CN207303052U - 一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置 - Google Patents

一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置 Download PDF

Info

Publication number
CN207303052U
CN207303052U CN201721165878.6U CN201721165878U CN207303052U CN 207303052 U CN207303052 U CN 207303052U CN 201721165878 U CN201721165878 U CN 201721165878U CN 207303052 U CN207303052 U CN 207303052U
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
cleaning
cylinder hairbrush
cleaning device
table top
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201721165878.6U
Other languages
English (en)
Inventor
王力
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Xinxin Integrated Circuit Co ltd
Original Assignee
Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd filed Critical Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to CN201721165878.6U priority Critical patent/CN207303052U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN207303052U publication Critical patent/CN207303052U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置,属于半导体技术领域,包括:清洁台面;晶元旋转组件,连接并旋转晶元;圆筒毛刷,位于晶元下方,与晶元接触并旋转;清洁海绵,位于晶元上方,与晶元接触并由外向内沿预设起点至预设终点方向运动,预设起点与晶元的边缘具有一大于晶元切割宽度的预设距离;喷射组件,位于晶元上方。本实用新型的有益效果:避免现有技术中存在的,由于圆筒毛刷接触晶元的边缘切割部分而导致的圆筒毛刷对晶元表面造成二次伤害、晶元边缘脱落污染圆筒毛刷影响圆筒毛刷清洁能力以及受到污染的圆筒毛刷对晶元造成机械划伤的问题,提高圆筒毛刷以及整个清洁装置的清洁能力和使用寿命。

Description

一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置。
背景技术
化学机械研磨(chemical mechanical polish,CMP)是通过研磨液与晶元表面材料之间的化学反应及研磨垫与晶元表面材料之间的机械力的作用将晶元表面磨平,从而实现晶元表面平坦化以满足半导体芯片设计的技术要求。
经过化学机械研磨的晶元表面产生的污染颗粒是由清洗装置通过清洗步骤清理的,清洗装置是由旋转的圆筒毛刷通过夹紧旋转的晶圆来实现,其中,晶元在一旋转组件的夹持下在垂直面上旋转,晶元垂直于清洁台面,圆筒毛刷对称设置在晶元两侧并旋转,圆筒毛刷的旋转中心轴与清洗装置的清洁台面平行,晶元两侧还对称设有化学喷射装置,通过化学喷射装置对晶元进行去离子水清洗以达到清洗晶元表面污染颗粒的目的。
为满足工艺需求,晶元边缘会进行切割(trim),以附图1为例,切割后的晶元边缘形成一宽度为2.4mm的环形凹槽(边缘切割部分),位于环形凹槽处的晶元厚度相比其内侧的晶元厚度要小。由于技术的局限性,经过切割后的晶元边缘仍会存在或多或少的晶元边缘剥落问题,当采用前述的清洗装置进行清洗时,圆筒毛刷接触到晶元边缘,圆筒毛刷突起的部分将会造成晶元边缘的二次伤害,而且晶元边缘剥落的碎屑可能污染到整支圆筒毛刷,直接影响到圆筒毛刷的后续清洗能力。
实用新型内容
针对现有技术中存在的问题,本实用新型提供了一种能够避免圆筒毛刷对晶元的边缘切割部分造成二次伤害、避免圆筒毛刷被晶元边缘脱落污染以及避免受污染后的圆筒毛刷对晶元造成机械划伤的适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置。
以下对本申请的实施例进行详细说明,但是本申请可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
本实用新型采用如下技术方案:
一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置,所述清洁装置设置在清洁台面上,经过边缘切割的晶元具有一切割宽度,所述清洗装置包括:
晶元旋转组件,所述晶元旋转组件设置在所述清洁台面上,所述晶元旋转组件连接所述晶元并旋转所述晶元;
圆筒毛刷,所述圆筒毛刷位于在所述晶元下方,所述圆筒毛刷与所述晶元接触并旋转;
圆筒毛刷旋转组件,所述圆筒毛刷旋转组件设置在所述清洁台面上,所述圆筒毛刷旋转组件连接所述圆筒毛刷;
清洁海绵,所述清洁海绵位于所述晶元上方,所述清洁海绵与所述晶元接触并在所述晶元上方由外向内沿预设起点至预设终点方向运动,所述预设起点位于所述晶元上且与所述晶元的边缘具有一预设距离,所述预设距离大于所述切割宽度;
清洁海绵移动组件,所述清洁海绵移动组件设置在所述清洁台面上,所述清洁海绵移动组件连接所述清洁海绵;
喷射组件,所述喷射组件位于所述晶元上方。
优选的,所述晶元在所述晶元旋转组件的夹持下与所述清洁台面平行且以与所述清洁台面垂直的纵向轴线为中心轴旋转。
优选的,所述圆筒毛刷在所述圆筒毛刷旋转组件的夹持下与所述清洁台面平行且以与所述清洁台面平行的横向轴线为中心轴旋转。
优选的,所述预设终点为所述晶元的中心。
优选的,所述切割宽度为2.4mm。
优选的,所述预设距离为3mm。
优选的,所述清洁海绵移动组件包括:
驱动单元;
支杆,所述支杆垂直设置在所述清洁台面上;
连杆,所述连杆位于所述晶元上方且与所述晶元平行,所述连杆两端分别连接所述驱动单元的动力端和所述清洁海绵,所述连杆还连接在所述支杆上并以所述支杆为支点旋转。
优选的,所述喷射组件包括:
输送管;
喷头,所述喷头连接所述输送管,所述喷头下方设置至少一个喷嘴。
本实用新型的有益效果:避免现有技术中存在的,由于圆筒毛刷接触晶元的边缘切割部分而导致的圆筒毛刷对晶元表面造成二次伤害、晶元边缘脱落污染圆筒毛刷影响圆筒毛刷清洁能力以及受到污染的圆筒毛刷对晶元造成机械划伤的问题,提高圆筒毛刷以及整个清洁装置的清洁能力和使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的一种优选实施例中,经过边缘切割的晶元的结构示意图;
图2为本实用新型的一种优选实施例中,一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置的结构示意图之一;
图3为本实用新型的一种优选实施例中,一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置的结构示意图之二。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,下述技术方案,技术特征之间可以相互组合。
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步的说明:
如图1-3所示,一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置,上述清洁装置设置在清洁台面3上,经过边缘切割的晶元2具有一切割宽度,上述清洗装置包括:
晶元旋转组件4,上述晶元旋转组件4设置在上述清洁台面3上,上述晶元旋转组件4连接上述晶元2并旋转上述晶元2;
圆筒毛刷6,上述圆筒毛刷6位于在上述晶元2下方,上述圆筒毛刷6与上述晶元2接触并旋转;
圆筒毛刷旋转组件5,上述圆筒毛刷旋转组件5设置在上述清洁台面3上,上述圆筒毛刷旋转组件5连接上述圆筒毛刷6;
清洁海绵8,上述清洁海绵8位于上述晶元2上方,上述清洁海绵8与上述晶元2接触并在上述晶元2上方由外向内沿预设起点13至预设终点14方向运动,上述预设起点13位于上述晶元2上且与上述晶元2的边缘具有一预设距离,上述预设距离大于上述切割宽度;
清洁海绵移动组件7,上述清洁海绵移动组件7设置在上述清洁台面3上,上述清洁海绵移动组件7连接上述清洁海绵8;
喷射组件9,上述喷射组件9位于上述晶元2上方。在本实施例中,晶元旋转组件4夹持晶元2并使晶元2在清洁平台3上方旋转,晶元2下方设置圆筒毛刷6,圆筒毛刷6在圆筒毛刷旋转组件5的夹持下与晶元2接触并旋转,晶元2上方设置清洁海绵8,清洁海绵8在清洁海绵移动组件7的驱动下与晶元2接触并沿晶元2表面的预设起点13至预设终点14方向运行以清扫晶元2表面,由于上述预设起点13与上述晶元2的边缘之间的预设距离大于上述切割宽度,能够避免清洁装置在对晶元2进行清洁时接触到晶元2的边缘切割部分,避免现有技术中存在的,由于圆筒毛刷接触晶元2的边缘切割部分而导致的圆筒毛刷对晶元2表面造成二次伤害、晶元边缘脱落污染圆筒毛刷影响圆筒毛刷清洁能力以及受到污染的圆筒毛刷对晶元2造成机械划伤的问题,提高圆筒毛刷以及整个清洁装置的清洁能力和使用寿命。另外,通过喷射组件9喷出的化学剂来对晶元2进行清洗。
较佳的实施例中,上述晶元2在上述晶元旋转组件4的夹持下与上述清洁台面3平行且以与上述清洁台面3垂直的纵向轴线为中心轴旋转。
较佳的实施例中,上述圆筒毛刷6在上述圆筒毛刷旋转组件5的夹持下与上述清洁台面3平行且以与上述清洁台面3平行的横向轴线为中心轴旋转。
较佳的实施例中,上述预设终点14为上述晶元2的中心。
较佳的实施例中,上述切割宽度为2.4mm(如图1所示)。
较佳的实施例中,上述预设距离为3mm。
较佳的实施例中,上述清洁海绵移动组件7包括:
驱动单元(图中未示出);
支杆10,上述支杆10垂直设置在上述清洁台面3上;
连杆11,上述连杆11位于上述晶元2上方且与上述晶元2平行,上述连杆11两端分别连接上述驱动单元的动力端和上述清洁海绵8,上述连杆11还连接在上述支杆10上并以上述支杆10为支点旋转。
在本实施例中,清洁海绵8在清洁海绵移动组件7的作用在预设起点13和预设终点14之间可以进行往复多次运动也就可以进行单向单次运动,在进行往复运动时,只有在由外向内时清洁海绵8与晶元2接触,在进行单向单次运动时,只需进行一次由外向内的运动且由外向内清扫时清洁海绵8与晶元2接触。
较佳的实施例中,上述喷射组件9包括:
输送管(图中未示出);
喷头12,上述喷头12连接上述输送管,上述喷头12下方设置至少一个喷嘴(图中未示出)。
通过说明和附图,给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例,基于本实用新型精神,还可作其他的转换。尽管上述实用新型提出了现有的较佳实施例,然而,这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言,阅读上述说明后,各种变化和修正无疑将显而易见。因此,所附的权利要求书应看作是涵盖本实用新型的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容,都应认为仍属本实用新型的意图和范围内。

Claims (8)

1.一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置,所述清洁装置设置在清洁台面上,经过边缘切割的晶元具有一切割宽度,其特征在于,所述清洗装置包括:
晶元旋转组件,所述晶元旋转组件设置在所述清洁台面上,所述晶元旋转组件连接所述晶元并旋转所述晶元;
圆筒毛刷,所述圆筒毛刷位于在所述晶元下方,所述圆筒毛刷与所述晶元接触并旋转;
圆筒毛刷旋转组件,所述圆筒毛刷旋转组件设置在所述清洁台面上,所述圆筒毛刷旋转组件连接所述圆筒毛刷;
清洁海绵,所述清洁海绵位于所述晶元上方,所述清洁海绵与所述晶元接触并在所述晶元上方由外向内沿预设起点至预设终点方向运动,所述预设起点位于所述晶元上且与所述晶元的边缘具有一预设距离,所述预设距离大于所述切割宽度;
清洁海绵移动组件,所述清洁海绵移动组件设置在所述清洁台面上,所述清洁海绵移动组件连接所述清洁海绵;
喷射组件,所述喷射组件位于所述晶元上方。
2.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述晶元在所述晶元旋转组件的夹持下与所述清洁台面平行且以与所述清洁台面垂直的纵向轴线为中心轴旋转。
3.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述圆筒毛刷在所述圆筒毛刷旋转组件的夹持下与所述清洁台面平行且以与所述清洁台面平行的横向轴线为中心轴旋转。
4.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述预设终点为所述晶元的中心。
5.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述切割宽度为2.4mm。
6.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述预设距离为3mm。
7.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述清洁海绵移动组件包括:
驱动单元;
支杆,所述支杆垂直设置在所述清洁台面上;
连杆,所述连杆位于所述晶元上方且与所述晶元平行,所述连杆两端分别连接所述驱动单元的动力端和所述清洁海绵,所述连杆还连接在所述支杆上并以所述支杆为支点旋转。
8.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述喷射组件包括:
输送管;
喷头,所述喷头连接所述输送管,所述喷头下方设置至少一个喷嘴。
CN201721165878.6U 2017-09-12 2017-09-12 一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置 Active CN207303052U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201721165878.6U CN207303052U (zh) 2017-09-12 2017-09-12 一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201721165878.6U CN207303052U (zh) 2017-09-12 2017-09-12 一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207303052U true CN207303052U (zh) 2018-05-01

Family

ID=62447035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201721165878.6U Active CN207303052U (zh) 2017-09-12 2017-09-12 一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN207303052U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108570701A (zh) * 2018-07-03 2018-09-25 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种电镀润湿装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108570701A (zh) * 2018-07-03 2018-09-25 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种电镀润湿装置
CN108570701B (zh) * 2018-07-03 2024-02-23 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种电镀润湿装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN204658194U (zh) 一种清洗装置
CN201559124U (zh) 研磨头组件的清洗装置以及化学机械研磨设备
US10734254B2 (en) Brush cleaning apparatus, chemical-mechanical polishing (CMP) system and wafer processing method
CN209125576U (zh) 研磨液供给手臂及化学机械研磨装置
JP2013089797A (ja) 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
US20120190278A1 (en) Polishing method and polishing device
CN110828334A (zh) 基板用清洗件、基板清洗装置、基板处理装置、基板处理方法以及基板用清洗件的制造方法
CN206997305U (zh) 一种用于不同粗糙度和尺寸的蓝宝石晶片表面清洗装置
CN102437013A (zh) 一种cmp机台内置晶片清洗装置
CN207303052U (zh) 一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置
CN103008301B (zh) 晶圆片双面刷洗机
CN106269591A (zh) 一种自动清洁机及自动清洁方法
CN105364699B (zh) 一种化学机械研磨方法和化学机械研磨设备
US6578227B2 (en) Pad for use in a critical environment
CN201841472U (zh) 研磨液手臂以及化学机械研磨设备
US11551940B2 (en) Roller for cleaning wafer and cleaning apparatus having the same
JP2002509367A (ja) ウエハ処理装置に用いられる洗浄/バフ研磨装置
CN203417887U (zh) 晶圆片生产工序间的双面刷洗设备
CN103551344A (zh) 全自动清洗机
CN112820629A (zh) 一种晶圆研磨方法
CN111430262A (zh) 一种晶圆背面边缘区清洗设备及晶圆背面清洗方法
CN221135467U (zh) 一种化学机械抛光系统
CN203993512U (zh) 化学机械研磨刷子及化学机械研磨装置
CN215357894U (zh) 一种抛光时同步清洁抛光垫的带式抛光装置
CN216980499U (zh) 一种晶圆清洗装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 430205 No.18, Gaoxin 4th Road, Donghu Development Zone, Wuhan City, Hubei Province

Patentee after: Wuhan Xinxin Integrated Circuit Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 430205 No.18, Gaoxin 4th Road, Donghu Development Zone, Wuhan City, Hubei Province

Patentee before: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.

Country or region before: China