CN207944169U - 一种单晶硅生产用导流孔 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种单晶硅生产用导流孔,包括法兰和惰性气体罐,法兰内圈设有若干个导流孔,若干个导流孔均与环形通道相连,法兰外壁的一侧开设有气体入口,气体入口与管道的一端相连,管道的中部铰接有挡板,挡板的一侧设有阀门,阀门的顶部设有旋转手柄,管道的另一端与惰性气体罐的气体出口相连。本实用新型通过若干个导流孔对单晶炉通入氩气,充分的带走高温熔融硅挥发的氧化物,以防止氧化物颗粒掉进硅溶液,进而运动到固液界面,破坏单晶原子排列的一致性,同时对晶体进行降温,加速拉晶时单晶硅的凝固,通过挡板防止原料在气化过程中产生的气体通过导流孔泄漏,防辐射铅层减少辐射对工作人员的危害,保护操作人员。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶硅生产技术领域,具体为一种单晶硅生产用导流孔。
背景技术
在单晶炉的生产中,对单晶炉通入氩气,充分的带走高温熔融硅挥发的氧化物,以防止氧化物颗粒掉进硅溶液,进而运动到固液界面,破坏单晶原子排列的一致性,但是氩气的强度过大且流动不均匀,导致单晶硅棒晃动、液面波动,严重时可导致掉棒等生产事故,降低成品率;在单晶炉的生产中,硅料液化过程中产生大量的气体和辐射,这些气体要在单晶硅生产完成后,经过收集,集中处理,期间如果气体和辐射泄漏,危害操作人员的身体健康,因此我们对此做出改进,提出一种单晶硅生产用导流孔。
实用新型内容
为解决现有技术存在的氩气的强度过大且流动不均匀,导致掉棒等生产事故,气体从导流孔泄漏,危害操作人员的身体健康的缺陷,本实用新型提供一种单晶硅生产用导流孔。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:
本实用新型一种单晶硅生产用导流孔,包括法兰和惰性气体罐,所述法兰内圈设有若干个导流孔,若干个所述导流孔均与环形通道相连,所述法兰外壁的一侧开设有气体入口,所述气体入口与管道的一端相连,所述管道的中部铰接有挡板,所述挡板的一侧设有阀门,所述阀门的顶部设有旋转手柄,所述管道的另一端与惰性气体罐的气体出口相连。
进一步的,所述法兰和管道的外壁均套设有防辐射铅层。
进一步的,所述惰性气体罐的外壁设有若干个限位块。
进一步的,所述挡板一侧的外圈设有密封圈。
进一步的,所述环形通道设置于法兰的内部。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:该种单晶硅生产用导流孔,通过若干个导流孔对单晶炉通入氩气,充分的带走高温熔融硅挥发的氧化物,以防止氧化物颗粒掉进硅溶液,进而运动到固液界面,破坏单晶原子排列的一致性,同时对晶体进行降温,加速拉晶时单晶硅的凝固,通过挡板防止原料在气化过程中产生的气体通过导流孔泄漏,防辐射铅层减少辐射对工作人员的危害,保护操作人员。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1是本实用新型一种单晶硅生产用导流孔的结构示意图;
图2是本实用新型一种单晶硅生产用导流孔管道的侧面结构示意图;
图3是本实用新型一种单晶硅生产用导流孔法兰的俯视图。
图中:1、法兰;2、导流孔;3、管道;4、阀门;5、惰性气体罐;6、限位块;7、旋转手柄;8、防辐射铅层;9、挡板;10、气体入口;11、环形通道。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本实用新型。
如图1-3所示,一种单晶硅生产用导流孔,包括法兰1和惰性气体罐5,法兰1内圈设有若干个导流孔2,法兰1用于连接单晶炉,通过若干个导流孔2对单晶炉均匀的通入氩气,若干个导流孔2均与环形通道11相连,环形通道11用于为若干个导流孔2传输氩气,法兰1外壁的一侧开设有气体入口10,氩气从气体入口10进入法兰1,气体入口10与管道3的一端相连,管道3用于传输氩气,管道3的中部铰接有挡板9,挡板9防止氩气回流,挡板9的一侧设有阀门4,通过阀门4控制是否给单晶炉通入氩气,阀门4的顶部设有旋转手柄7,通过旋转手柄7方便打开和关闭阀门4,管道3的另一端与惰性气体罐5的气体出口相连,惰性气体罐5用于提供氩气。
其中,法兰1和管道3的外壁均套设有防辐射铅层8,防辐射铅层8屏蔽单晶炉内硅料液化过程中产生的辐射。
其中,惰性气体罐5的外壁设有若干个限位块6,通过若干个限位块6固定惰性气体罐5。
其中,挡板9一侧的外圈设有密封圈,当挡板9关闭时通过密封圈封闭管道3,防止单晶炉中的气体从管道泄漏。
其中,环形通道11设置于法兰1的内部,节省空间,且法兰1保护环形通道11。
需要说明的是,本实用新型为一种单晶硅生产用导流孔,具体工作时,惰性气体罐5用于提供氩气,通过旋转手柄7打开阀门4,氩气通过管道3从从气体入口10进入法兰1,当挡板9关闭时通过密封圈封闭管道3,防止单晶炉中的气体从管道3泄漏,危害操作人员的身体健康,法兰1用于连接单晶炉,环形通道11设置于法兰1的内部,节省空间,且法兰1保护环形通道11,环形通道11用于为若干个导流孔2传输氩气,通过若干个导流孔2对单晶炉均匀的通入氩气,通过若干个导流孔对单晶炉通入氩气,充分的带走高温熔融硅挥发的氧化物,以防止氧化物颗粒掉进硅溶液,进而运动到固液界面,破坏单晶原子排列的一致性,同时对晶体进行降温,加速拉晶时单晶硅的凝固,防辐射铅层8屏蔽单晶炉内硅料液化过程中产生的辐射,减少辐射对工作人员的危害,保护操作人员,通过若干个限位块6固定惰性气体罐5,当不需要向单晶炉通入氩气时,通过旋转手柄7关闭阀门4。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种单晶硅生产用导流孔,包括法兰(1)和惰性气体罐(5),其特征在于,所述法兰(1)内圈设有若干个导流孔(2),若干个所述导流孔(2)均与环形通道(11)相连,所述法兰(1)外壁的一侧开设有气体入口(10),所述气体入口(10)与管道(3)的一端相连,所述管道(3)的中部铰接有挡板(9),所述挡板(9)的一侧设有阀门(4),所述阀门(4)的顶部设有旋转手柄(7),所述管道(3)的另一端与惰性气体罐(5)的气体出口相连。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅生产用导流孔,其特征在于,所述法兰(1)和管道(3)的外壁均套设有防辐射铅层(8)。
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅生产用导流孔,其特征在于,所述惰性气体罐(5)的外壁设有若干个限位块(6)。
4.根据权利要求1所述的一种单晶硅生产用导流孔,其特征在于,所述挡板(9)一侧的外圈设有密封圈。
5.根据权利要求1所述的一种单晶硅生产用导流孔,其特征在于,所述环形通道(11)设置于法兰(1)的内部。
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CN113140389A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-07-20 | 丁玉玺 | 一种用于变电站的箱式变电器 |
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