CN207416165U - 一种石墨烯发热膜片 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种石墨烯发热膜片,包括发热膜片本体，在发热膜片本体上设有有机滤膜，在发热膜片底膜贴上多层石墨烯薄膜层，石墨烯薄膜层上有自由端，在端上有磁吸孔，在磁吸孔上焊接有防水圈，作为电极，在石墨烯薄膜的上面在覆盖一层覆盖膜，将石墨烯薄膜安装在发热膜片底膜与覆盖膜之间，石墨烯它具有独特的载流子特性和无质量的狄拉克费米子，电子迁移率可达到2×105cm2/V·s，约为硅中电子迁移率的140倍，砷化镓的20倍，温度稳定性高，而且石墨烯具有极高的强度与柔韧性。

Description

一种石墨烯发热膜片

技术领域

本实用新型涉及石墨烯技术领域，具体为一种石墨烯发热膜片。

背景技术

石墨散热片，是一种全新的导热散热材料，具有独特的晶粒取向，沿两个方向均匀导热，片层状结构可很好地适应任何表面，屏蔽热源与组件的同时改进消费类电子产品的性能。产品均匀散热的同时也在厚度方面提供热隔离。

石墨烯最重要的性质之一就是它独特的载流子特性和无质量的狄拉克费米子属性。其电子迁移率可达到2×105cm2/V·s，约为硅中电子迁移率的140倍，砷化镓的20倍，温度稳定性高，电导率可达108Ω/ m,面电阻约为31Ω/sq（310Ω/m2），比铜或银更低，是室温下导电最好的材料。

石墨烯导热的化学成分主要是单一的碳(C)元素,是一种自然元素矿物，薄膜高分子化合物可以通过化学方法高温高压下得到石墨化薄膜，因为碳元素是非金属元素,但是却有金属材料的导电,导热性能,还具有象有机塑料一样的可塑性,并且还有特殊的热性能,化学稳定性,润滑和能涂敷在固体表面的等等一些良好的工艺性能,因此,导热石墨在电子,通信,照明,航空及国防军工等许多领域都得到了广泛的应用。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种在石墨烯薄膜的上面在覆盖一层覆盖膜，将石墨烯薄膜安装在发热膜片底膜与覆盖膜之间，发热片底膜、覆盖膜采用PVC膜、PE膜或PET膜,不仅具有良好的绝缘性，还具有很好的防水、隔热性的一种石墨烯发热膜片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种石墨烯发热膜片，包括发热膜片本体，所述发热膜片本体上设有发热膜片底膜，所述发热膜片底膜上设有石墨烯薄膜，石墨烯薄膜的上方设有覆盖膜。

优选的，所述石墨烯薄膜上设有自由端，所述自由端上设有磁吸孔，一个自由端上设有两个磁吸孔，所述磁吸孔上设有防水圈，防水圈通过焊锡与石墨烯薄膜连接，并作为电极。

优选的，所述发热膜片本体上铺设3-5层石墨烯薄膜。

优选的，所述石墨烯薄膜的电子迁移率可达到2×105cm2/V·s，所述石墨烯薄膜的电导率为108Ω/ m。

优选的，所述发热膜片底膜厚100µm-150µm，发热膜片底膜为透明的。

优选的，所述发热片底膜、覆盖膜采用PVC膜、PE膜或PET膜。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

（1）在石墨烯薄膜的上面在覆盖一层覆盖膜，将石墨烯薄膜安装在发热膜片底膜与覆盖膜之间，发热片底膜、覆盖膜采用PVC膜、PE膜或PET膜,不仅具有良好的绝缘性，还具有很好的防水、隔热性；

（2）石墨烯它具有独特的载流子特性和无质量的狄拉克费米子，电子迁移率可达到2×105cm2/V·s，为硅中电子迁移率的140倍，砷化镓的20倍，温度稳定性高，而且石墨烯具有极高的强度与柔韧性。

附图说明

图1为本实用新型发热膜片本体示意图；

图2为本实用新型发热膜片本体内部示意图；

图3为本实用新型石墨烯薄膜碳原子结构示意图。

图中：1、发热膜片本体；2、发热膜片底膜；3、石墨烯薄膜；4、磁吸孔；5、防水圈；6、自由端。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1或图2，本实用新型提供一种技术方案：一种石墨烯发热膜片，包括发热膜片本体1，发热膜片本体1上设有发热膜片底膜2，发热膜片底膜2厚100µm-150µm，发热膜片底膜2为透明的，发热片底膜2、覆盖膜采用PVC膜、PE膜或PET膜，PVC膜、PE膜或PET膜，不仅具有良好的绝缘性，还具有很好的防水、隔热性，发热膜片底膜2上设有石墨烯薄膜3，石墨烯薄膜3的电子迁移率可达到2×105cm2/V·s，石墨烯薄膜3的电导率为108Ω/ m，石墨烯薄膜3的上方设有覆盖膜，发热膜片本体1上铺设3-5层石墨烯薄膜3，使发热膜片本体1具有良好而且稳定的导电性。

石墨烯薄膜3上设有自由端6，自由端6上设有磁吸孔4，一个自由端上设有两个磁吸孔，磁吸孔4上设有防水圈5，防水圈5通过焊锡与石墨烯薄膜连接，作为电极。

请参阅图3，石墨烯薄膜3电子迁移率可达到2×105cm2/V·s，约为硅中电子迁移率的140倍，砷化镓的20倍，温度稳定性高，而且石墨烯具有极高的强度与柔韧性，本实用新型具有很好的使用前景。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种石墨烯发热膜片，包括发热膜片本体（1），其特征在于：所述发热膜片本体（1）上设有发热膜片底膜（2），所述发热膜片底膜（2）上设有石墨烯薄膜（3），石墨烯薄膜（3）的上方设有覆盖膜。

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯发热膜片，其特征在于：所述石墨烯薄膜（3）上设有自由端（6），所述自由端（6）上设有磁吸孔（4），所述磁吸孔（4）上设有防水圈（5），防水圈（5）通过焊锡与石墨烯薄膜连接。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯发热膜片，其特征在于：所述发热膜片本体（1）上铺设3-5层石墨烯薄膜（3）。

4.根据权利要求1所述的一种石墨烯发热膜片，其特征在于：所述石墨烯薄膜（3）的电子迁移率可达到2×105 cm²/V·s，所述石墨烯薄膜（3）的电导率为108Ω/ m。

5.根据权利要求1所述的一种石墨烯发热膜片，其特征在于：所述发热膜片底膜（2）厚100µm-150µm，发热膜片底膜（2）为透明的。

6.根据权利要求1所述的一种石墨烯发热膜片，其特征在于：所述发热片底膜（2）、覆盖膜采用PVC膜、PE膜或PET膜。