CN207319008U - 一种超声雾化片振荡控制电路及超声波电子烟 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种超声雾化片振荡控制电路及超声波电子烟，其中超声雾化片振荡控制电路包括微处理器，微处理器的第一输出端通过第一驱动振荡电路与超声雾化片的第一端电连接，微处理器的第二输出端通过第二驱动振荡电路与超声雾化片的第二端电连接，还包括用于控制第一驱动振荡电路是否工作的切换电路，微处理器的第三输出端与切换电路的控制端电连接，切换电路的输出端与第一驱动振荡电路电连接。本实用新型中的超声雾化片能够在单边振荡工作模式和双边振荡工作模式之间进行自由切换，可以调整产品的额定功率，适用于不同种类的超声雾化片，能够满足不同用户群体的使用需求，应用范围更广。

Description

一种超声雾化片振荡控制电路及超声波电子烟

技术领域

本实用新型属于电子烟技术领域，特别涉及一种超声雾化片振荡控制电路及超声波电子烟。

背景技术

现有的超声雾化片振荡控制电路有两种，第一种是采用一路PWM波控制超声雾化片进行单边振荡，包括微处理器及第一驱动振荡电路，其中微处理器的输出端通过第一驱动振荡电路与超声雾化片的一端电连接。第二路是采用两路PWM波控制超声雾化片进行双边振荡，其在第一种振荡控制电路的基础上增加了第二驱动振荡电路，微处理器的输出端通过第二驱动振荡电路与超声雾化片的另一端电连接。

现有的超声雾化片只有一种工作模式，即单纯单边振荡或单纯双边振荡，因而额定功率固定不可调，同时由于有极性超声雾化片只能进行单边振荡，无极性超声雾化片可进行双边振荡，因而双边振荡的超声雾化片振荡控制电路不适用于有极性超声雾化片。可见，现有超声雾化片振荡控制电路不便于应用于不同种类的超声雾化片，不能满足不同用户群体的使用需求。

发明内容

现有超声雾化片振荡控制电路只能控制超声雾化片工作在一种工作模式，额定功率固定不可调，不便于应用于不同种类的超声雾化片，不能满足不同用户群体的使用需求。本实用新型的目的在于，针对上述现有技术的不足，提供一种改进了的超声雾化片振荡控制电路及超声波电子烟，能够在单边振荡工作模式和双边振荡工作模式之间进行自由切换，可以调整产品的额定功率，适用于不同种类的超声雾化片，能够满足不同用户群体的使用需求，应用范围更广。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：

一种超声雾化片振荡控制电路，包括微处理器，微处理器的第一输出端通过第一驱动振荡电路与超声雾化片的第一端电连接，微处理器的第二输出端通过第二驱动振荡电路与超声雾化片的第二端电连接，其结构特点是还包括用于控制第一驱动振荡电路是否工作的切换电路，微处理器的第三输出端与切换电路的控制端电连接，切换电路的输出端与第一驱动振荡电路电连接。

借由上述结构，控制器通过切换电路控制第一驱动振荡电路是否工作。当控制器通过切换电路控制第一驱动振荡电路工作时，第一驱动振荡电路和第二驱动振荡电路均工作，此时超声雾化片工作为双边振荡模式，功率大，烟雾量大，适用于无极性超声雾化片。当控制器通过切换电路控制第一驱动振荡电路不工作时，仅有第二驱动振荡电路工作，此时超声雾化片工作为单边振荡模式，功率小，烟雾量较小，适用于有极性超声雾化片。可见，由于设置了切换电路，因而可以根据用户使用需求选择超声雾化片的工作模式，同时也可以根据超声雾化片的种类选择对应的工作模式，应用范围广。

作为一种优选方式，所述切换电路包括第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，第一电阻的一端、第一MOS管的漏极均与电源正极相连，第一电阻的另一端、第一MOS管的栅极均通过第二电阻与第二MOS管的漏极相连，第一MOS管的源极与第一驱动振荡电路相连，第二MOS管的栅极、第三电阻的一端均与微处理器的第三输出端相连，第二MOS管的源极、第三电阻的另一端均接地。

作为一种优选方式，所述第一驱动振荡电路包括放大器、第四电阻、第三MOS管、第一电感、第一电容，微处理器的第一输出端与放大器的第一输入端电连接，放大器的第一输出端通过第四电阻与第三MOS管的栅极电连接，第三MOS管的源极接地，第三MOS管的漏极、第一电感的一端、第一电容的一端均与超声雾化片的第一端电连接，第一电感的另一端与第一MOS管的源极电连接，第一电容的另一端接地。

作为一种优选方式，所述第二驱动振荡电路包括放大器、第五电阻、第四MOS管、第二电感、第二电容，微处理器的第二输出端与放大器的第二输入端电连接，放大器的第二输出端通过第五电阻与第四MOS管的栅极电连接，第四MOS管的源极接地，第四MOS管的漏极、第二电感的一端、第二电容的一端均与超声雾化片的第二端电连接，第二电感的另一端与电源正极电连接，第二电容的另一端接地。

进一步地，还包括电源模块，所述电源模块包括升压芯片、第三电容、第四电容和第五电容，升压芯片的输入端、第三电容的一端均与供电正极电连接，升压芯片的输出端、第四电容的一端、第五电容的一端均与放大器的电源端电连接，升压芯片的接地端、第三电容的另一端、第四电容的另一端、第五电容的另一端均接地。

作为一种优选方式，所述超声雾化片为压电陶瓷式雾化片。

本实用新型适用于压电陶瓷式雾化片及类似压电陶瓷结构的元器件或电路。

基于同一个发明构思，本实用新型还提供了一种超声波电子烟，包括所述的超声雾化片振荡控制电路。

与现有技术相比，本实用新型中的超声雾化片能够在单边振荡工作模式和双边振荡工作模式之间进行自由切换，可以调整产品的额定功率，适用于不同种类的超声雾化片，能够满足不同用户群体的使用需求，应用范围更广。

附图说明

图1为超声雾化片振荡控制电路的结构框图。

图2为超声雾化片振荡控制电路的电路图。

其中，1为微处理器，2为第一驱动振荡电路，3为第二驱动振荡电路，4为切换电路，5为电源模块，J为超声雾化片，L1为第一电感，L2为第二电感，C1为第一电容，C2为第二电容，C3为第三电容，C4为第四电容，C5为第五电容，R1为第一电阻，R2为第二电阻，R3为第三电阻，R4为第四电阻，R5为第五电阻，Q1为第一MOS管，Q2为第二MOS管，Q3为第三MOS管，Q4为第四MOS管，U1为升压芯片，U2为放大器。

具体实施方式

如图1和图2所示，超声波电子烟的超声雾化片振荡控制电路包括微处理器1，微处理器1的第一输出端通过第一驱动振荡电路2与超声雾化片J的第一端电连接，微处理器1的第二输出端通过第二驱动振荡电路3与超声雾化片J的第二端电连接，其结构特点是还包括用于控制第一驱动振荡电路2是否工作的切换电路4，微处理器1的第三输出端与切换电路4的控制端电连接，切换电路4的输出端与第一驱动振荡电路2电连接。

所述切换电路4包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，第一电阻R1的一端、第一MOS管Q1的漏极均与电源正极相连，第一电阻R1的另一端、第一MOS管Q1的栅极均通过第二电阻R2与第二MOS管Q2的漏极相连，第一MOS管Q1的源极与第一驱动振荡电路2相连，第二MOS管Q2的栅极、第三电阻R3的一端均与微处理器1的第三输出端相连，第二MOS管Q2的源极、第三电阻R3的另一端均接地。

所述第一驱动振荡电路2包括放大器U2、第四电阻R4、第三MOS管Q3、第一电感L1、第一电容C1，微处理器1的第一输出端与放大器U2的第一输入端电连接，放大器U2的第一输出端通过第四电阻R4与第三MOS管Q3的栅极电连接，第三MOS管Q3的源极接地，第三MOS管Q3的漏极、第一电感L1的一端、第一电容C1的一端均与超声雾化片J的第一端电连接，第一电感L1的另一端与第一MOS管Q1的源极电连接，第一电容C1的另一端接地。

所述第二驱动振荡电路3包括放大器U2、第五电阻R5、第四MOS管Q4、第二电感L2、第二电容C2，微处理器1的第二输出端与放大器U2的第二输入端电连接，放大器U2的第二输出端通过第五电阻R5与第四MOS管Q4的栅极电连接，第四MOS管Q4的源极接地，第四MOS管Q4的漏极、第二电感L2的一端、第二电容C2的一端均与超声雾化片J的第二端电连接，第二电感L2的另一端与电源正极电连接，第二电容C2的另一端接地。

超声雾化片振荡控制电路还包括电源模块5，所述电源模块5包括升压芯片U1、第三电容C3、第四电容C4和第五电容C5，升压芯片U1的输入端、第三电容C3的一端均与供电正极电连接，升压芯片U1的输出端、第四电容C4的一端、第五电容C5的一端均与放大器U2的电源端电连接，升压芯片U1的接地端、第三电容C3的另一端、第四电容C4的另一端、第五电容C5的另一端均接地。

所述超声雾化片J为压电陶瓷式雾化片。

在本实施例中，电源模块5由单节锂电池充放电保护电路和升压电路组成，具有过充和过压保护功能，同时防止后端电路过流及短路。单节锂电升压模块采用单节锂电池升压的方式，为后端高频它激式双边振荡电路提供大约30W功率的电源。

驱动电路通过驱动芯片对微处理器1提供的双路PWM信号进行放大后，来驱动高频它激式双边振荡电路中的电感电容与超声雾化片J谐振，使超声雾化片J进行全波振荡，达到最佳雾化效果。

微处理器1通过51内核单片机控制LED灯的指示及MOS管的开关来实现整个电路板的低功耗和安全保护，并且实时检测超声雾化片J的电压电流变化情况，防止超声雾化片J干烧及过载，同时也为后端驱动电路提供PWM信号和通过功率检测电路实现实时追频。

切换电路4在正常情况下控制第一驱动振荡电路2工作，超声雾化片J双边振荡，微处理器1的Switch端控制第二MOS管Q2导通，然后第一MOS管Q1也导通，第三MOS管Q3/第四MOS管Q4通过驱动电路对微处理器1输入过来的两路互补的PWM波信号进行放大处理，与第一电感L1和第二电感L2配合进行交替振荡，实现超声雾化片J的双边振荡。此时支持振荡的超声雾化片J为无极性超声雾化片，额定功率较大。当需要更换为有极性超声雾化片的时候或者降低超声雾化片J的功率以满足不同用户群体需求的时候，可以通过微处理器1将Switch端拉低，第一MOS管Q1和第二MOS管Q2都断开，只有第二电感L2端供电，同时微处理器1输出给驱动电路的信号为一路PWM波（Drive2），一路高电平（Drive1），致使第四MOS管Q4正常开关振荡，第三MOS管Q3一直导通，使超声雾化片J的另一极保持接地，实现单边振荡，超声雾化片J的额定功率可降低至双边振荡时的一半，从而将产品改为小功率的电子烟，满足不同用户群体的需求。

上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是局限性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种超声雾化片振荡控制电路，包括微处理器（1），微处理器（1）的第一输出端通过第一驱动振荡电路（2）与超声雾化片（J）的第一端电连接，微处理器（1）的第二输出端通过第二驱动振荡电路（3）与超声雾化片（J）的第二端电连接，其特征在于，还包括用于控制第一驱动振荡电路（2）是否工作的切换电路（4），微处理器（1）的第三输出端与切换电路（4）的控制端电连接，切换电路（4）的输出端与第一驱动振荡电路（2）电连接。

2.如权利要求1所述的超声雾化片振荡控制电路，其特征在于，所述切换电路（4）包括第一MOS管（Q1）、第二MOS管（Q2）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第三电阻（R3），第一电阻（R1）的一端、第一MOS管（Q1）的漏极均与电源正极相连，第一电阻（R1）的另一端、第一MOS管（Q1）的栅极均通过第二电阻（R2）与第二MOS管（Q2）的漏极相连，第一MOS管（Q1）的源极与第一驱动振荡电路（2）相连，第二MOS管（Q2）的栅极、第三电阻（R3）的一端均与微处理器（1）的第三输出端相连，第二MOS管（Q2）的源极、第三电阻（R3）的另一端均接地。

3.如权利要求2所述的超声雾化片振荡控制电路，其特征在于，所述第一驱动振荡电路（2）包括放大器（U2）、第四电阻（R4）、第三MOS管（Q3）、第一电感（L1）、第一电容（C1），微处理器（1）的第一输出端与放大器（U2）的第一输入端电连接，放大器（U2）的第一输出端通过第四电阻（R4）与第三MOS管（Q3）的栅极电连接，第三MOS管（Q3）的源极接地，第三MOS管（Q3）的漏极、第一电感（L1）的一端、第一电容（C1）的一端均与超声雾化片（J）的第一端电连接，第一电感（L1）的另一端与第一MOS管（Q1）的源极电连接，第一电容（C1）的另一端接地。

4.如权利要求2所述的超声雾化片振荡控制电路，其特征在于，所述第二驱动振荡电路（3）包括放大器（U2）、第五电阻（R5）、第四MOS管（Q4）、第二电感（L2）、第二电容（C2），微处理器（1）的第二输出端与放大器（U2）的第二输入端电连接，放大器（U2）的第二输出端通过第五电阻（R5）与第四MOS管（Q4）的栅极电连接，第四MOS管（Q4）的源极接地，第四MOS管（Q4）的漏极、第二电感（L2）的一端、第二电容（C2）的一端均与超声雾化片（J）的第二端电连接，第二电感（L2）的另一端与电源正极电连接，第二电容（C2）的另一端接地。

5.如权利要求3或4所述的超声雾化片振荡控制电路，其特征在于，还包括电源模块（5），所述电源模块（5）包括升压芯片（U1）、第三电容（C3）、第四电容（C4）和第五电容（C5），升压芯片（U1）的输入端、第三电容（C3）的一端均与供电正极电连接，升压芯片（U1）的输出端、第四电容（C4）的一端、第五电容（C5）的一端均与放大器（U2）的电源端电连接，升压芯片（U1）的接地端、第三电容（C3）的另一端、第四电容（C4）的另一端、第五电容（C5）的另一端均接地。

6.如权利要求1至4任一项所述的超声雾化片振荡控制电路，其特征在于，所述超声雾化片（J）为压电陶瓷式雾化片。

7.一种超声波电子烟，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的超声雾化片振荡控制电路。