CN207934610U - 一种智能锁及应用智能锁的门 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供了一种智能锁，涉及电子技术领域，以解决智能锁功耗高的问题。其中，所述智能锁包括：本体；可活动保护盖，可活动保护盖遮盖本体的控制面板；磁体，磁体设置在可活动保护盖上且靠近控制面板的一侧；设置在本体上的磁控电路、控制模块和预留解锁模块，且随着可活动保护盖的活动，磁控电路根据磁体的靠近或者远离，输出不同的电信号；控制模块与磁控电路连接，控制模块根据磁控电路输出的电信号不同，根据可活动保护盖是否遮盖控制面板，控制智能锁进入深度睡眠模式或者唤醒模式；预留解锁模块与控制模块连接，控制模块控制预留解锁模块在智能锁进入深度睡眠模式时，保持唤醒模式。本实用新型实施例中的智能锁应用于门锁等。

Description

一种智能锁及应用智能锁的门

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，特别是涉及一种智能锁应用智能锁的门。

背景技术

当前，电子技术广泛应用于各个领域，如：随着电子技术的不断发展更新，出现了越来越多的智能锁，智能锁可应用在门锁、保险柜等。

智能锁相比于传统机械锁，有很多优势，如：开锁方式智能，包括生物识别开锁、密码识别开锁、刷卡识别开锁等；智能锁还具备了智能化管理的功能。可见，智能锁的出现使门锁具有很高的安全性和可靠性，同时还可方便用户的使用。

智能锁虽然实现了智能化，但相应的功耗也较大，如，智能锁长期处于工作状态，以实时检测是否有开锁动作。可见，现有技术的智能锁的功耗较大，易造成电能浪费的现象。

实用新型内容

鉴于上述问题，提出了克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种智能锁，以解决智能锁功耗高的问题。

为了解决上述问题，一方面，本实用新型实施例公开了一种智能锁，包括本体，还包括：可活动保护盖，所述可活动保护盖遮盖所述本体的控制面板；磁体，所述磁体设置在所述可活动保护盖上且靠近所述控制面板的一侧；磁控电路，所述磁控电路设置在所述本体上，且随着所述可活动保护盖的活动，所述磁控电路根据所述磁体的靠近或者远离，输出不同的电信号；控制模块，所述控制模块设置在所述本体上，所述控制模块与所述磁控电路连接，所述控制模块根据所述磁控电路输出的电信号不同，控制所述智能锁在所述可活动保护盖遮盖所述控制面板时进入深度睡眠模式，在所述可活动保护盖从所述控制面板上移至所述控制面板外，控制所述智能锁从所述深度睡眠模式进入唤醒模式；预留解锁模块，所述预留解锁模块设置在所述本体上，所述预留解锁模块与所述控制模块连接，所述控制模块控制所述预留解锁模块在所述智能锁进入所述深度睡眠模式时，保持所述唤醒模式。

可选地，所述磁控电路包括干簧管和上拉电阻，所述干簧管的一端接地，所述上拉电阻的一端与电源信号连接，所述干簧管的另一端与所述上拉电阻的另一端连接，且在所述干簧管与所述上拉电阻之间引出所述磁控电路的电信号输出端；所述控制模块包括单片机，所述单片机的任一输入引脚连接所述磁控电路的电信号输出端。

可选地，所述磁控电路包括干簧管和下拉电阻，所述干簧管的一端与电源信号连接，所述下拉电阻的一端接地，所述干簧管的另一端与所述下拉电阻的另一端连接，且在所述干簧管与所述下拉电阻之间引出所述磁控电路的电信号输出端；所述控制模块包括单片机，所述单片机的任一输入引脚连接所述磁控电路的电信号输出端。

可选地，所述干簧管为常开干簧管或者常闭干簧管。

可选地，所述可活动保护盖为滑盖结构，所述滑盖结构遮盖所述控制面板，或者所述滑盖结构向上滑动至所述控制面板外。

可选地，所述干簧管设置在所述控制面板的顶端；所述滑盖结构遮盖所述控制面板，所述磁体对应所述控制面板的底端，所述滑盖结构滑动至所述控制面板外，所述磁体对应所述控制面板的顶端；或者，所述滑盖结构遮盖所述控制面板，所述磁体对应所述控制面板的顶端，所述滑盖结构滑动至所述控制面板外，所述磁体位于所述控制面板的上方空间。

可选地，所述预留解锁模块为按键解锁模块。

可选地，所述智能锁还包括与所述控制模块连接的指纹解锁模块，所述指纹解锁模块设置在所述本体上。

可选地，所述智能锁还包括与所述控制模块连接的刷卡解锁模块，所述刷卡解锁模块设置在所述本体上。

另一方面，本实用新型实施例公开了一种应用智能锁的门，包括上述智能锁。

本实用新型实施例包括以下优点：

在本实用新型实施例中，智能锁本体设置了磁控电路，磁控电路是一种在磁场的作用下可改变输出电信号的电路，例如，磁场从无到有，磁控电路分别输出变化的电信号，从而根据磁控电路的这一特点，在可活动保护盖上设置磁体，磁体可产生磁场，从而可活动保护盖遮盖在控制面板上时，智能锁不需要工作，这时设置磁体和磁控电路靠近或者远离，磁控电路输出第一电信号；当可活动保护盖从控制面板上活动至控制面板外时，智能锁开始工作，这时对应地，磁体随着可活动保护盖的活动，远离或者靠近磁控电路，磁控电路输出第二电信号，从而控制模块根据磁控电路输出的电信号由第一电信号变化为第二电信号时，控制智能锁进入唤醒模式，电信号由第二电信号变化为第一电信号时，控制智能锁进入深度睡眠模式，而在深度睡眠模式下，智能锁的大部分模块处于断电状态，达到降低功耗的目的，节省电能；同时，为了避免因故障造成的深度睡眠模式无法进入唤醒模式，还在深度睡眠模式下控制预留解锁模块保持唤醒模式，预留解锁模块可在深度睡眠模式下实现开锁，从而保证了智能锁开锁的可靠性。

附图说明

图1是本实用新型的智能锁实施例的第一结构示意图；

图2是本实用新型的智能锁实施例的第二结构示意图；

图3是本实用新型的智能锁实施例的第三结构示意图；

图4是本实用新型的智能锁实施例的第一结构框图；

图5是本实用新型的智能锁实施例的磁控电路的第一电路图；

图6是本实用新型的智能锁实施例的磁控电路的第二电路图；

图7是本实用新型的智能锁实施例的第二结构框图；

图8是本实用新型的智能锁实施例的电源网络图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

参见图1～图4，本实施例提供了一种智能锁，包括本体10，还包括可活动保护盖20，可活动保护盖20遮盖本体10的控制面板11；磁体30，磁体30设置在可活动保护盖20上且靠近控制面板11的一侧；磁控电路40，磁控电路40设置在本体10上，且随着可活动保护盖20的活动，磁控电路40根据磁体30的靠近或者远离，输出不同的电信号；控制模块50，控制模块50设置在本体10上，控制模块50与磁控电路40连接，控制模块50根据磁控电路40输出的电信号不同，控制智能锁在可活动保护盖20遮盖控制面板11时进入深度睡眠模式，在可活动保护盖20从控制面板11上移至控制面板11外，控制智能锁从深度睡眠模式进入唤醒模式；预留解锁模块60，预留解锁模块60设置在本体10上，预留解锁模块60与控制模块50连接，控制模块50控制预留解锁模块60在智能锁进入深度睡眠模式时，保持唤醒模式。

在本实施例的智能锁中，包括智能锁的本体10，本体10包括控制面板11，控制面板11可用于用户输入开锁动作等操作，智能锁还包括可起到保护控制面板11作用的可活动保护盖20，可活动保护盖20是可活动的，如图2，可活动保护盖20可遮盖在控制面板11上，这时可活动保护盖20为关闭状态，如图3，可活动保护盖20还可从控制面板11上活动至控制面板11外，这时可活动保护盖20为打开状态。

图1示出了智能锁的背面结构，且可活动保护盖20处于打开状态，从图中可以看出，在可活动保护盖20靠近控制面板11的一侧安设了磁体30，磁体30可产生磁场，同时，在本体10上设有磁控电路40，从而当可活动保护盖20遮盖控制面板11时，磁体30和磁控电路40为第一位置关系，在该位置关系下，磁体30的磁场作用于磁控电路40，或者，磁体30的磁场没有作用于磁控电路40，但无论是哪种情况，磁控电路40都会输出一个电信号，对应第一位置关系时输出的电信号为第一电信号。当可活动保护盖20活动，从控制面板11移至控制面板11外，这时磁体30和磁控电路40的位置关系变化为第二位置关系，在该位置关系下，磁体30的磁场在磁控电路40所产生的作用，与上述第一位置关系相比，发生了相反的变化，即：若在第一位置关系时，磁体30的磁场作用于磁控电路40，那变化到第二位置关系时，磁体30的磁场在磁控电路40的作用消失；若在第一位置关系时，磁体30的磁场没有作用于磁控电路40上，那变化到第二位置关系时，磁体30的磁场作用于磁控电路40。因此，磁控电路40会输出另一个电信号，对应第二位置关系时输出的电信号为第二电信号。

进一步的，控制模块50可检测磁控电路40输出的电信号，当磁控电路40输出第一电信号时，可判断可活动保护盖20遮盖在控制面板11上，控制模块50控制智能锁处于深度睡眠模式，在智能锁深度睡眠模式时，大部分功能处于低耗状态，甚至断电；随着可活动保护盖20的状态变化，控制模块50检测到磁控电路40输出的电信号从第一电信号变为第二电信号时，可判断可活动保护盖20从控制面板11移至控制面板11外，控制模块50控制智能锁从深度睡眠模式进入唤醒模式，智能锁正常耗电；随着可活动保护盖20的状态变化，控制模块50检测到磁控电路40输出的电信号从第二电信号变为第一电信号时，可判断可活动保护盖20从控制面板11外移至控制面板11上，控制模块50控制智能锁进入深度睡眠模式。更为重要的是，在控制模块50控制智能锁进入深度睡眠模式时，还会控制预留解锁模块60保持唤醒模式。

相比于现有技术，根据磁控电路40输出的电信号不同，可判断可活动保护盖20的位置，从而控制模块50可在可活动保护盖20遮盖控制面板11上时，控制智能锁进入深度睡眠模式，在深度睡眠模式中，只有预留解锁模块60保持唤醒模式，其余的各个模块断电，达到降低功耗的目的，减少电能的浪费，而且预留解锁模块60保持唤醒模式，可用于接收开锁动作，以避免磁体30、磁控电路40或者可活动保护盖20等出现故障，若智能锁的所有模块均处于深度睡眠模式，无法识别开锁行为的现象，从而确保了智能锁开锁的可靠性。

相比于现有的智能锁一直保持通电状态，以实时监测控制面板11上是否有开锁动作输入，在本实施例中，仅通过增加较少的元器件，就可在智能锁不使用的情况下，进入深度睡眠模式，降低了智能锁的功耗，且在使用的情况下，又可及时进入唤醒模式，同时保留预留解锁模块60一直处于唤醒模式，不会影响智能锁的正常使用，给用户带来好的使用体验。

本实施例中的智能锁的具体操作可为：当用户想要开锁时，将可活动保护盖20从控制面板11上移开，智能锁由深度睡眠模式进入唤醒模式，智能锁恢复工作状态，工作状态又可划分为休眠期和非休眠期，休眠期的智能锁实时监测是否有开锁动作输入，当监测到有开锁动作，这时智能锁进入非休眠期，开始对开锁动作进行分析匹配等，当开锁动作与预存的开锁动作成功匹配，则完成开锁；用户成功打开门后，可将可活动保护盖20移回控制面板11，智能锁进入深度睡眠模式。

预存的开锁动作是指用户预先设定的开锁动作，该开锁动作能够成功被对应的智能锁识别，从而智能锁可完成开锁。例如：预存的开锁动作可以是预先输入智能锁的指纹、数字密码等。

优选地，磁体30可选用强磁体，以确保强磁体产生的磁场可对磁控电路40造成预期的影响。其中，磁控电路40是一种受磁场控制的电路，磁控电路40在磁场的作用下和没有磁场的作用下，可分别输出不同的电信号，在本实施例中，随着磁体30从远离到靠近磁控电路40，磁体30产生的磁场从作用于磁控电路40变换为没有作用于磁控电路40，或者，磁体30产生的磁场从没有作用于磁控电路40变换为作用于磁控电路40。

参见图5，示例性地，磁控电路40包括干簧管41和上拉电阻R1，干簧管41的一端接地，上拉电阻R1的一端与电源信号连接，干簧管41的另一端与上拉电阻R1的另一端连接，且在干簧管41与上拉电阻R1之间引出磁控电路40的电信号输出端；控制模块50包括单片机，单片机的任一输入引脚连接干簧管41和上拉电阻R1的并联输出端，即单片机的任一输入引脚连接磁控电路40的电信号输出端。

干簧管41包括常开干簧管和常闭干簧管，常开干簧管是由两片既导磁又导电的材料(通常为铁镍合金)做成的簧片平行封入玻璃管中所构成的，两簧片间留有一定间隙(一般0.2毫米左右)，当磁体30靠近常开干簧管时，两簧片被磁化而互相吸引，触点闭合；当磁体30远离时，触点又分开。相反的，常闭干簧管的默认状态为触点闭合，当磁体30靠近常闭干簧管时，触点分开；当磁体30远离时，触点又闭合。

基于上述干簧管41的特性，当磁体30远离干簧管41时，干簧管41处断路，磁控电路40输出高电平，当磁体30靠近干簧管41时，干簧管41处导通，磁控电路40输出低电平；或者，当磁体30靠近干簧管41时，干簧管41处断路，磁控电路40输出高电平，当磁体30远离干簧管41时，干簧管41处导通，磁控电路40输出低电平。从而实现了磁体30靠近和远离磁控电路40时，对应可活动保护盖20从控制面板11上移开或者遮盖在控制面板11上，磁控电路40可分别输出不同的电信号，进而单片机可根据输入引脚输入的电信号的变化，并结合磁体30与干簧管41在智能锁上的位置，设计适应的控制逻辑，以控制智能锁在深度睡眠模式和唤醒模式之间进行切换。

参见图6，在另一方案中，磁控电路40包括干簧管41和下拉电阻R2，干簧管41的一端与电源信号连接，下拉电阻R2的一端接地，干簧管41的另一端与下拉电阻R2的另一端连接，且在干簧管41与下拉电阻R2之间引出磁控电路40的电信号输出端；控制模块50包括单片机，单片机的任一输入引脚连接干簧管41和所述下拉电阻R2的并联输出端，即单片机的任一输入引脚连接磁控电路40的电信号输出端。

同理，基于上述干簧管41的特性，当磁体30远离干簧管41时，干簧管41处断路，磁控电路40输出低电平，当磁体30靠近干簧管41时，干簧管41处导通，磁控电路40输出高电平；或者，当磁体30靠近干簧管41时，干簧管41处断路，磁控电路40输出低电平，当磁体30远离干簧管41时，干簧管41处导通，磁控电路40输出高电平。从而实现了磁体30靠近和远离磁控电路40时，对应可活动保护盖20从控制面板11上移开或者遮盖在控制面板11上，磁控电路40可分别输出不同的电信号，进而单片机可根据输入引脚输入的电信号的变化，并结合磁体30与干簧管41在智能锁上的位置，设计适应的控制逻辑，以控制智能锁在深度睡眠模式和唤醒模式之间进行切换。

在图5和图6中，以GPIOX表示单片机的任一输入引脚。

其中，智能锁上的可活动保护盖20可为多种形式，如：翻盖结构，翻盖结构从遮盖在控制面板11上，到打开至控制面板11外，其本身与控制面板11的距离会发生变化，因此通过设计可实现翻盖结构上的磁体30与磁控电路40的距离变化。

在本实施例中，仅以一种可活动保护盖20为例详细说明。

参见图1～图3，优选地，可活动保护盖20为滑盖结构，滑盖结构遮盖控制面板11，或者滑盖结构向上滑动至控制面板11外。

需要说明的是，在本实施例中，为了描述方便，在具有滑盖结构的方案中定义了“上下”方向，当滑盖结构从控制面板11上滑离控制面板11时，滑动所沿方向定义为“上”方向，与“上”方向相反的方向为“下”方向。

参见图2和图3，对于滑盖结构来说，可设计为上下滑动，对应地，本体10可包括上下两部分，上部分可设计为控制面板11，下部分可设计为把手12，因此，滑盖结构在本体10的上部分遮盖在控制面板11时，智能锁处于深度睡眠模式，当用户需要开锁时，可将滑盖结构向上滑动，以使滑盖结构移开控制面板11，智能锁处于唤醒模式。在这里，称滑盖结构遮盖在控制面板11，为滑盖结构的关闭状态，滑盖结构移至控制面板11外，为滑盖结构的打开状态。

在本实施例中，根据所选的干簧管41的不同，干簧管41的放置位置的不同，以及磁体30位置的不同，控制模块50实现的控制过程也不相同。

优选地，干簧管41设置在控制面板11的顶端；滑盖结构遮盖控制面板11，磁体30对应控制面板11的底端，滑盖结构滑动至控制面板11外，磁体30对应控制面板11的顶端；或者，滑盖结构遮盖控制面板11，磁体30对应控制面板11的顶端，滑盖结构滑动至控制面板11外，磁体30位于控制面板11的上方空间。

在本实施例中，滑盖结构完全遮盖控制面板11，可理解为滑盖结构的顶端与控制面板11的顶端对应，滑盖结构的底端与控制面板11的底端对应。

基于上述常开干簧管和上拉电阻R1的磁控电路40，常开干簧管设置在控制面板11的顶端，将磁体30设置在滑盖结构的底端，进而在滑盖结构的关闭状态下，常开干簧管和磁体30相隔较远，常开干簧管断开，磁控电路40输出高电平；当滑盖结构从控制面板11处向上滑动至控制面板11外，滑盖结构为打开状态，此时，滑盖结构的底端对应控制面板11的顶端，常开干簧管和磁体30相隔较近，常开干簧管闭合，磁控电路40输出低电平；当滑盖结构从控制面板11外向下滑动至控制面板11上，常开干簧管和磁体30又分离较远，常开干簧管断开，磁控电路40输出高电平。对应地，单片机的输入引脚中输入的电信号从高电平变化为低电平时，控制智能锁进入唤醒模式，输入引脚中输入的电信号从低电平变化为高电平时，控制智能锁进入深度睡眠模式。

或者，常开干簧管设置在控制面板11的顶端，将磁体30设置在滑盖结构的顶端，进而在滑盖结构的关闭状态下，常开干簧管和磁体30相隔较近，常开干簧管闭合，磁控电路40输出低电平；当滑盖结构从控制面板11处向上滑动至控制面板11外，滑盖结构为打开状态，此时，滑盖结构的底端对应控制面板11的顶端，滑盖结构的顶端位于控制面板11的上方空间，常开干簧管和磁体30相隔较远，常开干簧管断开，磁控电路40输出高电平；当滑盖结构从控制面板11外向下滑动至控制面板11上，常开干簧管和磁体30又靠近，常开干簧管闭合，磁控电路40输出低电平。对应地，单片机的输入引脚中输入的电信号从高电平变化为低电平时，控制智能锁进入深度睡眠模式，输入引脚中输入的电信号从低电平变化为高电平时，控制智能锁进入唤醒模式。

基于上述常开干簧管和下拉电阻R2的磁控电路40，常开干簧管设置在控制面板11的顶端，将磁体30设置在滑盖结构的底端，进而在滑盖结构的关闭状态下，常开干簧管和磁体30相隔较远，常开干簧管断开，磁控电路40输出低电平；当滑盖结构从控制面板11处向上滑动至控制面板11外，滑盖结构为打开状态，此时，滑盖结构的底端对应控制面板11的顶端，常开干簧管和磁体30相隔较近，常开干簧管闭合，磁控电路40输出高电平；当滑盖结构从控制面板11外向下滑动至控制面板11上，常开干簧管和磁体30又分离较远，常开干簧管断开，磁控电路40输出低电平。对应地，单片机的输入引脚中输入的电信号从高电平变化为低电平时，控制智能锁进入深度睡眠模式，输入引脚中输入的电信号从低电平变化为高电平时，控制智能锁进入唤醒模式。

或者，常开干簧管设置在控制面板11的顶端，将磁体30设置在滑盖结构的顶端，进而在滑盖结构的关闭状态下，常开干簧管和磁体30相隔较近，常开干簧管闭合，磁控电路40输出高电平；当滑盖结构从控制面板11处向上滑动至控制面板11外，滑盖结构为打开状态，此时，滑盖结构的底端对应控制面板11的顶端，滑盖结构的顶端位于控制面板11的上方空间，常开干簧管和磁体30相隔较远，常开干簧管断开，磁控电路40输出低电平；当滑盖结构从控制面板11外向下滑动至控制面板11上，常开干簧管和磁体30又靠近，常开干簧管闭合，磁控电路40输出高电平。对应地，单片机的输入引脚中输入的电信号从高电平变化为低电平时，控制智能锁进入唤醒模式，输入引脚中输入的电信号从低电平变化为高电平时，控制智能锁进入深度睡眠模式。

基于上述常闭干簧管和上拉电阻R1的磁控电路40，常闭干簧管设置在控制面板11的顶端，将磁体30设置在滑盖结构的底端，进而在滑盖结构的关闭状态下，常闭干簧管和磁体30相隔较远，常闭干簧管闭合，磁控电路40输出低电平；当滑盖结构从控制面板11处向上滑动至控制面板11外，滑盖结构为打开状态，此时，滑盖结构的底端对应控制面板11的顶端，常闭干簧管和磁体30相隔较近，常闭干簧管断开，磁控电路40输出高电平；当滑盖结构从控制面板11外向下滑动至控制面板11上，常闭干簧管和磁体30又分离较远，常闭干簧管闭合，磁控电路40输出低电平。对应地，单片机的输入引脚中输入的电信号从高电平变化为低电平时，控制智能锁进入深度睡眠模式，输入引脚中输入的电信号从低电平变化为高电平时，控制智能锁进入唤醒模式。

或者，常闭干簧管设置在控制面板11的顶端，将磁体30设置在滑盖结构的顶端，进而在滑盖结构的关闭状态下，常闭干簧管和磁体30相隔较近，常闭干簧管断开，磁控电路40输出高电平；当滑盖结构从控制面板11处向上滑动至控制面板11外，滑盖结构为打开状态，此时，滑盖结构的底端对应控制面板11的顶端，滑盖结构的顶端位于控制面板11的上方空间，常闭干簧管和磁体30相隔较远，常闭干簧管闭合，磁控电路40输出低电平；当滑盖结构从控制面板11外向下滑动至控制面板11上，常闭干簧管和磁体30又靠近，常闭干簧管断开，磁控电路40输出高电平。对应地，单片机的输入引脚中输入的电信号从高电平变化为低电平时，控制智能锁进入唤醒模式，输入引脚中输入的电信号从低电平变化为高电平时，控制智能锁进入深度睡眠模式。

基于上述常闭干簧管和下拉电阻R2的磁控电路40，常闭干簧管设置在控制面板11的顶端，将磁体30设置在滑盖结构的底端，进而在滑盖结构的关闭状态下，常闭干簧管和磁体30相隔较远，常闭干簧管闭合，磁控电路40输出高电平；当滑盖结构从控制面板11处向上滑动至控制面板11外，滑盖结构为打开状态，此时，滑盖结构的底端对应控制面板11的顶端，常闭干簧管和磁体30相隔较近，常闭干簧管断开，磁控电路40输出低电平；当滑盖结构从控制面板11外向下滑动至控制面板11上，常闭干簧管和磁体30又分离较远，常闭干簧管闭合，磁控电路40输出高电平。对应地，单片机的输入引脚中输入的电信号从高电平变化为低电平时，控制智能锁进入唤醒模式，输入引脚中输入的电信号从低电平变化为高电平时，控制智能锁进入深度睡眠模式。

或者，常闭干簧管设置在控制面板11的顶端，将磁体30设置在滑盖结构的顶端，进而在滑盖结构的关闭状态下，常闭干簧管和磁体30相隔较近，常闭干簧管断开，磁控电路40输出低电平；当滑盖结构从控制面板11处向上滑动至控制面板11外，滑盖结构为打开状态，此时，滑盖结构的底端对应控制面板11的顶端，滑盖结构的顶端位于控制面板11的上方空间，常闭干簧管和磁体30相隔较远，常闭干簧管闭合，磁控电路40输出高电平；当滑盖结构从控制面板11外向下滑动至控制面板11上，常闭干簧管和磁体30又靠近，常闭干簧管断开，磁控电路40输出低电平。对应地，单片机的输入引脚中输入的电信号从高电平变化为低电平时，控制智能锁进入深度睡眠模式，输入引脚中输入的电信号从低电平变化为高电平时，控制智能锁进入唤醒模式。

需要注意的是，在本实施例中，以“顶端”和“底端”来描述元器件的设置位置，但可以知道的是，这样的描述只是列举的实例，当磁体30和干簧管41接近时，二者位置相对应，最大限度的靠近，当磁体30和干簧管41远离时，二者位置分别位于顶端和底端，最大限度的远离，以确保干簧管41的性能得以实现，但实际上，磁体30和干簧管41并不仅仅局限于顶端和底端的位置。

例如，干簧管41位于控制面板11的顶端，磁体30也可对应在滑盖结构的下部区域内，这样滑盖结构遮盖控制面板11，磁体30对应控制面板11的下部区域，滑盖结构滑动至控制面板11外，磁体30位于控制面板11的上方较近的空间内。控制面板11的顶端与下部区域之间的距离也可示为磁体30和干簧管41远离，而控制面板11的顶端与其上方较近的空间的距离也可示为磁体30和干簧管41靠近。

又如，干簧管41位于控制面板11的顶端，磁体30也可对应在滑盖结构的上部区域内，这样滑盖结构遮盖控制面板11，磁体30对应控制面板11的上部区域，滑盖结构滑动至控制面板11外，磁体30位于控制面板11的上方较远的空间内。控制面板11的顶端与上部区域之间的距离也可示为磁体30和干簧管41靠近，而控制面板11的顶端与其上方较远的空间的距离也可示为磁体30和干簧管41远离。

参见图7，在本实施例中，预留解锁模块60为按键解锁模块70。

为了达到降低功耗的目的，智能锁在深度睡眠模式下，可使所有的模块均为零电压，以实现智能锁的零功耗。但在一种情况下，磁控电路40、可活动保护盖20等出现故障，控制模块50就无法识别磁控电路40的输出电信号的变化，从而无法控制智能锁从深度睡眠模式进入唤醒模式，因此为了保证智能锁使用的可靠性，始终保持预留解锁模块60处于唤醒模式，以在任何时刻监测开锁动作，并完成开锁任务。而在这一优选实施例中，预留解锁模块60为按键解锁模块70，按键解锁模块70可实现按键解锁，是一种低功耗的解锁模块，在保证智能锁使用的可靠性的前提下，又进一步降低智能锁的功耗。

其中，按键解锁模块70包括设置在控制面板11上的键盘。

参见图7，进一步地，智能锁还包括与控制模块50连接的指纹解锁模块80，指纹解锁模块80设置在本体10上。

在更多的解锁方式中，智能锁还包括指纹解锁模块80，指纹解锁模块80包括设置在控制面板11上的指纹头，当智能锁进入深度睡眠模式时，指纹解锁模块80几乎断电，此时提供给指纹解锁模块80的电源为零电压；当智能锁进入唤醒模式时，控制模块50控制指纹解锁模块80进入休眠期，此时提供给指纹解锁模块80的电源为常供电电压，指纹解锁模块80可实时监测是否有用户输入开锁动作；当智能锁在唤醒模式时，指纹解锁模块80监测到用户输入的开锁动作，此时提供给指纹解锁模块80的电源为工作电压，控制模块50控制指纹解锁模块80识别开锁动作，完成开锁任务。

参见图7，进一步的，智能锁还包括与控制模块50连接的刷卡解锁模块90，刷卡解锁模块90设置在本体10上。

在更多的解锁方式中，智能锁还包括刷卡解锁模块90，刷卡解锁模块90包括设置在控制面板11上的刷卡感应区域，当智能锁进入深度睡眠模式时，刷卡解锁模块90几乎断电，此时提供给刷卡解锁模块90的电源为零电压；当智能锁进入唤醒模式时，控制模块50控制刷卡解锁模块90进入休眠期，此时提供给刷卡解锁模块90的电源为常供电电压，刷卡解锁模块90可实时监测是否有用户输入开锁动作；当智能锁在唤醒模式时，刷卡解锁模块90监测到用户输入的开锁动作，此时提供给刷卡解锁模块90的电源为工作电压，控制模块50控制刷卡解锁模块90识别开锁动作，完成开锁任务。

其中，在唤醒模式下，提供给解锁模块两种电压，且常供电电压(如3.3V)小于工作电压(如5V)，以进一步达到降低功耗的目的，而提供给按键解锁模块70的电源始终为常供电电压，相比于工作电压，进一步达到降低功耗的目的。

另外，在磁控电路40中，干簧管41连接电源信号，电源信号可为上述常供电电压，上拉电阻R1连接电源信号，电源信号还可为上述常供电电压。

参见图8，在本实施例中，本体10上还设有电池13，电池13为整个智能锁提供电能，从而在本实施例中，智能锁的功耗降低，还可增加电池13的续航时间，同时实现环保要求。另外，本体10上还设有USB接口14，以用于连接电源设备，提供另一种供电方式。

参见图8，在本实施例中，提供的电源包括多路5V电路和3.3V电路，以在不同的模式下，为对应的模块提供不同的电压，在图8中，POWER表示电源，电池13或者USB接口14可提供电源电压为5V的总电路，总电路分为多路电压：电路一经一种低压差线性稳压器(lowdropoutregulator，简称LDO)处理后，输出3.3V的不间断电源(Uninterruptible PowerSystem，简称UPS)电压，为多种解锁模块等提供常供电电压；电路二的电源输入(POWER_IN)为总电路中的5V电源电压，可为电机模块100供电，以驱动智能锁完成开锁任务；电路三为模拟数字转换器(Analog to Digital Converter，简称ADC)110提供常供电电压，以检测电池电量。

实施例二

本实施例提供了一种应用智能锁的门，包括实施例一中的智能锁。

参见图1～图4，在本实施例的应用智能锁的门中，包括智能锁的本体10，本体10包括控制面板11，控制面板11可用于用户输入开锁动作等操作，智能锁还包括可起到保护控制面板11作用的可活动保护盖20，可活动保护盖20是可活动的，如图2，可活动保护盖20可遮盖在控制面板11上，这时可活动保护盖20为关闭状态，如图3，可活动保护盖20还可从控制面板11上活动至控制面板11外，这时可活动保护盖20为打开状态。

图1示出了智能锁的背面结构，且可活动保护盖20处于打开状态，从图中可以看出，在可活动保护盖20靠近控制面板11的一侧安设了磁体30，磁体30可产生磁场，同时，在本体10上设有磁控电路40，从而当可活动保护盖20遮盖控制面板11时，磁体30和磁控电路40为第一位置关系，在该位置关系下，磁体30的磁场作用于磁控电路40，或者，磁体30的磁场没有作用于磁控电路40，但无论是哪种情况，磁控电路40都会输出一个电信号，对应第一位置关系时输出的电信号为第一电信号。当可活动保护盖20活动，从控制面板11移至控制面板11外，这时磁体30和磁控电路40的位置关系变化为第二位置关系，在该位置关系下，磁体30的磁场在磁控电路40所产生的作用，与上述第一位置关系相比，发生了相反的变化，即：若在第一位置关系时，磁体30的磁场作用于磁控电路40，那变化到第二位置关系时，磁体30的磁场在磁控电路40的作用消失；若在第一位置关系时，磁体30的磁场没有作用于磁控电路40上，那变化到第二位置关系时，磁体30的磁场作用于磁控电路40。因此，磁控电路40会输出另一个电信号，对应第二位置关系时输出的电信号为第二电信号。

进一步的，控制模块50可检测磁控电路40输出的电信号，当磁控电路40输出第一电信号时，可判断可活动保护盖20遮盖在控制面板11上，控制模块50控制智能锁处于深度睡眠模式，在智能锁深度睡眠模式时，大部分功能处于低耗状态，甚至断电；随着可活动保护盖20的状态变化，控制模块50检测到磁控电路40输出的电信号从第一电信号变为第二电信号时，可判断可活动保护盖20从控制面板11移至控制面板11外，控制模块50控制智能锁从深度睡眠模式进入唤醒模式，智能锁正常耗电；随着可活动保护盖20的状态变化，控制模块50检测到磁控电路40输出的电信号从第二电信号变为第一电信号时，可判断可活动保护盖20从控制面板11外移至控制面板11上，控制模块50控制智能锁进入深度睡眠模式。更为重要的是，在控制模块50控制智能锁进入深度睡眠模式时，还会控制预留解锁模块60保持唤醒模式。

相比于现有技术，根据磁控电路40输出的电信号不同，可判断可活动保护盖20的位置，从而控制模块50可在可活动保护盖20遮盖控制面板11上时，控制智能锁进入深度睡眠模式，在深度睡眠模式中，只有预留解锁模块60保持唤醒模式，其余的各个模块断电，达到降低功耗的目的，减少电能的浪费，而且预留解锁模块60保持唤醒模式，可用于接收开锁动作，以避免磁体30、磁控电路40或者可活动保护盖20等出现故障，若智能锁的所有模块均处于深度睡眠模式，无法识别开锁行为的现象，从而确保了智能锁开锁的可靠性。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

本领域内的技术人员应明白，本实用新型实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本实用新型实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本实用新型实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本实用新型实施例是参照根据本实用新型实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以预测方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本实用新型实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本实用新型所提供的一种智能锁及应用智能锁的门，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (10)

1.一种智能锁，包括本体，其特征在于，还包括：

可活动保护盖，所述可活动保护盖遮盖所述本体的控制面板；

磁体，所述磁体设置在所述可活动保护盖上且靠近所述控制面板的一侧；

磁控电路，所述磁控电路设置在所述本体上，且随着所述可活动保护盖的活动，所述磁控电路根据所述磁体的靠近或者远离，输出不同的电信号；

控制模块，所述控制模块设置在所述本体上，所述控制模块与所述磁控电路连接，所述控制模块根据所述磁控电路输出的电信号不同，控制所述智能锁在所述可活动保护盖遮盖所述控制面板时进入深度睡眠模式，在所述可活动保护盖从所述控制面板上移至所述控制面板外，控制所述智能锁从所述深度睡眠模式进入唤醒模式；

预留解锁模块，所述预留解锁模块设置在所述本体上，所述预留解锁模块与所述控制模块连接，所述控制模块控制所述预留解锁模块在所述智能锁进入所述深度睡眠模式时，保持所述唤醒模式。

2.根据权利要求1所述的智能锁，其特征在于，所述磁控电路包括干簧管和上拉电阻，所述干簧管的一端接地，所述上拉电阻的一端与电源信号连接，所述干簧管的另一端与所述上拉电阻的另一端连接，且在所述干簧管与所述上拉电阻之间引出所述磁控电路的电信号输出端；

所述控制模块包括单片机，所述单片机的任一输入引脚连接所述磁控电路的电信号输出端。

3.根据权利要求1所述的智能锁，其特征在于，所述磁控电路包括干簧管和下拉电阻，所述干簧管的一端与电源信号连接，所述下拉电阻的一端接地，所述干簧管的另一端与所述下拉电阻的另一端连接，且在所述干簧管与所述下拉电阻之间引出所述磁控电路的电信号输出端；

所述控制模块包括单片机，所述单片机的任一输入引脚连接所述磁控电路的电信号输出端。

4.根据权利要求2或3所述的智能锁，其特征在于，所述干簧管为常开干簧管或者常闭干簧管。

5.根据权利要求2或3所述的智能锁，其特征在于，所述可活动保护盖为滑盖结构，所述滑盖结构遮盖所述控制面板，或者所述滑盖结构向上滑动至所述控制面板外。

6.根据权利要求5所述的智能锁，其特征在于，所述干簧管设置在所述控制面板的顶端；

所述滑盖结构遮盖所述控制面板，所述磁体对应所述控制面板的底端，所述滑盖结构滑动至所述控制面板外，所述磁体对应所述控制面板的顶端；或者，

所述滑盖结构遮盖所述控制面板，所述磁体对应所述控制面板的顶端，所述滑盖结构滑动至所述控制面板外，所述磁体位于所述控制面板的上方空间。

7.根据权利要求1所述的智能锁，其特征在于，所述预留解锁模块为按键解锁模块。

8.根据权利要求1所述的智能锁，其特征在于，所述智能锁还包括与所述控制模块连接的指纹解锁模块，所述指纹解锁模块设置在所述本体上。

9.根据权利要求1所述的智能锁，其特征在于，所述智能锁还包括与所述控制模块连接的刷卡解锁模块，所述刷卡解锁模块设置在所述本体上。

10.一种应用智能锁的门，其特征在于，所述应用智能锁的门包括如权利要求1～9任一项所述的智能锁。