CN207719219U - 一种高压双向触发二极管扩散片 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种高压双向触发二极管扩散片,包括壳体,所述壳体的内部填充有环氧树脂封层,且环氧树脂封层的内部中部设有芯片,所述芯片的两侧对称焊接有焊片,两个所述焊片远离芯片的一侧均连接有铜引线接头,且铜引线接头远离焊片的一侧连接有铜引线,所述壳体和环氧树脂封层的内部均设有供铜引线排线的引线框架,所述铜引线置于引线框架的内部,且铜引线穿过引线框架的内壁向外延伸。本实用新型结构简单,易操作,具有耐高压的特点,能够过压保护电路,避免电路中的负载受到过压损害,提高了整个电路的稳定性和安全性,适宜广泛推广。

Description

一种高压双向触发二极管扩散片
技术领域
本实用新型涉及电子元器件技术领域,尤其涉及一种高压双向触发二极管扩散片。
背景技术
双向触发二极管亦称二端交流器件(DIAC),与双向晶闸管同时问世。由于它结构简单、价格低廉,所以常用来触发双向晶闸管,还可构成过压保护等电路。双向触发二极管的构造、符号及等效电路。高压双向触发二极管(SIDAC)是一种二端半导体器件,其内部结构与双向晶闸管十分相似,区别在于没有触发门极,是电压自触发器件。SIDAC的工作状态如同一个开关,当电压低于断态峰值电压VDRM时,其漏电流IDRM极小(小于微安量级),为断开状态;当电压超过其击穿电压UBO时,产生瞬间雪崩效应,该雪崩电流一旦超过开关电流IS,即进入雪崩倍增,在雪崩倍增下器件的阻抗骤然减小,电压降为导通电压(V<1.5V),此时,SIDAC进入导通状态,允许通过大的通态电流(0.7-2A,RMS值),当电流降到最小维持电流IH值之下时SIDAC恢复到断开状态。但是现有的高压双向触发二极管可靠性差,耐高压能力差,而且性能极不稳定,不能有效的保护电路中的负载,使得整个电路的安全性不高,导致生产成本的提高和资源的浪费。
实用新型内容
为了解决上述背景技术中提到的问题,本实用新型提供一种高压双向触发二极管扩散片。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种高压双向触发二极管扩散片,包括壳体,所述壳体的内部填充有环氧树脂封层,且环氧树脂封层的内部中部设有芯片,所述芯片的两侧对称焊接有焊片,两个所述焊片远离芯片的一侧均连接有铜引线接头,且铜引线接头远离焊片的一侧连接有铜引线,所述壳体和环氧树脂封层的内部均设有供铜引线排线的引线框架,所述铜引线置于引线框架的内部,且铜引线穿过引线框架的内壁向外延伸。
优选地,所述芯片为NPN三层结构的硅片,芯片包括第一N型半导体、P型半导体和第二N型半导体。
优选地,所述引线框架的内壁设有固定块。
优选地,所述壳体的外壁设有若干个空脚。
优选地,所述壳体的外壁对称设有两个接地端。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:芯片的外壁封装有环氧树脂封层,具有良好的绝缘性,将二极管安装在电路板中,壳体的外壁设置有用于接地保护的接地端,使用时更加安全,通过固定块将铜引线固定于引线框架的内壁,增加了铜引线的稳定性,避免铜引线松动而造成接触不良的局面,当电路中的电压过大后,高压双向触发二极管进入导通状态,使后面的负载免受过压损害,保护电路。本实用新型结构简单,易操作,具有耐高压的特点,能够过压保护电路,避免电路中的负载受到过压损害,提高了整个电路的稳定性和安全性,适宜广泛推广。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型芯片的结构示意图。
图中:壳体1、环氧树脂封层2、芯片3、焊片4、铜引线接头5、引线框架6、铜引线7、固定块8、空脚9、接地端10、第一N型半导体11、P型半导体12、第二N型半导体13。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-2,一种高压双向触发二极管扩散片,包括壳体1,壳体1的内部填充有环氧树脂封层2,且环氧树脂封层2的内部中部设有芯片3,芯片3的两侧对称焊接有焊片4,两个焊片4远离芯片3的一侧均连接有铜引线接头5,且铜引线接头5远离焊片4的一侧连接有铜引线7,壳体1和环氧树脂封层2的内部均设有供铜引线7排线的引线框架6,铜引线7置于引线框架6的内部,且铜引线7穿过引线框架6的内壁向外延伸。
具体的,芯片3为NPN三层结构的硅片,芯片3包括第一N型半导体11、P型半导体12和第二N型半导体13,第一N型半导体11与P型半导体12通过电耦合连接,且组成一组PN结,P型半导体12和第二N型半导体13通过电耦合连接,也组成一组PN结。
具体的,引线框架6的内壁设有固定块8,通过固定块8将铜引线7固定于引线框架6的内壁,防止铜引线7松动。
具体的,壳体1的外壁设有若干个空脚9,通过空脚9能够将二极管安装在电路板中。
具体的,壳体1的外壁对称设有两个接地端10,将接地端10接地,能够保护电路,当电路中的电压突然过大时,二极管进入导通状态,保护电路中的其他负载。
工作原理:本实用新型中,通过空脚9能够将二极管安装在电路板中,芯片3的外壁封装有环氧树脂封层2,具有良好的绝缘性,壳体1的外壁设置有用于接地保护的接地端10,使用时更加安全,通过固定块8将铜引线7固定于引线框架6的内壁,增加了铜引线7的稳定性,避免铜引线7松动而造成接触不良的局面,当电路中的电压过大后,高压双向触发二极管进入导通状态,使后面的负载免受过压损害,保护电路。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种高压双向触发二极管扩散片,包括壳体(1),其特征在于:所述壳体(1)的内部填充有环氧树脂封层(2),且环氧树脂封层(2)的内部中部设有芯片(3),所述芯片(3)的两侧对称焊接有焊片(4),两个所述焊片(4)远离芯片(3)的一侧均连接有铜引线接头(5),且铜引线接头(5)远离焊片(4)的一侧连接有铜引线(7),所述壳体(1)和环氧树脂封层(2)的内部均设有供铜引线(7)排线的引线框架(6),所述铜引线(7)置于引线框架(6)的内部,且铜引线(7)穿过引线框架(6)的内壁向外延伸。
2.根据权利要求1所述的一种高压双向触发二极管扩散片,其特征在于:所述芯片(3)为NPN三层结构的硅片,芯片(3)包括第一N型半导体(11)、P型半导体(12)和第二N型半导体(13)。
3.根据权利要求1所述的一种高压双向触发二极管扩散片,其特征在于:所述引线框架(6)的内壁设有固定块(8)。
4.根据权利要求1所述的一种高压双向触发二极管扩散片,其特征在于:所述壳体(1)的外壁设有若干个空脚(9)。
5.根据权利要求1所述的一种高压双向触发二极管扩散片,其特征在于:所述壳体(1)的外壁对称设有两个接地端(10)。
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