CN207817402U - 光刻装置及其主基板结构与主基板单元 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种光刻装置及其主基板结构与主基板单元，所述主基板结构包括主基板，所述主基板由铝合金制成，所述主基板内设有调温通道，所述调温通道内流通有用于调节温度的调温流体。本实用新型提供的光刻装置及其主基板结构与主基板单元，通过以铝合金材料的主基板代替现有材料的基板，可以利用铝材料的导热系数较高的特点使得热量可以快速在基板内传递，避免了温度的变化带来的形变。同时，本实用新型还通过调温通道以及所述调温通道内流通有用于调节温度的调温流体，进一步以主动调节的方式调节了基板的温度。

Description

光刻装置及其主基板结构与主基板单元

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种光刻装置及其主基板结构与主基板单元。

背景技术

曝光设备中，配置有照射装置和测量装置，其中，照射装置，用于将掩模板上的图形投影影射到胶片上进行曝光，以产生与之相对应的图形。其可以包括投影物镜、曝光光束、掩模台等等；测量装置，用于测量并对准硅片台、传感器以及投影物镜之间的相对位置，其可以包括干涉仪、传感器等。

测量装置固定于主基板上，主基板的变形量直接影响测量的准确性，因此测量、曝光过程中的热形变需控制在1nm/5min。

现有的相关技术中，主机板采用例如因瓦合金(Invar)的材料，其热膨胀系数较低，这使得主基板结构中热传导速度慢，使得现有的主基板易于发生形变，进而影响测量的准确性。

实用新型内容

本实用新型提供了一种光刻装置及其主基板结构与主基板单元，以解决主基板易于发生形变的问题。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种主基板结构，包括主基板，所述主基板由铝合金制成，所述主基板内设有调温通道，所述调温通道内流通有用于调节温度的调温流体。

可选的，所述调温通道包括用于接收流体供应的供应端、用于输出流体回流的回流端。

可选的，所述供应端和/或所述回流端分别通过法兰接头对外连接。

可选的，所述供应端和/或所述回流端与所述法兰接头连接处设置轴向和/或端面密封结构。

可选的，所述主基板内设有旁通通道，所述旁通通道连通所述调温通道与所述主基板外；所述旁通通道为加工所述调温通道时产生的；所述旁通通道的对外开口端端面设置有法兰堵头。

可选的，所述调温通道与所述法兰堵头连接处设置轴向和/或端面密封结构。

可选的，所述调温流体与所述调温通道内壁发生反应并形成氧化铝薄膜。

根据本实用新型的第二方面，提供了一种主基板单元，包括第一方面及其可选方案的主基板结构，以及调温装置；所述调温装置，用于向所述主基板供应所述调温流体，以调节所述主基板的温度。

可选的，所述调温装置包括：温控单元、用于储存流体的流体存储单元和流体驱动单元；

所述温控单元，用于调节所述流体存储单元中流体的温度或自所述流体存储单元输送至所述调温通道的流体的温度；

所述流体驱动单元，用于在所述流体存储单元与所述调温通道间形成流体的环流，以向所述调温通道供应经所述温控单元调节温度后的所述调温流体。

可选的，所述的主基板单元还包括：控制单元和温度探测单元；

所述温度探测单元，用于检测所述主基板的温度；

所述控制单元，用于根据所述温度探测单元检测到的温度和预设温度值，向所述温控单元输出相应的控制信号；

所述温控单元，具体用于根据所述控制信号控制所述流体存储单元中流体的温度或自所述流体存储单元输送至所述调温通道的流体的温度、压力、流速中的至少一项。

可选的，所述控制单元包括PID控制器。

可选的，若所述温度探测单元的数量为若干个，所述控制单元，具体用于根据若干个所述温度探测单元测得的温度的平均值和所述预设温度值，向所述温控单元输出相应的控制信号。

可选的，所述流体驱动单元的输出侧设有用于调节流体流动速度的速度调节装置。

可选的，所述流体驱动单元的输出侧设有水利阻尼器。

可选的，所述流体存储单元还连通有供气通路和/或供液通路，所述供气通路和/或供液通路设有调节阀，所述调节阀调节所述供气通路和/或供液通路的压力和/或流速。

可选的，所述的主基板单元，还包括：供应管路和回流管路，所述供应管路设于所述供应端与所述调温装置之间，所述回流管路设于所述回流端与所述调温装置之间。

可选的，若所述供应端和所述回流端的数量N个，其中，N为大于或等于2的整数，且每个所述供应端对应连通至一个所述回流端；

所述供应管路包括供应干路、分流块和N个供应支路，所述供应干路连接所述调温装置和所述分流块的输入端，所述分流块的输出端通过所述N个供应支路分别连接N个供应端；

所述回流管路包括回流干路、集水块和N个回流支路，所述回流干路连接所述调温装置和所述集水块的输出端，所述集水块的输入端通过所述N个回流支路分别连接N个回流端。

根据本实用新型的第三方面，提供了一种光刻装置，包括光源单元、物镜单元、工件台单元和第二方面及其可选方案的主基板单元，所述物镜单元安装于所述主基板上。

本实用新型提供的光刻装置及其主基板结构与主基板单元，通过以铝合金的主基板代替现有材料的基板，可以利用铝材料的导热系数较高的特点使得热量可以快速在基板内传递，避免了温度的变化带来的形变。同时，本实用新型还通过调温通道以及所述调温通道内流通有用于调节温度的调温流体，进一步以主动调节的方式调节了基板的温度。

此外，本实用新型以铝合金的主基板代替现有材料的基板，还可降低制造成本，提高了可加工性，缩短了加工周期。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的 附图。

图1是现有技术中曝光设备的结构示意图；

图2是现有技术中基板的热负荷示意图；

图3是本实用新型一主基板单元的结构示意图一；

图4是本实用新型一主基板结构的结构示意图；

图5是本实用新型一主基板单元的结构示意图二；

图6是本实用新型一主基板单元的结构示意图三。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

下面以具体地实施例对本实用新型的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

图1是现有技术中曝光设备的结构示意图。

请参考图1，曝光设备包含测量装置、照射装置与工件台，照射装置可以包括曝光光源(未图示)、掩模台2、投影物镜3，曝光光束1由曝光光源发出，经过掩模台2、投影物镜3照射至工件台所承载的基底上；测量装置可以包括测量光源(未图示)与测量用传感器；测量光束7由测量光源发出；工件台承载基底运动，其中，工件台5可以理解为处于曝光工位的工件台，工件台6可以理解为处于测量工位的工件台，工件台5和工件台6可以为同一工件台的不同位置，也可以为两个分别处于不同工位的工件台。主基板4位于曝光设备的核心区域，投影物镜3固定于主基板4上，此外主基板4上还可以安装测量用传感器，测量用传感器可精确检测工件台和/或基底的位置和/或移动。测量用传感器固定点与投影物镜3之间的位移的变化将引起测量误差，导致曝光精度的降低，因此需严格控制主基板4的变形量。

引起主基板4形变的原因有多种，如重力、受力不均匀等原因。根据曝 光设备的工作工序，每次测量、曝光时，都重新标定基准位置，因此主要关注测量、曝光过程时主基板4的变形，可以列举为5分钟的变形量。主基板4的短期变形，主要考虑其外表面热负荷的变化引起的热变形。

图2是现有技术中基板的热负荷示意图；其中，

△Q_top(t)表征主基板4上表面的热负荷变化量，△Q_bot(t)表征主基板4下表面的热负荷变化量，△Q_lens(t)表征主基板物镜周围的热负荷变化量。

图3是本实用新型一主基板单元的结构示意图一；图4是本实用新型一主基板结构的结构示意图。

请参考图3和图4，提供了一种主基板结构，包括主基板101，所述主基板101由铝材料制作，优选铝合金材料，应用于曝光设备，所述主基板101内设有调温通道100，所述调温通道100内流通有用于调节所述主基板101温度的调温流体。

调温通道100，可以理解为任意能够实现流体流通的通道，且调温通道100内的流体能够通过热传导影响主基板101的温度。

其中，流体可以为液体、气体或气液混合物，液体可以包括水等，气体优选洁净空气。调温可以包括降温、加温、维持指定温度或实现特定温度变化。

本实施例选用铝材料作为主基板的材料，以下表1示意了一种瓦合金(Invar)材料与一种铝(Aluminium)材料的特性参数。

表1

从表1中可以看出，铝材料的密度可以只有瓦合金材料的三分之一，故而，采用铝材料，可以极大的减少基板的重量，具体实施方式中，可采用实 心结构的主基板101，从而降低制造成本。铝材料的高导热系数使得热量可以快速在主基板101内传递，结合毕渥数准则，当毕渥数小于等于0.1时，说明固体内部导热热阻远小于界面上换热热阻，对于瞬态问题，可采用集中参数法求解。因此，主基板101的变形主要考虑单一方向的整体线变形，其单点变形可忽略。

铝材料的热膨胀系数远高于瓦合金材料，根据以下式1，假定光轴长度为0.5m，则5分钟时长1nm/0.5m的变形量要求基板自身的温度变化值为0.08mk。

△L(t＝5min)＝L_meas×CTE×△T(t＝5min)……………………(式1)

其中：

△L表征热变形量，单位为m；

L_meas表征测量长度，单位为m；

CTE表征热膨胀系数，单位为：1/K；

△T(t＝5min)表征5分钟的温度变化值，单位为K。

为有效控制主基板的温度及5分钟的温度稳定性，本实施例对主基板101采用主动冷却的方式，即通过调温通道以及所述调温通道内流通有用于调节所述主基板温度的流体，进一步以主动调节的方式调节了基板的温度。具体实施过程中，调温装置输出的流体温度的稳定性可以使得偏差小于或等于8mk/5min。

请参考图3和图4，其中一种实施方式中，所述调温通道100包括用于接收流体供应的供应端、用于输出流体回流的回流端。具体的，还可包括曝光位区段和测量位区段，所述曝光位区段位于所述铝制的主基板的曝光区域，所述测量位区段位于所述铝制的主基板的测量区域；所述曝光位区段位于所述供应端和所述回流端之间；所述测量位区段设于所述供应端和所述回流端之间；且所述主基板可以设置若干个供应端和若干个回流端，所述若干个供应端对应连通至所述若干个回流端，所述若干个供应端可以与所述若干个回流端一一对应，也可以多个供应端对应一个回流端。

其中，所述曝光设备包括用于对硅片曝光的照射装置以及用于测量硅片位置并对其进行位置对准的测量装置，有关照射装置、测量装置，可参照前文理解。

曝光区域，为所述主基板中所述照射装置曝光时所处区域；其也可理解为安装投影物镜的位置的附近区域。

测量区域，为所述主基板中所述测量装置测量时所处区域；其也可理解为安装测量用传感器的位置的附近区域。

具体实施过程中，所述供应端和回流端分别通过接头对外连接，可以是螺纹连接、法兰连接或其他连接方式，本实例优选法兰接头。请参考图4，供应端和回流端的结构可参照图4中调温通道100的对外一端理解，具体的，可以设有法兰接头114，调温通道100通过法兰接头114对外连接，其中可以为：所述供应端和/或所述回流端分别通过法兰接头114对外连接。采用法兰连接，与螺纹连接方式相比，有效解决了接头操作过程引起的主基板101表面氧化膜的破坏以及调温通道100密封性等问题。

进一步的，所述供应端和/或所述回流端与所述法兰接头连接处设置轴向和/或端面密封结构。具体的，密封结构可以为密封圈115，法兰接头114可通过卡套接头113对外连接，具体可通过卡套接头113连接供应管路或回流管路。卡套接头113可以采用不锈钢的，不锈钢的卡套接头113安装在法兰接头114内，法兰接头114固定于主基板101内，法兰接头114与主基板101使用O型的密封圈115轴向、端面双密封，也可理解为法兰接头114与主基板101的调温通道100使用O型的密封圈115轴向或端面密封可保证冷却水不会泄露，优选轴向、端面双密封。

所述主基板101内设有旁通通道123，所述旁通通道123连通所述调温通道100与所述主基板101外；所述旁通通道123为加工所述调温通道时产生的，其中，由于通道为自主基板101表面开孔加工得到的，为了满足通道的不同走向，会因加工产生不需使用的旁通通道123，为了使得此类旁通通道123不影响调温通道100，可以对旁通通道123进行封闭，具体的，所述旁通通道123的对外开口端端面设置有法兰堵头116。采用法兰堵头116的方式，还可以有利于防止对外开口处被流体侵蚀。

根据加工产生调温通道100的方式不同，在其中一种实施方式中，也可能不具有旁通通道。

其中一种实施方式中，所述调温流体与所述调温通道100内壁发生反应并形成氧化铝薄膜。通过氧化铝薄膜，可以有效保护调温通道100不被腐蚀。 具体的，铝与流体中的氧气生成致密的氧化膜，附着于通道的表面，从而阻止调温通道100与流体进一步的反应，保护调温通道100不被腐蚀。

其中一种实施方式中，一个所述供应端和对应的一个所述回流端之间设有所述曝光位区段和所述测量位区段。本实施例方式可以图3示意的方式供应流体。该实施方式以较为简单的通路实现了曝光位区段和测量位区段的流体流动，以通过一个通路同时实现曝光区域和所述测量区域的同时调温。

另一种实施方式中，一个所述供应端和对应的一个所述回流端之间设有所述曝光位区段；另一个所述供应端和对应的另一个所述回流端之间设有所述测量位区段。图5是本实用新型一主基板单元的结构示意图二，本实施方式可以图5示意的方式供应流体。该实施方式下，曝光位区段与测量位区段互相不连通，进而可以分别通过一个通路实现曝光区域的调温，通过另一个通路实现测量区域的调温，以提高调温的效率和反应速度。

以上两种实施方式可以根据调温的效率需求任意采用其中任意之一，也可组合以上两种实施方式，部分供应端与回流端间同时设有曝光位区段和测量位区段，部分供应端与回流端间同时仅设有曝光位区段；部分供应端与回流端间同时仅设有测量位区段。

综上，本实施例提供的铝基板，通过以铝合金的主基板代替现有材料的基板，可以利用铝材料的导热系数较高的特点使得热量可以快速在基板内传递，避免了温度的变化带来的形变。同时，本实用新型还通过调温通道以及所述调温通道内流通有用于调节温度的调温流体，进一步以主动调节的方式调节了基板的温度。

此外，本实用新型以铝合金的主基板代替现有材料的基板，还可降低制造成本，提高了可加工性，缩短了加工周期。

请参考图3，所述的主基板单元，包括以上所涉及的主基板结构，还可以包括调温装置104；所述调温装置104，用于向所述主基板101供应所述调温流体，以调节所述主基板101的温度。

调温装置104，可以理解为能够通过供应流体实现主基板101温度调节的任意装置，其具体可以为自动调节的，也可以为手动调节的，其供应流体后，可以还对流体进行回收，也可以不进行回收，而由其他机构实现流体的回收，即调温装置104连接所述供应端，在调温装置104还进行流体回收的 实施例中，调温装置104还连接所述回流端。

其中一种实施方式中，所述调温装置104包括：温控单元、用于储存流体的流体存储单元和流体驱动单元；其中，流体存储单元可以为箱体，流体驱动单元可以为流体泵。

所述温控单元，用于调节所述流体存储单元中流体的温度或自所述流体存储单元输送至所述调温通道的流体的温度和/或流量。具体的，对于温度的调节，温控单元可以以任意调节温度的方式，例如：可以采用热交换的方式调节温度，也可以采用热吸收装置或热释放装置等来实现。对于流量的调节，也可以采用任意调节流量的方式来实现，例如可以采用设置阀门的方式，通过调节阀门的开启度调节流量，也可以直接控制流体驱动单元的驱动力大小来实现。

具体实施过程中，温控单元还可通过另一测温传感器测试流体存储单元内流体的温度或自流体存储单元输出的流体的温度，进而同时根据控制信号以及测温传感器检测的结果进行进一步的控制。

所述流体驱动单元，用于在所述流体存储单元与所述调温通道间形成流体的环流，以向所述调温通道供应经所述温控单元调节温度后的所述调温流体。具体的，以箱体为例的流体存储单元可以分别连通至所述供应端和对应的回流端，以实现流体的环流流动。可见，其为可为流体提供了内循环的动力。

输送至主基板101后，流经主基板101内部，将主基板101热负荷带走，换热后的流体可回至调温装置104，具体可回至以箱体为例的流体存储单元。

其中一种实施方式中，所述的曝光设备还包括：控制单元103和温度探测单元102；其中，控制单元103可以包括PID控制器或其他常规控制器；温度探测单元102可以为任意类型的温度传感器。

所述温度探测单元102，用于检测所述主基板101的温度。温度探测单元102数量以及分布位置，可以根据主基板101的结构及测量需求具体设计，而不限于图3和图5示意的一个。此外，图6是本实用新型一主基板单元的结构示意图三，其中示意了具有两个温度探测单元102的实施方式。本实用新型可选的实施方案中，温度探测单元102的数量也可以为大于二的整数。

所述控制单元103，用于根据所述温度探测单元102检测到的温度和预 设温度值，向所述温控单元输出相应的控制信号。

所述温控单元，具体用于根据所述控制信号控制所述流体存储单元中流体的温度或自所述流体存储单元输送至所述调温通道的流体的温度。

将预设温度值与实测温度值对比，经过温度控制算法后，将控制信号输出至温控单元，调节温控单元控制的流体的温度，从而调节主基板101的温度，以此可以形成闭环温度控制系统。

其中一种实施方式中，请参考图6，若所述温度探测单元102的数量为M个，其中，M为大于或等于2的整数，其也可理解为温度探测单元102的数量为若干个；所述控制单元103，具体用于根据M个所述温度探测单元102测得的温度的平均值和所述预设温度值，向所述温控单元输出相应的控制信号。通过多点的测温，可以更全面反映主基板101的温度情况，以达到更有针对性的调温处理。

其中一种实施方式中，以流体泵为例的流体驱动单元本身可以有效控制流体的速度，同时，所述流体驱动单元的输出侧也可设有用于调节流体流动速度的速度调节装置，通过有效控制流体的速度，使流体以一定的速度流动，可以限制流体在管路和通道中引起的振动。具体实施过程中，以一定速率流动的流体每分钟的流量可以到达10～12升。

所述流体驱动单元的输出侧还可设有水利阻尼器。水利阻尼器可降低流体振动，可有效控制管路和通道内压力突然变化引起的主基板101的振动(如开关阀门或开大关小阀门造成水击使管路中的压力突然变大或减小)。水利阻尼器也可理解为一种蓄能器。

此外，以流体泵为例的流体驱动单元的输入侧也可增设一单向阀，防止当流体驱动单元停动时流体回流。

所述流体存储单元还连通有供气通路107，所述供气通路107设有单个或多个调节阀，用于调控气体供气，具体可用于调节供气通路的压力和/或流速，例如设有节流阀108、调压阀109和球阀110，也可设置流量、压力、温度等测量监控模块。优选FAB(厂务)提供的洁净压缩空气(英文缩写为CDA)，可由调压阀109进行压力调节，由节流阀108进行流量调节，经过调压、限流后的洁净CDA通过气体供气通路107持续供给温控单元，通入流体存储单元内。在其他可选实施方式中，也可采用毛细管控制洁净CDA的压力及流量。 生产氧化膜的氧气部分可从所供气体中获得，同时，气体还可有利于流体的净化和流通。

所述流体存储单元还可连通有供液通路，供液通路也可设有调节阀，用于调节供液通路的压力和/或流速。流体存储单元可以通过供液通路连通流体源。供液通路可以包括输入通路112与输出通路111。

请参考图3、图5和图6，所述的主基板单元，还包括：供应管路106和回流管路105，所述供应管路106设于所述供应端与所述调温装置104之间，所述回流管路105设于所述回流端与所述调温装置104之间。

该实施方式可应用于一个所述供应端和对应的一个所述回流端之间设有所述曝光位区段和所述测量位区段的情况。以较为简单的回路方式实现了曝光位区段和测量位区段的流体流动，以通过一个通路同时实现曝光区域和所述测量区域的调温。

其中一种实施方式中，请参考图5，若所述供应端和所述回流端的数量N个，其中，N为大于或等于2的整数，且每个所述供应端对应连通至一个所述回流端；

所述供应管路106包括供应干路122、分流块121和N个供应支路120，所述供应干路122连接所述调温装置104和所述分流块121的输入端，所述分流块121的输出端通过所述N个供应支路120分别连接N个供应端。

所述回流管路105包括回流干路119、集水块118和N个回流支路117，所述回流干路119连接所述调温装置104和所述集水块118的输出端，所述集水块118的输入端通过所述N个回流支路117分别连接N个回流端。

该实施方式可以应用于一个所述供应端和对应的一个所述回流端之间设有所述曝光位区段；另一个所述供应端和对应的另一个所述回流端之间设有所述测量位区段的情况。该实施方式下，曝光位区段与测量位区段互相不连通，进而可以分别通过一个通路实现曝光区域的调温，通过另一个通路实现测量区域的调温，由于流体在调温通道100中流动的路径长度相对较少，可以提高调温的效率。

以上各管路的当量直径可以为10～20mm。

综上所述，本实用新型提供的曝光设备及其铝基板，通过以铝基板代替现有材料的基板，可以利用铝材料的导热系数较高的特点使得热量可以快速 在基板内传递，避免了温度的变化带来的形变。同时，本实用新型还通过调温通道以及所述调温通道内流通有用于调节所述铝基板温度的流体，进一步以主动调节的方式调节了基板的温度。

此外，本实用新型以铝基板代替现有材料的基板，还可降低制造成本，提高了可加工性，缩短了加工周期。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (18)

1.一种主基板结构，其特征在于，包括主基板，所述主基板由铝合金制成，所述主基板内设有调温通道，所述调温通道内流通有用于调节温度的调温流体。

2.根据权利要求1所述的主基板结构，其特征在于，所述调温通道包括用于接收流体供应的供应端、用于输出流体回流的回流端。

3.根据权利要求2所述的主基板结构，其特征在于，所述供应端和/或所述回流端分别通过法兰接头对外连接。

4.根据权利要求3所述的主基板结构，其特征在于，所述供应端和/或所述回流端与所述法兰接头连接处设置轴向和/或端面密封结构。

5.根据权利要求1所述的主基板结构，其特征在于，所述主基板内设有旁通通道，所述旁通通道连通所述调温通道与所述主基板外；所述旁通通道为加工所述调温通道时产生的；所述旁通通道的对外开口端端面设置有法兰堵头。

6.根据权利要求5所述的主基板结构，其特征在于，所述调温通道与所述法兰堵头连接处设置轴向和/或端面密封结构。

7.根据权利要求1所述的主基板结构，其特征在于，所述调温流体与所述调温通道内壁发生反应并形成氧化铝薄膜。

8.一种主基板单元，其特征在于，包括根据权利要求1至7任一项所述的主基板结构，以及调温装置；所述调温装置，用于向所述主基板供应所述调温流体，以调节所述主基板的温度。

9.根据权利要求8所述的主基板单元，其特征在于，所述调温装置包括：温控单元、用于储存流体的流体存储单元和流体驱动单元；

所述温控单元，用于调节所述流体存储单元中流体的温度或自所述流体存储单元输送至所述调温通道的流体的温度；

所述流体驱动单元，用于在所述流体存储单元与所述调温通道间形成流体的环流，以向所述调温通道供应经所述温控单元调节温度后的所述调温流体。

10.根据权利要求9所述的主基板单元，其特征在于，还包括：控制单元和温度探测单元；

所述温度探测单元，用于检测所述主基板的温度；

所述控制单元，用于根据所述温度探测单元检测到的温度和预设温度值，向所述温控单元输出相应的控制信号；

所述温控单元，具体用于根据所述控制信号控制所述流体存储单元中流体的温度或自所述流体存储单元输送至所述调温通道的流体的温度、压力、流速中的至少一项。

11.根据权利要求10所述的主基板单元，其特征在于，所述控制单元包括PID控制器。

12.根据权利要求10所述的主基板单元，其特征在于，所述温度探测单元的数量为若干个，所述控制单元，具体用于根据若干个所述温度探测单元测得的温度值和所述预设温度值，向所述温控单元输出相应的控制信号。

13.根据权利要求9所述的主基板单元，其特征在于，所述流体驱动单元的输出侧设有用于调节流体流动速度的速度调节装置。

14.根据权利要求9所述的主基板单元，其特征在于，所述流体驱动单元的输出侧设有水利阻尼器。

15.根据权利要求9所述的主基板单元，其特征在于，所述流体存储单元还连通有供气通路和/或供液通路，所述供气通路和/或供液通路设有调节阀，所述调节阀调节所述供气通路和/或供液通路中的压力和/或流速。

16.根据权利要求8所述的主基板单元，其特征在于，还包括：供应管路和回流管路，所述供应管路设于所述调温通道的供应端与所述调温装置之间，所述回流管路设于所述调温通道的回流端与所述调温装置之间。

17.根据权利要求16所述的主基板单元，其特征在于，若所述供应端和所述回流端的数量N个，其中，N为大于或等于2的整数，且每个所述供应端对应连通至一个所述回流端；

所述供应管路包括供应干路、分流块和N个供应支路，所述供应干路连接所述调温装置和所述分流块的输入端，所述分流块的输出端通过所述N个供应支路分别连接N个供应端；

所述回流管路包括回流干路、集水块和N个回流支路，所述回流干路连接所述调温装置和所述集水块的输出端，所述集水块的输入端通过所述N个回流支路分别连接N个回流端。

18.一种光刻装置，其特征在于，包括光源单元、物镜单元、工件台单元和如权利要求8-17任意之一所述的主基板单元，所述物镜单元安装于所述主基板上。