CN207897183U - 一种新型辅助供电电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种新型辅助供电电路，包括均用于接入外部电源的第一启动电路与第二启动电路、与所述第一启动电路连接的第一芯片电路、与所述第二启动电路连接的第二芯片电路、与所述第一芯片电路连接并为所述第一芯片电路提供第一电压VCC1的第一绕组电路、以及与所述第二芯片电路连接并为所述第二芯片电路提供第二供电电压VCC2的第二绕组电路，所述第一芯片电路的输出端经二极管D1与所述第二芯片电路的输出端连接。本实用新型通过优化LED供电电源电路的内部结构，使得LED供电电源电路中的PFC芯片和PWM芯片在开机时序上能得到先后顺序，并且使得整个供电电源电路一直处于低功耗状态，从而提高了供电电源电路的稳定性。

Description

一种新型辅助供电电路

技术领域

本实用新型涉及LED驱动电源领域，更具体地说，涉及一种新型辅助供电电路。

背景技术

随着LED灯的推广，LED照明的普及，以及人们对未来生活品质的更高追求，高性能高可靠性的LED电源越来越多的得到社会的重视，同时市场对产品的要求是，低成本、高品质的产品。从而推动技术的不断革新与发展。恒流型LED驱动电源、恒压型LED驱动电源的产品不断的推出，也要求供电电路的简化、通用性。

相关的LED供电电源电路中的PFC芯片的供电输出端与PWM芯片供电的输出端连接同一点，容易导致PFC芯片和PWM芯片开机时序不明确；并且当PWM芯片的次级限流或短路时，其输出端会出现恒功率状态，无法出现打嗝模式。因为当PWM芯片的次级限流、短路时，供电电路中的一个绕组提供给PWM芯片的电压被拉低，而该供电电路中的另一个绕组还可以继续为PWM芯片供电，导致PWM芯片还可以持续工作，从而使得PWM芯片的输出端出现恒功率状态。如PWM芯片的输出端的限流点在10A，就一直在恒定在10A，输出电压降低，但输入功率还是会明显大于空载功率很多。此方式容易导致PWM芯片的次级一直承受10A的大电流。并且次级功率器件无法承受如此大的功耗，导致功率器件应力风险太大。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种新型辅助供电电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种新型辅助供电电路，包括均用于接入外部电源的第一启动电路与第二启动电路、与所述第一启动电路连接的第一芯片电路、与所述第二启动电路连接的第二芯片电路、与所述第一芯片电路连接并为所述第一芯片电路提供第一电压VCC1的第一绕组电路、以及与所述第二芯片电路连接并为所述第二芯片电路提供第二供电电压VCC2的第二绕组电路，所述第一芯片电路的输出端经二极管D1与所述第二芯片电路的输出端连接。

在本实用新型所述的新型辅助供电电路中，所述第一启动电路包括全波整流器件BD1、电阻R1以及电阻R2，所述全波整流器件BD1的第一端接地、第二端与所述外部电源的火线连接、第三端与所述外部电源的零线连接、第四端经所述电阻R1以及电阻R2与所述第一芯片电路连接。

在本实用新型所述的新型辅助供电电路中，所述第二启动电路包括电容C1、电容C2、绕组L1、绕组L3、绕组L 5、MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、电容CE1以及二极管D4，所述电容C1的正极与所述绕组L1的一端均与所述全波整流器件BD1的第四端连接，所述绕组L1的另一端分别与所述二极管D4的阳极以及所述MOSFET管Q1的漏极连接，所述电容C1的阴极、MOSFET管Q1的源极以及所述电容CE1的负极均接地，所述电容CE1的正极分别与所述二极管D4的阴极以及MOSFET管Q2的漏极连接，所述MOSFET管Q2的源极经所述MOSFET管Q3接地，所述绕组L5的一端经所述绕组L3与所述MOSFET管Q2的源极连接、另一端经所述电容C2接地。

在本实用新型所述的新型辅助供电电路中，所述第二启动电路还包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7以及电阻R8,所述电阻R3的一端以及电阻R6的一端均与所述二极管D4的阴极连接，所述电阻R3的另一端经所述电阻R4、电阻R5与所述第二芯片电路的输出端连接，所述电阻R6的另一端经所述电阻R7、电阻R8与所述第二芯片电路的输出端连接。

在本实用新型所述的新型辅助供电电路中，所述第一芯片电路包括芯片U1、电容C4，所述芯片U1的第九引脚与所述第一启动电路连接，所述芯片U1的VCC引脚分别与所述二极管D1的阴极以及所述电容C4的阳极连接，所述芯片U1的GND引脚与所述电容C4的阴极均接地。

在本实用新型所述的新型辅助供电电路中，所述第一绕组电路包括绕组L2、电阻R9、电容C3、二极管D2、二极管D3以及电容CE2，所述绕组L2的一端经所述电阻R9以及所述电容C3与所述二极管D3的阴极连接，所述二极管D2的阳极与所述二极管D3的阴极连接，所述二极管D2的阴极分别与所述第一芯片电路的输出端、二极管D1的阴极以及所述电容CE2的正极连接，所述绕组L2的另一端、二极管D3阳极以及电容CE2的负极均接地。

在本实用新型所述的新型辅助供电电路中，所述第二芯片电路包括芯片U2、电阻R13、电阻R14、电阻R15、光耦U5以及电容C5，所述芯片U2的VCC引脚经所述电阻R13与所述二极管D1的阳极连接。

在本实用新型所述的新型辅助供电电路中，所述芯片U2的第四引脚分别与所述电阻R14的一端以及电阻R15的一端连接，所述电阻R14的另一端经所述光耦U5接地，所述电阻R15的另一端与所述芯片U2的GND引脚均接地。

在本实用新型所述的新型辅助供电电路中，所述第二绕组电路包括绕组L4、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、二极管D5、电容CE3、电容CE4、三极管Q4、稳压二极管ZD1以及稳压二极管ZD2，所述绕组L4的一端分别与所述电阻R9的一端以及电阻R10的一端连接，所述电阻R9的另一端以及电阻R10的另一端均与所述二极管D5的阳极连接，所述二极管D5的阴极分别与所述电容CE3的正极以及所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端分别与所述三极管Q4的基极以及所述稳压二极管ZD1的阴极连接。

在本实用新型所述的新型辅助供电电路中，所述三极管Q4的集电极分别与所述电阻R12的一端以及电阻R11的一端连接，所述电阻R11的另一端分别与所述电容CE4的正极以及所述三极管Q4的发射极连接，所述三极管Q4的发射极分别与所述第一芯片电路的输出端以及稳压二极管ZD2的阴极连接，所述绕组R4的另一端、电容CE3的负极、稳压二极管ZD1的阳极、电容CE4的负极以及稳压二极管ZD2的阳极均接地。

实施本实用新型的新型辅助供电电路，具有以下有益效果：通过优化LED供电电源电路的内部结构，使得LED供电电源电路中的PFC芯片和PWM芯片在开机时序上能得到先后顺序的同时，并且在输出短路限流异常时，PWM芯片的第二供电电压VCC2降低，且不受第一供电电压VCC1影响。次级功率器件不需持续承受电压及电流应力，使得整个供电电源电路一直处于低功耗状态，从而提高了供电电源电路的稳定性。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型一种新型辅助供电电路实施例一的模块结构图；

图2是本实用新型一种新型辅助供电电路实施例一的电路原理图。

具体实施方式

如图1所示，在本实用新型的一种新型辅助供电电路实施例一的模块结构图中，包括第一启动电路20、第二启动电路30、与第一启动电路20连接的第一芯片电路40、与第二启动电路30连接的第二芯片电路50、与第一芯片电路40连接并为第一芯片电路40提供第一电压VCC1的第一绕组电路、以及与第二芯片电路50连接并为第二芯片电路50提供第二供电电压VCC2的第二绕组电路，第一启动电路20与第二启动电路30均接入外部电源10，第一芯片电路40的输出端经二极管D1与第二芯片电路50的输出端连接。

可以理解的，外部电源10为100-240V的输入交流电源，其接入线路为通用的接入线路，该线路包括火线和零线。

结合图2示出的本实用新型一种新型辅助供电电路实施例一的电路原理图可知，第一启动电路20包括全波整流器件BD1、电阻R1以及电阻R2，全波整流器件BD1的第一端接地、第二端与外部电源10的火线连接、第三端与外部电源10的零线连接、第四端经电阻R1以及电阻R2与第一芯片电路40连接。

第二启动电路30包括电容C1、电容C2、绕组L1、绕组L3、绕组L5、MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、电容CE1以及二极管D4，电容C1的正极与绕组L1的一端均与全波整流器件BD1的第四端连接，绕组L1的另一端分别与二极管D4的阳极以及MOSFET管Q1的漏极连接，电容C1的阴极、MOSFET管Q1的源极以及电容CE1的负极均接地，电容CE1的正极分别与二极管D4的阴极以及MOSFET管Q2的漏极连接，MOSFET管Q2的源极经MOSFET管Q3接地，绕组L5的一端经绕组L3与所述MOSFET管Q2的源极连接、另一端经电容C2接地。

第二启动电路30还包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7以及电阻R8,电阻R3的一端以及电阻R6的一端均与二极管D4的阴极连接，电阻R3的另一端经电阻R4、电阻R5与第二芯片电路50的输出端连接，电阻R6的另一端经电阻R7、电阻R8与第二芯片电路50的输出端连接。

第一芯片电路40包括芯片U1、电容C4，芯片U1的第九引脚与第一启动电路连接，该芯片U1可以是PFC芯片，芯片U1的VCC引脚分别与所述二极管D1的阴极以及电容C4的阳极连接，芯片U1的GND引脚与电容C4的阴极均接地。

第一绕组电路60包括绕组L2、电阻R9、电容C3、二极管D2、二极管D3以及电容CE2，绕组L2的一端经电阻R9以及电容C3与二极管D3的阴极连接，二极管D2的阳极与二极管D3的阴极连接，二极管D2的阴极分别与第一芯片电路的输出端、二极管D1的阴极以及电容CE2的正极连接，绕组L2的另一端、二极管D3阳极以及电容CE2的负极均接地。

第二芯片电路50包括芯片U2、电阻R13、电阻R14、电阻R15、光耦U5以及电容C5，该芯片U2可以是PWM芯片，芯片U2的VCC引脚经电阻R13与二极管D1的阳极连接芯片U2的第四引脚分别与电阻R14的一端以及电阻R15的一端连接，电阻R14的另一端经光耦U5接地，电阻R15的另一端与芯片U2的GND引脚均接地。

第二绕组电路70包括绕组L4、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、二极管D5、电容CE3、电容CE4、三极管Q4、稳压二极管ZD1以及稳压二极管ZD2，绕组L4的一端分别与电阻R9的一端以及电阻R10的一端连接，电阻R9的另一端以及电阻R10的另一端均与二极管D5的阳极连接，二极管D5的阴极分别与电容CE3的正极以及电阻R12的一端连接，电阻R12的另一端分别与三极管Q4的基极以及稳压二极管ZD1的阴极连接；三极管Q4的集电极分别与电阻R12的一端以及电阻R11的一端连接，电阻R11的另一端分别与电容CE4的正极以及三极管Q4的发射极连接，三极管Q4的发射极分别与第一芯片电路40的输出端以及稳压二极管ZD2的阴极连接，绕组R4的另一端、电容CE3的负极、稳压二极管ZD1的阳极、电容CE4的负极以及稳压二极管ZD2的阳极均接地。

可以理解的，当接入外部电源10时，第一启动电路20中的电阻R1和电阻R2提供高电压来启动芯片U1工作，同时绕组L2阶段性地为芯片U1提供供电电压；第二启动电路30中的电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7以及电阻R8提供高电压来启动芯片U2工作，绕组L4稳定地为芯片U2提供供电电压。

可以理解的，电容CE2规格可以设置为22uF，从而先充满电，电容CE6可以设置为68uF，从而后充满电。因为有二极管D1的存在，芯片U1的输出端电压VCC1无法到芯片U2的输出端，所以芯片U1先启动，芯片U2后启动。因此在开机时序上能得到先后顺序。

可以理解的，当U2芯片限流或短路时，通过光耦U5拉低U2的4脚电压，第二芯片电路50检测到异常来调节开关频率,导致输出电压降低，同时L4绕组电压降低，供电电压VCC2降低。芯片U2供电不足，因此芯片U2不工作。当芯片U2输出电压降低时，通过光耦U5，不再拉低芯片U2的4脚，电源正常工作。而当U2芯片还处限流或短路时，该第二芯片电路50再次检测到异常，通过光耦U5再拉低拉低芯片U2的4脚，导致输出电压降低，同时L4绕组电压降低，使得供电电压VCC2降低。如此不断重复此状态(打嗝状态)。芯片U2的次级的功率器件不需持续承受电压及电流应力，而只需断续的承受电压及电流应力。整个供电电源电路也一直处在低功耗状态，从而提高了整个供电电源电路的稳定性，并且在增强了该电路的稳定性能的同时，付出的成本低。

可以理解的，以上实施例仅表达了本实用新型的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制；应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，可以对上述技术特点进行自由组合，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围；因此，凡跟本实用新型权利要求范围所做的等同变换与修饰，均应属于本实用新型权利要求的涵盖范围。

Claims (10)

1.一种新型辅助供电电路，其特征在于，包括均用于接入外部电源的第一启动电路与第二启动电路、与所述第一启动电路连接的第一芯片电路、与所述第二启动电路连接的第二芯片电路、与所述第一芯片电路连接并为所述第一芯片电路提供第一电压VCC1的第一绕组电路、以及与所述第二芯片电路连接并为所述第二芯片电路提供第二供电电压VCC2的第二绕组电路，所述第一芯片电路的输出端经二极管D1与所述第二芯片电路的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的新型辅助供电电路，其特征在于，所述第一启动电路包括全波整流器件BD1、电阻R1以及电阻R2，所述全波整流器件BD1的第一端接地、第二端与所述外部电源的火线连接、第三端与所述外部电源的零线连接、第四端经所述电阻R1以及电阻R2与所述第一芯片电路连接。

3.根据权利要求2所述的新型辅助供电电路，其特征在于，所述第二启动电路包括电容C1、电容C2、绕组L1、绕组L3、绕组L5、MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、电容CE1以及二极管D4，所述电容C1的正极与所述绕组L1的一端均与所述全波整流器件BD1的第四端连接，所述绕组L1的另一端分别与所述二极管D4的阳极以及所述MOSFET管Q1的漏极连接，所述电容C1的阴极、MOSFET管Q1的源极以及所述电容CE1的负极均接地，所述电容CE1的正极分别与所述二极管D4的阴极以及MOSFET管Q2的漏极连接，所述MOSFET管Q2的源极经所述MOSFET管Q3接地，所述绕组L5的一端经所述绕组L3与所述MOSFET管Q2的源极连接、另一端经所述电容C2接地。

4.根据权利要求3所述的新型辅助供电电路，其特征在于，所述第二启动电路还包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7以及电阻R8,所述电阻R3的一端以及电阻R6的一端均与所述二极管D4的阴极连接，所述电阻R3的另一端经所述电阻R4、电阻R5与所述第二芯片电路的输出端连接，所述电阻R6的另一端经所述电阻R7、电阻R8与所述第二芯片电路的输出端连接。

5.根据权利要求1所述的新型辅助供电电路，其特征在于，所述第一芯片电路包括芯片U1、电容C4，所述芯片U1的第九引脚与所述第一启动电路连接，所述芯片U1的VCC引脚分别与所述二极管D1的阴极以及所述电容C4的阳极连接，所述芯片U1的GND引脚与所述电容C4的阴极均接地。

6.根据权利要求1所述的新型辅助供电电路，其特征在于，所述第一绕组电路包括绕组L2、电阻R9、电容C3、二极管D2、二极管D3以及电容CE2，所述绕组L2的一端经所述电阻R9以及所述电容C3与所述二极管D3的阴极连接，所述二极管D2的阳极与所述二极管D3的阴极连接，所述二极管D2的阴极分别与所述第一芯片电路的输出端、二极管D1的阴极以及所述电容CE2的正极连接，所述绕组L2的另一端、二极管D3阳极以及电容CE2的负极均接地。

7.根据权利要求1所述的新型辅助供电电路，其特征在于，所述第二芯片电路包括芯片U2、电阻R13、电阻R14、电阻R15、光耦U5以及电容C5，所述芯片U2的VCC引脚经所述电阻R13与所述二极管D1的阳极连接。

8.根据权利要求7所述的新型辅助供电电路，其特征在于，所述芯片U2的第四引脚分别与所述电阻R14的一端以及电阻R15的一端连接，所述电阻R14的另一端经所述光耦U5接地，所述电阻R15的另一端与所述芯片U2的GND引脚均接地。

9.根据权利要求1所述的新型辅助供电电路，其特征在于，所述第二绕组电路包括绕组L4、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、二极管D5、电容CE3、电容CE4、三极管Q4、稳压二极管ZD1以及稳压二极管ZD2，所述绕组L4的一端分别与所述电阻R9的一端以及电阻R10的一端连接，所述电阻R9的另一端以及电阻R10的另一端均与所述二极管D5的阳极连接，所述二极管D5的阴极分别与所述电容CE3的正极以及所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端分别与所述三极管Q4的基极以及所述稳压二极管ZD1的阴极连接。

10.根据权利要求9所述的新型辅助供电电路，其特征在于，所述三极管Q4的集电极分别与所述电阻R12的一端以及电阻R11的一端连接，所述电阻R11的另一端分别与所述电容CE4的正极以及所述三极管Q4的发射极连接，所述三极管Q4的发射极分别与所述第一芯片电路的输出端以及稳压二极管ZD2的阴极连接，所述绕组R4的另一端、电容CE3的负极、稳压二极管ZD1的阳极、电容CE4的负极以及稳压二极管ZD2的阳极均接地。