CN207530829U - 一种基于epon光功率放大的中继传输设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于EPON光功率放大的中继传输设备。现有降低光损耗的方法很容易导致OLT无法进行集中管理或浪费OLT带宽等问题。现有光信号传输装置大多不具备监测功能。本实用新型包括光电变换模块、网管监测模块和电源模块。光电变换模块包括第一光模块和第二光模块。所述第一光模块的电信号输出端与第二光模块的电信号输入端连接。所述的光电变换模块共有n个。网管监测模块包括网管芯片、第一储存芯片、上位机、主芯片和第二储存芯片。电源模块包括电源、第一降压芯片、第二降压芯片、第三降压芯片和第四降压芯片。本实用新型有效解决了光纤距离过大引起光衰减的问题。
Description
技术领域
本实用新型属于以太网无源光网络数据传输技术领域，具体涉及一种基于EPON光功率放大的中继传输设备。
背景技术
EPON(Ethernet Passive Optical Network，以太网无源光网络)是一种新型的光纤接入网技术。它采用点到多点结构、无源光纤传输，在以太网上提供多种业务，是目前三网融合的最佳网络技术。在EPON工程设计时，光通道损耗是最为重要的网络性能指标。EPON光路是否合适、是否满足传输要求，最重要的一条指标就是实际工程结束后，能够符合OLT(Optical Line Termination，光线路终端)和ONU(Optical Network Unit，光网络单元)之间光功率预算要求，光功率衰减的主要影响因素有：1.分光器的插入损耗；2.光缆本身的损耗(与长度有关)；3.光缆熔接点的损耗；4.尾纤/跳纤通过适配器端口连接的插入损耗。光通道损耗为以上因素引起的损耗总和。
现有技术中，大多通过降低光通道损耗的方式来使得网络符合OLT和ONU之间的光功率预算要求。但是，现有降低光损耗的方法很容易导致OLT无法进行集中管理或浪费OLT带宽等问题。而通过在光路中设置中继放大装置的方式，能够提高光网络单元接收到的光源质量，且不会对系统带来不良的影响。此外，现有光信号传输装置大多不具备监测功能，这导致工作人员无法及时了解装置的故障情况，影响用户的体验效果。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种基于EPON光功率放大的中继传输设备。
本实用新型包括光电变换模块、网管监测模块和电源模块。所述的光电变换模块包括第一光模块和第二光模块。所述第一光模块的电信号输出端与第二光模块的电信号输入端连接。所述的光电变换模块共有n个，1≤n≤10。
所述的网管监测模块包括网管芯片、第一储存芯片、上位机、主芯片和第二储存芯片。所述的主芯片与网管芯片通过介质独立接口总线和串行外围接口总线进行通讯。所述的网管芯片与第一储存芯片、第一光模块及第二光模块均通过内部集成电路总线进行通讯。所述的主芯片与第二储存芯片通过内部集成电路总线进行通讯。所述的网管芯片与上位机通过串行外围接口总线进行通讯。
所述的电源模块包括电源、第一降压芯片、第二降压芯片、第三降压芯片和第四降压芯片。所述电源的电压输出端与第一降压芯片及第二降压芯片的电压输入端连接。所述第一降压芯片的电压输出端与n个光电变换模块内第一光模块及第二光模块的供电端均连接。所述第二降压芯片的电压输出端与第三降压芯片及第四降压芯片的电压输入端均连接。所述第二降压芯片的电压输出端与网管芯片的3.3V供电端、上位机、主芯片及第二储存芯片的供电端连接。第三降压芯片、第四降压芯片的电压输出端与网管芯片的2.5V供电端、1.2V供电端分别连接。
进一步地，n个光电变换模块内第一光模块的光纤接口与n根输入光纤分别连接。n个光电变换模块内第二光模块的光纤接口与n个分光器的输入口连接。
进一步地，n个分光器的输出口均与多个光网络单元连接。
进一步地，所述的第一光模块及第二光模块均采用封装形式为SFP的光收发一体模块。
进一步地，所述网管芯片的型号为EP4CE6E22C8N。主芯片采用型号为STM32F107的单片机。第一储存芯片采用型号为MX25L4006EM1I-12G的FLASH芯片。第二储存芯片采用型号为AT24C16AN的E2PROM芯片。
进一步地，所述第一降压芯片及第二降压芯片的型号均为MP1484EN。第三降压芯片的型号为TJ1118S-2.5。第四降压芯片的型号为LD1117-1.2V。
本实用新型具有的有益效果是：
1、本实用新型能够进行光信号的整形和光功率放大，进而使得光信号的传输符合OLT和ONU之间的光功率预算要求，有效解决了光纤距离过大引起光衰减的问题。
2、本实用新型能够实时监测光模块的温度、电信号和光功率信息。在装置发生故障时，工作人员能够根据监测所得信息，快速进行修复，提升了用户的使用体验。
3、本实用新型能够广泛运用于各种光信号的远距离传输。
附图说明
图1为本实用新型的系统框图；
图2为本实用新型中光电变换模块的系统框图；
图3为本实用新型中电源模块和网管监测模块的组合系统框图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明。
如图1和2所示，一种基于EPON光功率放大的中继传输设备，包括光电变换模块Ⅰ、网管监测模块Ⅱ和电源模块Ⅲ。光电变换模块Ⅰ包括第一光模块1和第二光模块2。第一光模块1及第二光模块2均采用封装形式为SFP的光收发一体模块。第一光模块1的电信号输出端与第二光模块2的电信号输入端连接。光电变换模块Ⅰ共有四个。四个光电变换模块Ⅰ内第一光模块1的光纤接口与四根输入光纤13分别连接。四根输入光纤13内传输的光信号由四个光线路终端分别发出，且经过长距离的传输后有明显衰减。四个光电变换模块Ⅰ内第二光模块2的光纤接口与四个分光器14的输入口连接。四个分光器14的输出口均与多个光网络单元15连接。
如图3所示，网管监测模块Ⅱ包括网管芯片4、第一储存芯片9、上位机10、主芯片11和第二储存芯片12。网管芯片4的型号为EP4CE6E22C8N。主芯片采用型号为STM32F107的单片机。第一储存芯片9采用型号为MX25L4006EM1I-12G的FLASH芯片。第二储存芯片12采用型号为AT24C16AN的E2PROM芯片。主芯片11与网管芯片4通过介质独立接口总线(即MII，Medium Independent Interface)和串行外围接口总线(即SPI，Serial PeripheralInterface)进行通讯。网管芯片4与第一储存芯片9、第一光模块1及第二光模块2通过内部集成电路总线(即I2C，Inter-Integrated Circuit)进行通讯。主芯片11与第二储存芯片12通过内部集成电路总线进行通讯。网管芯片4与上位机10通过串行外围接口总线进行通讯。
如图3所示，电源模块Ⅲ包括电源5、第一降压芯片3、第二降压芯片6、第三降压芯片7和第四降压芯片8。第一降压芯片3及第二降压芯片6的型号均为MP1484EN。第三降压芯片7的型号为TJ1118S-2.5。第四降压芯片8的型号为LD1117-1.2V。电源5的电压输出端与第一降压芯片3及第二降压芯片6的电压输入端连接。第一降压芯片3的电压输出端与四个光电变换模块Ⅰ内第一光模块1及第二光模块2的供电端均连接。第二降压芯片6的电压输出端与第三降压芯片7及第四降压芯片8的电压输入端均连接。第二降压芯片6的电压输出端与网管芯片4的3.3V供电端、上位机10、主芯片11及第二储存芯片12的供电端连接。第三降压芯片7、第四降压芯片8的电压输出端与网管芯片的2.5V供电端、1.2V供电端分别连接。
该实用新型的工作原理如下：
光线路终端输出的光信号经输入光纤13的传输后进入第一光模块1。第一光模块1将输入的光信号转化为电信号并传输给第二光模块2。第二光模块2将输入的电信号放大并转化为光信号后传输给分光器14。分光器14将输入的光信号分为多道并分别传输给多个光网络单元15。
在光信号传输过程中，网管芯片4通过AS模式(主动配置模式)读取第一储存芯片9内存储的预设配置信息。主芯片11读取第二储存芯片12内存储的网管信息。第一光模块1及第二光模块2持续将特征信息发送给网管芯片4。特征信号包括第一光模块1接收到的光信号功率及输出的电信号、第二光模块2接收到的电信号及输出的光信号功率、第一光模块1及第二光模块2的温度。网管芯片4将接收到的特征信息发送给上位机。工作人员在上位机中读取特征信息。网管芯片4受主芯片11控制。
第一降压芯片3及第二降压芯片6均将电源5输出的12V电压转化为3.3V电压。第一降压芯片3输出的3.3V电压用于为四个光电变换模块Ⅰ内的第一光模块1和第二光模块2供电。第三降压芯片7、第四降压芯片8将第二降压芯片6输出的3.3V电压分别转化为2.5V和1.2V电压。第二降压芯片6、第三降压芯片7及第四降压芯片8均为网管芯片4供电。第二降压芯片6还为主芯片11供电。第一降压芯片3、第二降压芯片6分别为网管监测模块Ⅱ、电源模块Ⅲ供电的独立供电模式，能够避免网管监测模块Ⅱ与电源模块Ⅲ互相干涉，导致供电不足。
Claims (6)
1.一种基于EPON光功率放大的中继传输设备，包括光电变换模块、网管监测模块和电源模块；其特征在于：所述的光电变换模块包括第一光模块和第二光模块；所述第一光模块的电信号输出端与第二光模块的电信号输入端连接；所述的光电变换模块共有n个，1≤n≤10；
所述的网管监测模块包括网管芯片、第一储存芯片、上位机、主芯片和第二储存芯片；所述的主芯片与网管芯片通过介质独立接口总线和串行外围接口总线进行通讯；所述的网管芯片与第一储存芯片、第一光模块及第二光模块均通过内部集成电路总线进行通讯；所述的主芯片与第二储存芯片通过内部集成电路总线进行通讯；所述的网管芯片与上位机通过串行外围接口总线进行通讯；
所述的电源模块包括电源、第一降压芯片、第二降压芯片、第三降压芯片和第四降压芯片；所述电源的电压输出端与第一降压芯片及第二降压芯片的电压输入端连接；所述第一降压芯片的电压输出端与n个光电变换模块内第一光模块及第二光模块的供电端均连接；所述第二降压芯片的电压输出端与第三降压芯片及第四降压芯片的电压输入端均连接；所述第二降压芯片的电压输出端与网管芯片的3.3V供电端、上位机、主芯片及第二储存芯片的供电端连接；第三降压芯片、第四降压芯片的电压输出端与网管芯片的2.5V供电端、1.2V供电端分别连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于EPON光功率放大的中继传输设备，其特征在于：n个光电变换模块内第一光模块的光纤接口与n根输入光纤分别连接；n个光电变换模块内第二光模块的光纤接口与n个分光器的输入口连接。
3.根据权利要求2所述的一种基于EPON光功率放大的中继传输设备，其特征在于：n个分光器的输出口均与多个光网络单元连接。
4.根据权利要求1所述的一种基于EPON光功率放大的中继传输设备，其特征在于：所述的第一光模块及第二光模块均采用封装形式为SFP的光收发一体模块。
5.根据权利要求1所述的一种基于EPON光功率放大的中继传输设备，其特征在于：所述网管芯片的型号为EP4CE6E22C8N；主芯片采用型号为STM32F107的单片机；第一储存芯片采用型号为MX25L4006EM1I-12G的FLASH芯片；第二储存芯片采用型号为AT24C16AN的E2PROM芯片。
6.根据权利要求1所述的一种基于EPON光功率放大的中继传输设备，其特征在于：所述第一降压芯片及第二降压芯片的型号均为MP1484EN；第三降压芯片的型号为TJ1118S-2.5；第四降压芯片的型号为LD1117-1.2V。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN207530829U true CN207530829U (zh) | 2018-06-22 |
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ID=62582888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112729541A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-30 | 杭州初灵信息技术股份有限公司 | 基于wdm的otn中光功率检测矩阵方法 |
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