CN207719219U - 一种高压双向触发二极管扩散片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高压双向触发二极管扩散片，包括壳体，所述壳体的内部填充有环氧树脂封层，且环氧树脂封层的内部中部设有芯片，所述芯片的两侧对称焊接有焊片，两个所述焊片远离芯片的一侧均连接有铜引线接头，且铜引线接头远离焊片的一侧连接有铜引线，所述壳体和环氧树脂封层的内部均设有供铜引线排线的引线框架，所述铜引线置于引线框架的内部，且铜引线穿过引线框架的内壁向外延伸。本实用新型结构简单，易操作，具有耐高压的特点，能够过压保护电路，避免电路中的负载受到过压损害，提高了整个电路的稳定性和安全性，适宜广泛推广。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种高压双向触发二极管扩散片。
背景技术
双向触发二极管亦称二端交流器件(DIAC)，与双向晶闸管同时问世。由于它结构简单、价格低廉，所以常用来触发双向晶闸管，还可构成过压保护等电路。双向触发二极管的构造、符号及等效电路。高压双向触发二极管(SIDAC)是一种二端半导体器件，其内部结构与双向晶闸管十分相似，区别在于没有触发门极，是电压自触发器件。SIDAC的工作状态如同一个开关，当电压低于断态峰值电压VDRM时，其漏电流IDRM极小(小于微安量级)，为断开状态；当电压超过其击穿电压UBO时，产生瞬间雪崩效应，该雪崩电流一旦超过开关电流IS，即进入雪崩倍增，在雪崩倍增下器件的阻抗骤然减小，电压降为导通电压(V<1.5V)，此时，SIDAC进入导通状态，允许通过大的通态电流(0.7-2A，RMS值)，当电流降到最小维持电流IH值之下时SIDAC恢复到断开状态。但是现有的高压双向触发二极管可靠性差，耐高压能力差，而且性能极不稳定，不能有效的保护电路中的负载，使得整个电路的安全性不高，导致生产成本的提高和资源的浪费。
实用新型内容
为了解决上述背景技术中提到的问题，本实用新型提供一种高压双向触发二极管扩散片。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
一种高压双向触发二极管扩散片，包括壳体，所述壳体的内部填充有环氧树脂封层，且环氧树脂封层的内部中部设有芯片，所述芯片的两侧对称焊接有焊片，两个所述焊片远离芯片的一侧均连接有铜引线接头，且铜引线接头远离焊片的一侧连接有铜引线，所述壳体和环氧树脂封层的内部均设有供铜引线排线的引线框架，所述铜引线置于引线框架的内部，且铜引线穿过引线框架的内壁向外延伸。
优选地，所述芯片为NPN三层结构的硅片，芯片包括第一N型半导体、P型半导体和第二N型半导体。
优选地，所述引线框架的内壁设有固定块。
优选地，所述壳体的外壁设有若干个空脚。
优选地，所述壳体的外壁对称设有两个接地端。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：芯片的外壁封装有环氧树脂封层，具有良好的绝缘性，将二极管安装在电路板中，壳体的外壁设置有用于接地保护的接地端，使用时更加安全，通过固定块将铜引线固定于引线框架的内壁，增加了铜引线的稳定性，避免铜引线松动而造成接触不良的局面，当电路中的电压过大后，高压双向触发二极管进入导通状态，使后面的负载免受过压损害，保护电路。本实用新型结构简单，易操作，具有耐高压的特点，能够过压保护电路，避免电路中的负载受到过压损害，提高了整个电路的稳定性和安全性，适宜广泛推广。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型芯片的结构示意图。
图中：壳体1、环氧树脂封层2、芯片3、焊片4、铜引线接头5、引线框架6、铜引线7、固定块8、空脚9、接地端10、第一N型半导体11、P型半导体12、第二N型半导体13。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
参照图1-2，一种高压双向触发二极管扩散片，包括壳体1，壳体1的内部填充有环氧树脂封层2，且环氧树脂封层2的内部中部设有芯片3，芯片3的两侧对称焊接有焊片4，两个焊片4远离芯片3的一侧均连接有铜引线接头5，且铜引线接头5远离焊片4的一侧连接有铜引线7，壳体1和环氧树脂封层2的内部均设有供铜引线7排线的引线框架6，铜引线7置于引线框架6的内部，且铜引线7穿过引线框架6的内壁向外延伸。
具体的，芯片3为NPN三层结构的硅片，芯片3包括第一N型半导体11、P型半导体12和第二N型半导体13，第一N型半导体11与P型半导体12通过电耦合连接，且组成一组PN结，P型半导体12和第二N型半导体13通过电耦合连接，也组成一组PN结。
具体的，引线框架6的内壁设有固定块8，通过固定块8将铜引线7固定于引线框架6的内壁，防止铜引线7松动。
具体的，壳体1的外壁设有若干个空脚9，通过空脚9能够将二极管安装在电路板中。
具体的，壳体1的外壁对称设有两个接地端10，将接地端10接地，能够保护电路，当电路中的电压突然过大时，二极管进入导通状态，保护电路中的其他负载。
工作原理：本实用新型中，通过空脚9能够将二极管安装在电路板中，芯片3的外壁封装有环氧树脂封层2，具有良好的绝缘性，壳体1的外壁设置有用于接地保护的接地端10，使用时更加安全，通过固定块8将铜引线7固定于引线框架6的内壁，增加了铜引线7的稳定性，避免铜引线7松动而造成接触不良的局面，当电路中的电压过大后，高压双向触发二极管进入导通状态，使后面的负载免受过压损害，保护电路。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种高压双向触发二极管扩散片，包括壳体（1），其特征在于：所述壳体（1）的内部填充有环氧树脂封层（2），且环氧树脂封层（2）的内部中部设有芯片（3），所述芯片（3）的两侧对称焊接有焊片（4），两个所述焊片（4）远离芯片（3）的一侧均连接有铜引线接头（5），且铜引线接头（5）远离焊片（4）的一侧连接有铜引线（7），所述壳体（1）和环氧树脂封层（2）的内部均设有供铜引线（7）排线的引线框架（6），所述铜引线（7）置于引线框架（6）的内部，且铜引线（7）穿过引线框架（6）的内壁向外延伸。
2.根据权利要求1所述的一种高压双向触发二极管扩散片，其特征在于：所述芯片（3）为NPN三层结构的硅片，芯片（3）包括第一N型半导体（11）、P型半导体（12）和第二N型半导体（13）。
3.根据权利要求1所述的一种高压双向触发二极管扩散片，其特征在于：所述引线框架（6）的内壁设有固定块（8）。
4.根据权利要求1所述的一种高压双向触发二极管扩散片，其特征在于：所述壳体（1）的外壁设有若干个空脚（9）。
5.根据权利要求1所述的一种高压双向触发二极管扩散片，其特征在于：所述壳体（1）的外壁对称设有两个接地端（10）。
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