第三天线还包含有一第一馈入组件,该第一馈入组件穿过该第三基体的第八通孔、该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔至该第一基体的底面外部。其中,该两个第三馈入组件分别在穿过第一基体的该第一通孔及该第四通孔与该第一辐射金属层电性连接,该第二馈入组件在穿过第二基体的第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔与该第一辐射金属层形成耦合连接,该第一馈入组件穿过该第八通孔时与该第三辐射金属层电性连接,在该第一馈入组件穿过该第二基体时与该第二辐射金属层形成耦合连接,在该第一馈入组件穿过该第三通孔时与该第一基体上的第一辐射金属层形成耦合连接,在该两个第三馈入组件、该第二馈入组件及该第一馈入组件穿过第一基体底面外部时不与该接地金属层电性连接,以形成四馈入的四孔式的三堆叠天线结构。
在本实用新型的一实施例中,该第一馈入组件呈T形状,该第一馈入组件具有一头部,该头部延伸一杆体。
在本实用新型的一实施例中,该第二基体的面积小于该第一辐射金属层的面积,在该第二基体配置于该第一辐射金属层的表面时,使该第一辐射金属层外露。
在本实用新型的一实施例中,该第三基体的面积小于该第二辐射金属层的面积,在该第三基体配置于该第二辐射金属层的表面时,使该第二辐射金属层外露。
在本实用新型的一实施例中,该第一基体、该第二基体及该第三基体为陶瓷介质材料制成的扁形的板状体或块状体。
附图说明
图1为本实用新型的第一实施例的四孔式的三堆叠天线结构分解示意图;
图2为本实用新型的第一实施例的四孔式的三堆叠天线结构组合示意图;
图3为本实用新型的第一实施例的四孔式的三堆叠天线结构仰视示意图;
图4为本实用新型中的第一基体的背面示意图;
图5为本实用新型的第一实施例的四孔式的三堆叠天线结构侧剖视示意图;
图6为本实用新型的第一实施例的四孔式的三堆叠天线结构与电子设备的电路板电性连接示意图;
图7为本实用新型的第二实施例的四孔式的三堆叠天线结构分解示意图;
图8为本实用新型的第三实施例的四孔式的三堆叠天线结构分解示意图;
图9为本实用新型的第四实施例的四孔式的三堆叠天线结构分解示意图。
附图中的符号说明:
10 三堆叠天线;1 第一天线;11 第一基体;12 第一辐射金属层;13 接地金属层;14 第一通孔;15 第二通孔;16 第三通孔;17 第四通孔;18、18a 第三馈入组件;2 第二天线;21 第二基体;22 第二辐射金属层;23 第五通孔;24 第六通孔;25 第七通孔;26 第二馈入组件;3 第三天线;31 第三基体;32 第三辐射金属层;33 第八通孔;34 第一馈入组件;341 头部;342 杆体;20 电路板。
具体实施方式
有关本实用新型的技术内容及详细说明,现在配合图式说明如下:
请参阅图1至4所示,为本实用新型的第一实施例的四孔式的三堆叠天线结构分解、组合、仰视及第一基体的背面示意图。如图所示:本实用新型的四孔式的三堆叠天线结构,包括:一第一天线1、一第二天线2、一第三天线3。其中,将该第一天线1、该第二天线2及该第三天线3堆叠呈近似锥状的三堆叠天线10,以形成可以接收不同通信系统频率的四孔式的三堆叠天线结构。
该第一天线1,其上具有一第一基体11,该第一基体11的表面具有一第一辐射金属层12,该第一基体11的底面具有一接地金属层13,该第一基体11上开设有一第一通孔14、一第二通孔15、一第三通孔16及一第四通孔17,该第一通孔14、该第二通孔15、该第三通孔16及该第四通孔17贯通该第一基体11、第一辐射金属层12及该接地金属层13。在本图式中,该第一基体11为陶瓷介质材料制成的扁形的板状体或块状体。
该第二天线2,其上具有一第二基体21,该第二基体21配置于该第一基体11的第一辐射金属层12的表面上,该第二基体21的面积小于该第一辐射金属层12的面积,在该第二基体21配置于该第一辐射金属层12的表面时,使该第一辐射金属层12外露。另外,于该第二基体21表面上具有一第二辐射金属层22,该第二基体21上设有贯穿该第二基体21及该第二辐射金属层22的一第五通孔23、一第六通孔24及一第七通孔25,该第五通孔23、该第六通孔24及该第七通孔25分别对应该第一基体11的该第二通孔15、该第三通孔16及该第四通孔17。在本图式中,该第二基体21为陶瓷介质材料制成的扁形的板状体或块状体。
该第三天线3,其上具有一第三基体31,该第三基体31配置于该第二基体21的第二辐射金属层22的表面上,该第三基体31的面积小于该第二辐射金属层22的面积,在该第三基体31配置于该第二辐射金属层22的表面时,使该第二辐射金属层22外露。另外,于该第三基体31表面上具有一第三辐射金属层32,该第三基体31上设有贯穿该第三基体31及该第三辐射金属层32的一第八通孔33,该第八通孔33对应该第二基体21的第六通孔24及该第一基体11的第三通孔16。该第三天线3还包含有一第一馈入组件34,该第一馈入组件34呈T形状,该第一馈入组件34具有一头部341,该头部341延伸一杆体342,该杆体342穿过该第三基体31的第八通孔33、该第二基体21的第六通孔24及该第一基体11的第三通孔16至该第一基体11的底面外部。在该第一馈入组件34穿过该第八通孔33时与该第三辐射金属层32电性连接,在该第一馈入组件34穿过该第二基体21时与该第二辐射金属层22形成耦合连接,在该第一馈入组件34穿过该第三通孔16时与该第一基体11上的第一辐射金属层12形成耦合连接,在该第一馈入组件34穿过第一基体11底面外部时不与该接地金属层13电性连接。在本图式中,该第三基体31为陶瓷介质材料制成的扁形的板状体或块状体。
请参阅图5所示,为本实用新型的第一实施例的四孔式的三堆叠天线结构侧剖视示意。如图所示:在本实用新型的该第一天线1、该第二天线2及该第三天线3依序的堆叠后,以该第一馈入组件34穿过该第八通孔33并与该第三辐射金属层32形成电性连接,在该第一馈入组件34穿过该第二基体21时与该第二辐射金属层22形成耦合连接,在该第一馈入组件34穿过该第三通孔16时与该第一基体11上的第一辐射金属层12形成耦合连接,在该第一馈入组件34穿过第一基体11底面外部时不与该接地金属层13电性连接,形成具有单一馈入组件的四孔式(由第一天线1底面观之)的三堆叠天线结构。
请参阅图6所示,为本实用新型的四孔式的三堆叠天线结构与电子设备的电路板电性连接的示意图。本实用新型在该第一天线1、该第二天线2及该第三天线3堆叠后,以该第一馈入组件34与该电子设备的电路板20电性连接后,该第一天线1的第一辐射金属层12与该第一馈入组件34形成耦合连接可以接收例如GPS L5/L2信号频率为1100MHZ-1250MHZ。该第二天线2的第二辐射金属层22与该第一馈入组件34形成耦合连接形成可以接收例如GPS/GNSS/Beidou信号频率为1500MHZ-1650MHZ。该第三天线3的第三辐射金属层32与第一馈入组件34电性连接形成可以接收例如SDARS/WLAN信号频率为2300MHZ-2500MHZ
由于该三堆叠天线10电性连接在电子设备的电路板20上,可以接收不同无线通信系统频率,在整合于电子设备上使用时,也不会使电子设备的体积或面积变大。
请参阅图7所示,为本实用新型的第二实施例的四孔式的三堆叠天线结构分解示意图。如图所示:本第二实施例与第一实施例大致相同,所不同处在于增加了一第二馈入组件26,该第二馈入组件26在穿过第二基体21的第五通孔23与该第二辐射金属层22电性连接,再穿过该第一基体11的第二通孔15与该第一辐射金属层12形成耦合连接,以形成具有双馈入组件的四孔式的三堆叠天线结构。
请参阅图8所示,为本实用新型的第三实施例的四孔式的三堆叠天线结构分解示意图。如图所示:本第三实施例与第二实施例大致相同,所不同处在于增加了一第三馈入组件18,该第三馈入组件18在穿过第一基体11的第四通孔17与该第一辐射金属层12电性连接,以形成具有三馈入组件的四孔式的三堆叠天线结构。
请参阅图9所示,为本实用新型的第四实施例的四孔式的三堆叠天线结构分解示意图。如图所示:本第四实施例与第三实施例大致相同,所不同处在于具有两个第三馈入组件18、18a,该第三馈入组件18、18a在穿过第一基体11的第四通孔17及第一通孔14与该第一辐射金属层12电性连接,以形成具有四馈入组件的四孔式的三堆叠天线结构。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并非要局限本实用新型的专利保护范围,因此举凡运用本实用新型说明书或图式内容所做的等效变化,均同理皆包含于本实用新型的权利保护范围内,合予陈明。

Claims (12)

1.一种四孔式的三堆叠天线结构,电性连接于电子设备的电路板上,其特征在于,包括:
一第一天线,该第一天线上具有一第一基体,该第一基体的表面具有一第一辐射金属层,该第一基体的底面具有一接地金属层,该第一基体上开设有一第一通孔、一第二通孔、一第三通孔及一第四通孔,该第一通孔、该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔贯通该第一基体、第一辐射金属层及该接地金属层;
一第二天线,该第二天线上具有一第二基体,该第二基体配置于该第一基体的第一辐射金属层的表面上;于该第二基体表面上具有一第二辐射金属层,该第二基体上设有贯穿该第二基体及该第二辐射金属层的一第五通孔、一第六通孔及一第七通孔,该第五通孔、该第六通孔及该第七通孔分别对应该第一基体的该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔;
一第三天线,该第三天线上具有一第三基体,该第三基体配置于该第二基体的第二辐射金属层的表面上;于该第三基体表面上具有一第三辐射金属层,该第三基体上设有贯穿该第三基体及该第三辐射金属层的一第八通孔,该第八通孔对应该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔;该第三天线还包含有一第一馈入组件,该第一馈入组件呈T形状,该第一馈入组件具有一头部,该头部延伸一杆体,该第一馈入组件穿过该第三基体的第八通孔、该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔至该第一基体的底面外部;
其中,在该第一馈入组件穿过该第八通孔时与该第三辐射金属层电性连接,在该第一馈入组件穿过该第二基体时与该第二辐射金属层形成耦合连接,在该第一馈入组件穿过该第三通孔时与该第一基体上的第一辐射金属层形成耦合连接,在该第一馈入组件穿过第一基体底面外部时不与该接地金属层电性连接,以形成单馈入的四孔式的三堆叠天线结构。
2.如权利要求1所述的四孔式的三堆叠天线结构,其特征在于,其中,该第二基体的面积小于该第一辐射金属层的面积,在该第二基体配置于该第一辐射金属层的表面时,使该第一辐射金属层外露。
3.如权利要求1所述的四孔式的三堆叠天线结构,其特征在于,其中,该第三基体的面积小于该第二辐射金属层的面积,在该第三基体配置于该第二辐射金属层的表面时,使该第二辐射金属层外露。
4.一种四孔式的三堆叠天线结构,电性连接于电子设备的电路板上,其特征在于,包括:
一第一天线,该第一天线上具有一第一基体,该第一基体的表面具有一第一辐射金属层,该第一基体的底面具有一接地金属层,该第一基体上开设有一第一通孔、一第二通孔、一第三通孔及一第四通孔,该第一通孔、该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔贯通该第一基体、第一辐射金属层及该接地金属层;
一第二天线,该第二天线上具有一第二基体,该第二基体配置于该第一基体的第一辐射金属层的表面上;于该第二基体表面上具有一第二辐射金属层,该第二基体上设有贯穿该第二基体及该第二辐射金属层的一第五通孔、一第六通孔及一第七通孔,该第五通孔、该第六通孔及该第七通孔分别对应该第一基体的该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔;该第二天线包含有一第二馈入组件,该第二馈入组件穿过该第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔;
一第三天线,该第三天线上具有一第三基体,该第三基体配置于该第二基体的第二辐射金属层的表面上;于该第三基体表面上具有一第三辐射金属层,该第三基体上设有贯穿该第三基体及该第三辐射金属层的一第八通孔,该第八通孔对应该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔;该第三天线还包含有一第一馈入组件,该第一馈入组件呈T形状,该第一馈入组件具有一头部,该头部延伸一杆体,该第一馈入组件穿过该第三基体的第八通孔、该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔至该第一基体的底面外部;
其中,该第二馈入组件在穿过第二基体的第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔与该第一辐射金属层形成耦合连接,该第一馈入组件穿过该第八通孔时与该第三辐射金属层电性连接,在该第一馈入组件穿过该第二基体时与该第二辐射金属层形成耦合连接,在该第一馈入组件穿过该第三通孔时与该第一基体上的第一辐射金属层形成耦合连接,在该第二馈入组件及该第一馈入组件穿过第一基体底面外部时不与该接地金属层电性连接,以形成双馈入的四孔式的三堆叠天线结构。
5.如权利要求4所述的四孔式的三堆叠天线结构,其特征在于,其中,该第二基体的面积小于该第一辐射金属层的面积,在该第二基体配置于该第一辐射金属层的表面时,使该第一辐射金属层外露。
6.如权利要求4所述的四孔式的三堆叠天线结构,其特征在于,其中,该第三基体的面积小于该第二辐射金属层的面积,在该第三基体配置于该第二辐射金属层的表面时,使该第二辐射金属层外露。
7.一种四孔式的三堆叠天线结构,电性连接于电子设备的电路板上,其特征在于,包括:
一第一天线,该第一天线上具有一第一基体,该第一基体的表面具有一第一辐射金属层,该第一基体的底面具有一接地金属层,该第一基体上开设有一第一通孔、一第二通孔、一第三通孔及一第四通孔,该第一通孔、该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔贯通该第一基体、第一辐射金属层及该接地金属层;该第一天线包含有一第三馈入组件,该第三馈入组件穿过该第四通孔与该第一辐射金属层电性连接;
一第二天线,该第二天线上具有一第二基体,该第二基体配置于该第一基体的第一辐射金属层的表面上;于该第二基体表面上具有一第二辐射金属层,该第二基体上设有贯穿该第二基体及该第二辐射金属层的一第五通孔、一第六通孔及一第七通孔,该第五通孔、该第六通孔及该第七通孔分别对应该第一基体的该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔;该第二天线包含有一第二馈入组件,该第二馈入组件穿过该第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔;
一第三天线,该第三天线上具有一第三基体,该第三基体配置于该第二基体的第二辐射金属层的表面上;于该第三基体表面上具有一第三辐射金属层,该第三基体上设有贯穿该第三基体及该第三辐射金属层的一第八通孔,该第八通孔对应该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔;该第三天线还包含有一第一馈入组件,该第一馈入组件呈T形状,该第一馈入组件具有一头部,该头部延伸一杆体,该第一馈入组件穿过该第三基体的第八通孔、该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔至该第一基体的底面外部;
其中,该第三馈入组件在穿过第一基体的第四通孔与该第一辐射金属层电性连接,该第二馈入组件在穿过第二基体的第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔与该第一辐射金属层形成耦合连接,该第一馈入组件穿过该第八通孔时与该第三辐射金属层电性连接,在该第一馈入组件穿过该第二基体时与该第二辐射金属层形成耦合连接,在该第一馈入组件穿过该第三通孔时与该第一基体上的第一辐射金属层形成耦合连接,在该第三馈入组件、该第二馈入组件及该第一馈入组件穿过第一基体底面外部时不与该接地金属层电性连接,以形成三馈入的四孔式的三堆叠天线结构。
8.如权利要求7所述的四孔式的三堆叠天线结构,其特征在于,其中,该第二基体的面积小于该第一辐射金属层的面积,在该第二基体配置于该第一辐射金属层的表面时,使该第一辐射金属层外露。
9.如权利要求7所述的四孔式的三堆叠天线结构,其特征在于,其中,该第三基体的面积小于该第二辐射金属层的面积,在该第三基体配置于该第二辐射金属层的表面时,使该第二辐射金属层外露。
10.一种四孔式的三堆叠天线结构,电性连接于电子设备的电路板上,其特征在于,包括:
一第一天线,该第一天线上具有一第一基体,该第一基体的表面具有一第一辐射金属层,该第一基体的底面具有一接地金属层,该第一基体上开设有一第一通孔、一第二通孔、一第三通孔及一第四通孔,该第一通孔、该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔贯通该第一基体、第一辐射金属层及该接地金属层;该第一天线包含有两个第三馈入组件,该两个第三馈入组件分别穿过该第四通孔及该第一通孔与该第一辐射金属层电性连接;
一第二天线,该第二天线上具有一第二基体,该第二基体配置于该第一基体的第一辐射金属层的表面上;于该第二基体表面上具有一第二辐射金属层,该第二基体上设有贯穿该第二基体及该第二辐射金属层的一第五通孔、一第六通孔及一第七通孔,该第五通孔、该第六通孔及该第七通孔分别对应该第一基体的该第二通孔、该第三通孔及该第四通孔;该第二天线包含有一第二馈入组件,该第二馈入组件穿过该第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔;
一第三天线,该第三天线上具有一第三基体,该第三基体配置于该第二基体的第二辐射金属层的表面上;于该第三基体表面上具有一第三辐射金属层,该第三基体上设有贯穿该第三基体及该第三辐射金属层的一第八通孔,该第八通孔对应该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔;该第三天线还包含有一第一馈入组件,该第一馈入组件呈T形状,该第一馈入组件具有一头部,该头部延伸一杆体,该第一馈入组件穿过该第三基体的第八通孔、该第二基体的第六通孔及该第一基体的第三通孔至该第一基体的底面外部;
其中,该两个第三馈入组件分别在穿过第一基体的该第一通孔及该第四通孔与该第一辐射金属层电性连接,该第二馈入组件在穿过第二基体的第五通孔与该第二辐射金属层电性连接,再穿过该第一基体的第二通孔与该第一辐射金属层形成耦合连接,该第一馈入组件穿过该第八通孔时与该第三辐射金属层电性连接,在该第一馈入组件穿过该第二基体时与该第二辐射金属层形成耦合连接,在该第一馈入组件穿过该第三通孔时与该第一基体上的第一辐射金属层形成耦合连接,在该两个第三馈入组件、该第二馈入组件及该第一馈入组件穿过第一基体底面外部时不与该接地金属层电性连接,以形成四馈入的四孔式的三堆叠天线结构。
11.如权利要求10所述的四孔式的三堆叠天线结构,其特征在于,其中,该第二基体的面积小于该第一辐射金属层的面积,在该第二基体配置于该第一辐射金属层的表面时,使该第一辐射金属层外露。
12.如权利要求10所述的四孔式的三堆叠天线结构,其特征在于,其中,该第三基体的面积小于该第二辐射金属层的面积,在该第三基体配置于该第二辐射金属层的表面时,使该第二辐射金属层外露。
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