CN207452297U - 一种单晶炉提拉头连接组件 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- 241000233855 Orchidaceae Species 0.000 claims abstract description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 10
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000012745 brilliant blue FCF Nutrition 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种单晶炉提拉头连接组件,其包括用于和单晶炉副室连接的过渡连接法兰、固定设置在所述过渡连接法兰中心上的过渡副室和设置在所述过渡连接法兰上的三个晶转支柱,三个晶转支柱均匀分布于所述过渡副室周圆,所述过渡副室呈圆筒状,其侧壁固定设置有观察窗,所述过渡连接法兰上开设有两个通孔,所述两个通孔上分别设置有液面测温传感器和液面测距传感器。本实用新型在结构合理,整体的稳定性较强,并且在原有的上传动(提拉头)的过渡连接法兰上增加设置了液面测温和液面测距传感装置,液面测温检测误差为±2℃,液面测距检测误差为±1mm。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶硅生产设备领域,尤其涉及一种单晶炉提拉头连接组件。
背景技术
随着光伏设备的推广和硅基电池产品市场竞争的加剧,单晶硅的生产质量和生产效率影响到产品的成本和市场竞争力。单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。单晶炉包括提拉头(又叫上传动)、副室、炉盖、炉筒等机构,其中,所述提拉头主要由安装盘、减速机、籽晶腔、划线环、电机、磁流体、籽晶称重头、软波纹管、过渡副室等部件组成,如专利申请号为CN2017102933473、名称为一种改进的单晶炉结构及其应用。现有的提拉头存在操作不方便、控制难度大等问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种单晶炉提拉头连接组件。
为解决上述问题,本实用新型所采取的技术方案是:
一种单晶炉提拉头连接组件,其关键技术在于:其包括用于和单晶炉副室连接的过渡连接法兰、固定设置在所述过渡连接法兰中心上的过渡副室和设置在所述过渡连接法兰上的三个晶转支柱,三个晶转支柱均匀分布于所述过渡副室周圆,所述过渡副室呈圆筒状,其侧壁固定设置有观察窗,所述过渡连接法兰上开设有两个通孔,所述两个通孔上分别设置有液面测温传感器和液面测距传感器。
作为本实用新型的进一步改进,所述观察窗包括焊接设置在所述过渡副室上的筒状观察窗基体、压盖以及设置于所述观察窗基体和压盖之间的窗口玻璃,所述观察窗基体和窗口玻璃之间设置有第一密封垫,所述压盖和窗口玻璃之间设置有第二密封垫。
作为本实用新型的进一步改进,所述过渡副室上还设置有用于通入惰性气体的氩气连接头。
作为本实用新型的进一步改进,所述观察窗为两个,两个观察窗对称设置于所述过渡副室两侧。
作为本实用新型的进一步改进,所述过渡副室外壁设置有夹套,所述夹套上设置有两冷却水咀。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:
本实用新型在结构合理,整体的稳定性较强,并且在原有的上传动(提拉头)的过渡连接法兰上增加设置了液面测温和液面测距传感装置,液面测温检测误差为±2℃,液面测距检测误差为±1mm。实现了单晶炉的拉晶过程中,硅液的温度和位置的可控性,使装置的可操作性更强,能够根据工艺参数要求,对硅液温度和位置进行控制,结合自动抽空、自动加热控制等,实现各工艺过程的自动控制,实现拉晶过程的自动化,提高了产片的质量和生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型的俯视结构示意图。
图3是本实用新型另一角度的结构示意图。
图4是观察窗的结构示意图。
其中:1过渡连接法兰、2氩气连接头、3过渡副室、4晶转支柱、5观察窗、5-1观察窗基体、5-2压盖、5-3第一密封垫、5-4第二密封垫、5-5窗口玻璃、6液面测温传感器、7液面测距传感器、8冷却水咀。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图和具体实施例对实用新型进行清楚、完整的描述。
如图1-4所示的一种单晶炉提拉头连接组件,其包括用于和单晶炉副室连接的过渡连接法兰1、固定设置在所述过渡连接法兰1中心上的过渡副室3和设置在所述过渡连接法兰1上的三个晶转支柱4,三个晶转支柱4均匀分布于所述过渡副室3周圆,三个晶转支柱4用于支撑提拉头上部的结构,形成稳定的三脚支撑,并且通过三个晶转支柱4能够对所述过渡连接法兰1的水平位置进行细微调整。
所述过渡副室3呈圆筒状,其侧壁固定设置有观察窗5,所述观察窗5为两个,两个观察窗5对称设置于所述过渡副室3两侧,方便使用。如图3所示,所述观察窗5包括焊接设置在所述过渡副室3上的筒状观察窗基体5-1、压盖5-2以及设置于所述观察窗基体5-1和压盖5-2之间的窗口玻璃5-5,所述观察窗基体5-1和窗口玻璃5-5之间设置有第一密封垫5-3,所述压盖5-2和窗口玻璃5-5之间设置有第二密封垫5-4。所述过渡副室3外壁设置有夹套,所述夹套上设置有两冷却水咀8。两个冷却水咀8分别为进水咀和出水咀,用于降低过渡副室的温度,避免设备损坏。
如图1和2所示,所述过渡连接法兰1上开设有两个通孔,所述两个通孔上分别设置有液面测温传感器6和液面测距传感器7。所述液面测温传感器6的检测误差为±2℃,所述液面测距传感器7的检测误差为±1mm,通过设置液面测温传感器6和液面测距传感器7,实现了单晶炉的拉晶过程中,硅液的温度和位置的可控性,使装置的可操作性更强,能够根据工艺参数要求,对硅液温度和位置进行控制,结合自动抽空、自动加热控制等,实现各工艺过程的自动控制,实现拉晶过程的自动化,提高了产片的质量和生产效率。
如图所示,所述过渡副室3上还设置有用于通入惰性气体的氩气连接头2,通过氩气连接头2可以向单晶炉的副室内通入保护气体,并且维持其内部的压力。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型实施例技术方案的精神和范围。
Claims (5)
1.一种单晶炉提拉头连接组件,其特征在于:其包括用于和单晶炉副室连接的过渡连接法兰(1)、固定设置在所述过渡连接法兰(1)中心上的过渡副室(3)和设置在所述过渡连接法兰(1)上的三个晶转支柱(4),三个晶转支柱(4)均匀分布于所述过渡副室(3)周圆,所述过渡副室呈圆筒状,其侧壁固定设置有观察窗(5),所述过渡连接法兰(1)上开设有两个通孔,所述两个通孔上分别设置有液面测温传感器(6)和液面测距传感器(7)。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉提拉头连接组件,其特征在于:所述观察窗(5)包括焊接设置在所述过渡副室(3)上的筒状观察窗基体(5-1)、压盖(5-2)以及设置于所述观察窗基体(5-1)和压盖(5-2)之间的窗口玻璃(5-5),所述观察窗基体(5-1)和窗口玻璃(5-5)之间设置有第一密封垫(5-3),所述压盖(5-2)和窗口玻璃(5-5)之间设置有第二密封垫(5-4)。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉提拉头连接组件,其特征在于:所述过渡副室(3)上还设置有用于通入惰性气体的氩气连接头(2)。
4.根据权利要求1所述的一种单晶炉提拉头连接组件,其特征在于:所述观察窗(5)为两个,两个观察窗(5)对称设置于所述过渡副室(3)两侧。
5.根据权利要求1所述的一种单晶炉提拉头连接组件,其特征在于:所述过渡副室(3)外壁设置有夹套,所述夹套上设置有两冷却水咀(8)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201721282713.7U CN207452297U (zh) | 2017-09-30 | 2017-09-30 | 一种单晶炉提拉头连接组件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201721282713.7U CN207452297U (zh) | 2017-09-30 | 2017-09-30 | 一种单晶炉提拉头连接组件 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN207452297U true CN207452297U (zh) | 2018-06-05 |
Family
ID=62249980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201721282713.7U Expired - Fee Related CN207452297U (zh) | 2017-09-30 | 2017-09-30 | 一种单晶炉提拉头连接组件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN207452297U (zh) |
-
2017
- 2017-09-30 CN CN201721282713.7U patent/CN207452297U/zh not_active Expired - Fee Related
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |