CN207691686U - 一种dc-dc逆变电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种DC‑DC逆变电路，包括依次连接的他激式驱动集成电路、并联推挽电路、吸收电路和变压输出电路，所述他激式驱动集成电路包括供电电路、分压电路、他激式驱动集成芯片和死区时间控制电路，所述供电电路包括电阻R1、稳压管D1、电阻R2、三极管Q1、电阻R3、电阻R4和三极管Q2，所述分压电路包括电阻R5和电阻R6，所述死区时间控制电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9和电容C1，所述并联推挽电路包括两路推挽电路。本实用新型提供的DC‑DC逆变电路，可以作为车载功放的供电电路，提供适应多种需求的供电电压，以适应不同的应用场景。

Description

一种DC-DC逆变电路

技术领域

本实用新型涉及逆变电路技术领域，具体为一种DC-DC逆变电路。

背景技术

随着汽车的广泛普及，汽车用品的使用也大大增加，车载功能越来越多样化，然后，现有的车载功放供电电路还有很多不足，不能适应功能多样化的需求，因此，需要对其控制电路做一定的改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种DC-DC逆变电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种DC-DC逆变电路，包括依次连接的他激式驱动集成电路、并联推挽电路、吸收电路和变压输出电路，所述他激式驱动集成电路包括供电电路、分压电路、他激式驱动集成芯片和死区时间控制电路，所述供电电路包括电阻R1、稳压管D1、电阻R2、三极管Q1、电阻R3、电阻R4和三极管Q2，所述分压电路包括电阻R5和电阻R6，所述死区时间控制电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9和电容C1，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路包括三极管Q3、MOS管Q4、二极管D2、电阻R11、电阻R10、电阻R12、三极管Q5、三极管Q6和电阻R13，与所述他激式驱动集成芯片的第九脚连接，另一路包括三极管Q7、MOS管Q8、二极管D3、电阻R14、电阻R15、电阻R16、三极管Q9、三极管Q10和电阻R17，与所述他激式驱动集成芯片的第十脚连接，所述吸收电路包括电容C2、电容C3和电阻R18，所述变压输出电路包括变压器T1、二极管D4、二极管D5、MOS管Q11、三极管Q12、稳压管D7、二极管D9、MOS管Q14、稳压管D8、三极管Q13和双向触发二极管D6。

优选地，所述供电电路中，所述电阻R1、稳压管D1和电阻R2依次串联连接，所述稳压管D1和电阻R2的串接点连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的集电极通过电阻R4连接至所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极和基极之间串接有所述电阻R3，所述三极管Q2的集电极连接至所述分压电路。

优选地，所述分压电路中，所述电阻R5和电阻R6串联连接，串接点连接至所述三极管Q2的集电极，所述电阻R6的另一端连接至所述他激式驱动集成芯片的第二脚。

优选地，所述死区时间控制电路中，所述电阻R7和电阻R9串联连接，串接点连接至所述电阻R8，所述电阻R8和电容C1串联连接，串接点连接至所述他激式驱动集成芯片的第四脚。

优选地，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路推挽电路中，所述三极管Q3和MOS管Q4串联连接，串接点连接至二极管D2，所述二极管D2和电阻R10串联连接，所述三极管Q5和三极管Q6串联连接，所述三极管Q5的基极和三极管Q6的基极连接，连接点和电阻R10另一端连接，所述三极管Q5的基极与三极管Q6的基极的连接点和所述三极管Q5的发射极与三极管Q6的发射极的连接点之间串联连接所述电阻R12，所述三极管Q5的发射极和三极管Q6的发射极的连接点连接电阻R13，所述电阻R11和二极管D2并联连接。

优选地，另一路推挽电路中，所述三极管Q7和MOS管Q8串联连接，串接点连接至二极管D3，所述二极管D3和电阻R14串联连接，所述三极管Q9和三极管Q10串联连接，所述三极管Q9的基极和三极管Q10的基极连接，连接点和电阻R14另一端连接，所述三极管Q9的基极与三极管Q10的基极的连接点和所述三极管Q9的发射极与三极管Q10的发射极的连接点之间串联连接所述电阻R16，所述三极管Q9的发射极与三极管Q10的发射极的连接点连接电阻R17，所述电阻R15和二极管D3并联连接。

优选地，所述吸收电路中，所述电容C3和电阻R18串联连接后与所述电容C2并联连接。

优选地，所述变压输出电路中，所述变压器T1分别连接所述二极管D4、二极管D5、双向触发二极管D6和二极管D9，所述二极管D5连接至所述MOS管Q11的漏极，所述MOS管Q11的源极和栅极连接，连接点连接至稳压管D7，所述稳压管D7和三极管Q12的基极连接，所述三极管Q12的集电极和二极管D5连接。

优选地，所述二极管D9连接至MOS管Q14的源极，所述MOS管Q14的源极和栅极连接，连接点连接至三极管 Q13的集电极，所述MOS管Q14的漏极连接至稳压管D8，所述稳压管D8连接至三极管Q13的基极。

优选地，所述他激式驱动集成芯片采用TL494芯片。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型提供的DC-DC逆变电路，可以作为车载功放的供电电路，提供适应多种需求的供电电压，以适应不同的应用场景。

附图说明

图1-2为本实用新型电路结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种DC-DC逆变电路，包括依次连接的他激式驱动集成电路、并联推挽电路、吸收电路和变压输出电路，所述他激式驱动集成电路包括供电电路、分压电路、他激式驱动集成芯片和死区时间控制电路，所述供电电路包括电阻R1、稳压管D1、电阻R2、三极管Q1、电阻R3、电阻R4和三极管Q2，所述分压电路包括电阻R5和电阻R6，所述死区时间控制电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9和电容C1，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路包括三极管Q3、MOS管Q4、二极管D2、电阻R11、电阻R10、电阻R12、三极管Q5、三极管Q6和电阻R13，与所述他激式驱动集成芯片的第九脚连接，另一路包括三极管Q7、MOS管Q8、二极管D3、电阻R14、电阻R15、电阻R16、三极管Q9、三极管Q10和电阻R17，与所述他激式驱动集成芯片的第十脚连接，所述吸收电路包括电容C2、电容C3和电阻R18，所述变压输出电路包括变压器T1、二极管D4、二极管D5、MOS管Q11、三极管Q12、稳压管D7、二极管D9、MOS管Q14、稳压管D8、三极管Q13和双向触发二极管D6。

优选地，所述供电电路中，所述电阻R1、稳压管D1和电阻R2依次串联连接，所述稳压管D1和电阻R2的串接点连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的集电极通过电阻R4连接至所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极和基极之间串接有所述电阻R3，所述三极管Q2的集电极连接至所述分压电路。

优选地，所述分压电路中，所述电阻R5和电阻R6串联连接，串接点连接至所述三极管Q2的集电极，所述电阻R6的另一端连接至所述他激式驱动集成芯片的第二脚。

优选地，所述死区时间控制电路中，所述电阻R7和电阻R9串联连接，串接点连接至所述电阻R8，所述电阻R8和电容C1串联连接，串接点连接至所述他激式驱动集成芯片的第四脚。

优选地，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路推挽电路中，所述三极管Q3和MOS管Q4串联连接，串接点连接至二极管D2，所述二极管D2和电阻R10串联连接，所述三极管Q5和三极管Q6串联连接，所述三极管Q5的基极和三极管Q6的基极连接，连接点和电阻R10另一端连接，所述三极管Q5的基极与三极管Q6的基极的连接点和所述三极管Q5的发射极与三极管Q6的发射极的连接点之间串联连接所述电阻R12，所述三极管Q5的发射极和三极管Q6的发射极的连接点连接电阻R13，所述电阻R11和二极管D2并联连接。

优选地，另一路推挽电路中，所述三极管Q7和MOS管Q8串联连接，串接点连接至二极管D3，所述二极管D3和电阻R14串联连接，所述三极管Q9和三极管Q10串联连接，所述三极管Q9的基极和三极管Q10的基极连接，连接点和电阻R14另一端连接，所述三极管Q9的基极与三极管Q10的基极的连接点和所述三极管Q9的发射极与三极管Q10的发射极的连接点之间串联连接所述电阻R16，所述三极管Q9的发射极与三极管Q10的发射极的连接点连接电阻R17，所述电阻R15和二极管D3并联连接。

优选地，所述吸收电路中，所述电容C3和电阻R18串联连接后与所述电容C2并联连接。

优选地，所述变压输出电路中，所述变压器T1分别连接所述二极管D4、二极管D5、双向触发二极管D6和二极管D9，所述二极管D5连接至所述MOS管Q11的漏极，所述MOS管Q11的源极和栅极连接，连接点连接至稳压管D7，所述稳压管D7和三极管Q12的基极连接，所述三极管Q12的集电极和二极管D5连接。

优选地，所述二极管D9连接至MOS管Q14的源极，所述MOS管Q14的源极和栅极连接，连接点连接至三极管 Q13的集电极，所述MOS管Q14的漏极连接至稳压管D8，所述稳压管D8连接至三极管Q13的基极。

本实用新型可用作车载功放中的供电电路，具体工作原理如下：

在DC-DC逆变电路中，BATT端接高电平，REMOTE为功放启动控制端。开机时，+12V的控制电压经R1、D1，使Q1导通，控制Q2输出+B电压，为IC1及外围电路供电。

IC1上电后，其内部的基准电源产生电路输出+5V电压，不但为IC1内的振荡器、 误差放大器供电，还为过热保护电路提供工作电压。IC1内的振荡电路输出振荡信号，该信号经IC1处理后，从IC1的9、10脚输出时差不同的正向驱动脉冲，为避免其两路脉冲交替，上、下两臂的推挽管（Q5、Q6、Q9、Q10）同时导通，IC1的4脚外接R7、R8、R9、C1设定死区时间， 一组驱动脉冲使推挽管导通后，相隔一死区时间，才发出另一组驱动脉冲（4脚电压越高，死区时间越长）。Q2输出的+B电压，经R6、R5分压后送入 IC1的2脚，检测到的电压变化值（在汽车静止时此电压为12V，点火后电压为14V-15V）经放大后，调整振荡脉冲的宽度，进而调整推挽管的导通和截止时间，使输出电压稳压在设定值上。

IC1的9、10脚输出时序不同的正向驱动脉冲，经Q3、Q7放大后，分别驱动上、下两臂并联的场效应开关管Q4和Q8。C2、R18、C3是用以隔离场效应开关管的栅-源极的吸收电路，场效应开关管栅极所接电阻（R12、R1、R16、R17）用以隔离场效应开关管栅-源极的输入等效电容，Q4、Q8为开关管的灌电流通路，D2、R10、D3、R14为快速放电电路。在场效应开关管导通时，其栅-源极被充电，当驱动脉冲进入截止期间时，输入等效电容通过快速放电电路和Q4、Q8放电，使场效应开关管迅速截止。

当Q3、Q7使两臂并联的场效应开关管轮流处于饱和、截止状态时，T1次级感应电压经整流滤波后，得到末级功放所需要的±46V和±37V电压。其中，±37V电压还经各自的并联型直流稳压电路，输出±15V的直流电压，为前置音效处理电路供电及作为末级放大电路中差分放大电路的恒流源。同时，感应电动势经D5整流，输出+37V电压，Q11的栅极和源极接在一起，满足VGS=0V的条件，Q11导通，为Q12提供基极偏压，经D7、Q12稳压输出+15V电压。感应电动势经D6，在D6上形成-37V电压，经Q14为Q13基极提供偏置电压，并经D8、Q13稳压输出-15V电压，此电路还输出有+12V电压。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种DC-DC逆变电路，其特征在于，包括依次连接的他激式驱动集成电路、并联推挽电路、吸收电路和变压输出电路，所述他激式驱动集成电路包括供电电路、分压电路、他激式驱动集成芯片和死区时间控制电路，所述供电电路包括电阻R1、稳压管D1、电阻R2、三极管Q1、电阻R3、电阻R4和三极管Q2，所述分压电路包括电阻R5和电阻R6，所述死区时间控制电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9和电容C1，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路包括三极管Q3、MOS管Q4、二极管D2、电阻R11、电阻R10、电阻R12、三极管Q5、三极管Q6和电阻R13，与所述他激式驱动集成芯片的第九脚连接，另一路包括三极管Q7、MOS管Q8、二极管D3、电阻R14、电阻R15、电阻R16、三极管Q9、三极管Q10和电阻R17，与所述他激式驱动集成芯片的第十脚连接，所述吸收电路包括电容C2、电容C3和电阻R18，所述变压输出电路包括变压器T1、二极管D4、二极管D5、MOS管Q11、三极管Q12、稳压管D7、二极管D9、MOS管Q14、稳压管D8、三极管Q13和双向触发二极管D6。

2.根据权利要求1所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述供电电路中，所述电阻R1、稳压管D1和电阻R2依次串联连接，所述稳压管D1和电阻R2的串接点连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的集电极通过电阻R4连接至所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极和基极之间串接有所述电阻R3，所述三极管Q2的集电极连接至所述分压电路。

3.根据权利要求2所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述分压电路中，所述电阻R5和电阻R6串联连接，串接点连接至所述三极管Q2的集电极，所述电阻R6的另一端连接至所述他激式驱动集成芯片的第二脚。

4.根据权利要求3所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述死区时间控制电路中，所述电阻R7和电阻R9串联连接，串接点连接至所述电阻R8，所述电阻R8和电容C1串联连接，串接点连接至所述他激式驱动集成芯片的第四脚。

5.根据权利要求4所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述并联推挽电路包括两路推挽电路，其中一路推挽电路中，所述三极管Q3和MOS管Q4串联连接，串接点连接至二极管D2，所述二极管D2和电阻R10串联连接，所述三极管Q5和三极管Q6串联连接，所述三极管Q5的基极和三极管Q6的基极连接，连接点和电阻R10另一端连接，所述三极管Q5的基极与三极管Q6的基极的连接点和所述三极管Q5的发射极与三极管Q6的发射极的连接点之间串联连接所述电阻R12，所述三极管Q5的发射极和三极管Q6的发射极的连接点连接电阻R13，所述电阻R11和二极管D2并联连接。

6.根据权利要求5所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，另一路推挽电路中，所述三极管Q7和MOS管Q8串联连接，串接点连接至二极管D3，所述二极管D3和电阻R14串联连接，所述三极管Q9和三极管Q10串联连接，所述三极管Q9的基极和三极管Q10的基极连接，连接点和电阻R14另一端连接，所述三极管Q9的基极与三极管Q10的基极的连接点和所述三极管Q9的发射极与三极管Q10的发射极的连接点之间串联连接所述电阻R16，所述三极管Q9的发射极与三极管Q10的发射极的连接点连接电阻R17，所述电阻R15和二极管D3并联连接。

7.根据权利要求1所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述吸收电路中，所述电容C3和电阻R18串联连接后与所述电容C2并联连接。

8.根据权利要求1所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述变压输出电路中，所述变压器T1分别连接所述二极管D4、二极管D5、双向触发二极管D6和二极管D9，所述二极管D5连接至所述MOS管Q11的漏极，所述MOS管Q11的源极和栅极连接，连接点连接至稳压管D7，所述稳压管D7和三极管Q12的基极连接，所述三极管Q12的集电极和二极管D5连接。

9.根据权利要求8所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述二极管D9连接至MOS管Q14的源极，所述MOS管Q14的源极和栅极连接，连接点连接至三极管 Q13的集电极，所述MOS管Q14的漏极连接至稳压管D8，所述稳压管D8连接至三极管Q13的基极。

10.根据权利要求1所述的DC-DC逆变电路，其特征在于，所述他激式驱动集成芯片采用TL494芯片。