CN207124030U - 电子钹 - Google Patents

电子钹 Download PDF

Info

Publication number
CN207124030U
CN207124030U CN201721027907.2U CN201721027907U CN207124030U CN 207124030 U CN207124030 U CN 207124030U CN 201721027907 U CN201721027907 U CN 201721027907U CN 207124030 U CN207124030 U CN 207124030U
Authority
CN
China
Prior art keywords
cable
main component
component
cover component
electronic cymbal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201721027907.2U
Other languages
English (en)
Inventor
小林翔太
森良彰
森田豊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Roland Corp
Original Assignee
Roland Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2016004179A external-priority patent/JP6107981B2/ja
Application filed by Roland Corp filed Critical Roland Corp
Application granted granted Critical
Publication of CN207124030U publication Critical patent/CN207124030U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F7/00—Methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
    • G06F7/06—Arrangements for sorting, selecting, merging, or comparing data on individual record carriers
    • G06F7/20—Comparing separate sets of record carriers arranged in the same sequence to determine whether at least some of the data in one set is identical with that in the other set or sets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making

Abstract

本实用新型提供一种电子钹(100)，包括具有击打面的圆环状的主体构件(1)、配设在所述主体构件(1)的与击打面为相反侧的下表面的圆环状的罩构件(2)、以及安装在所述罩构件(2)或主体构件(1)上的基板(3)。所述电子钹(100)包括缆线(4)，缆线(4)的一端直接连接在基板上且另一端具有端子。罩构件(2)包括外周壁(22)，所述外周壁(22)是自所述罩构件(2)的外缘向主体构件(1)的下表面侧突出而形成且以其突出前端与主体构件(1)的下表面隔开的方式配设。将所述缆线(4)收纳在较外周壁(22)更靠内周侧的主体构件(1)与罩构件(2)的对向空间。本公开旨在将缆线直接连接在基板上的情况下也可简化不使用时的操作的电子钹。

Description

电子钹
技术领域
本实用新型涉及一种电子钹。本实用新型尤其涉及一种在将缆线直接连接在基板上的情况下也可简化不使用时的操作的电子钹。
背景技术
已知有利用缆线将电子钹与音源装置连接，自音源装置模拟地发出声学钹(acoustic cymbal)的打击音的技术。例如，在专利文献1中揭示了一种电子钹，其在电子钹的下表面设置插口(jack)，将缆线的端子连接于所述插口，由此而将打击的检测信号输出至音源装置。
然而，所述现有的技术中，将缆线连接于电子钹的插口。因此，缆线会因打击而振动，存在自电子钹输出至音源装置的检测信号产生瞬断的情况。另外，由于连接缆线的插口或端子的种类不同，有的会容易产生此种瞬断。此处，在自电子钹输出至音源装置的检测信号是数字信号的情况下，若检测信号产生瞬断，则无法自音源装置恰当地生成乐音。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2015-121728(例如图1(b))
实用新型内容
[实用新型所要解决的问题]
对此，本申请的申请人想到将缆线直接连接在电子钹的基板上(本申请时未公知)。此种情况下，要将缆线卸下则需要分解电子钹，实质上不能拆装。如此，将缆线直接连接在基板上的结果便是在不使用时缆线会碍事。因此，产生了电子钹的操作变得繁杂的问题。
本实用新型是为了解决所述问题而成。目的在于提供一种在将缆线直接连接在基板上的情况下也可简化不使用时的操作的电子钹。
[解决问题的技术手段及实用新型的效果]
技术方案1的电子钹，包括：具有击打面的圆环状的主体构件；配设在所述主体构件的与所述击打面为相反侧的下表面的圆环状的罩构件；以及安装在所述罩构件或所述主体构件上的基板。电子钹包括缆线，所述缆线的一端直接连接在基板上且另一端具有端子。罩构件包括外周壁，所述外周壁是自所述罩构件的外缘向主体构件的下表面侧突出而形成且以其突出前端与主体构件的下表面隔开的方式配设。将缆线收纳在较外周壁更靠内周侧的主体构件与罩构件的对向空间。
由此，可将直接连接在基板上的缆线自主体构件的下表面与罩构件的外周壁的对向空间向外周壁的内周侧插入。因而，可将缆线收纳在较外周壁更靠内周侧的主体构件与罩构件的对向空间。因此，具有在将缆线直接连接在基板上的情况下也可简化不使用时的电子钹的操作的效果。
技术方案2的电子钹，罩构件包括凸肋部，凸肋部是在较外周壁更靠内周侧沿圆周方向形成且是向主体构件的下表面侧突出而形成。基板配设在主体构件与罩构件的对向空间且其至少一部分配设在较罩构件的凸肋部更靠内周侧。
由此，即便来自主体构件的下表面与罩构件的外周壁的对向空间的异物混入，也可抑制异物混入至较凸肋部更靠内周侧。此时，基板配设在主体构件与罩构件的对向空间，其至少一部分配设在较凸肋部更靠内周侧。由此，可抑制异物接触基板。因而，在与主体构件的下表面隔开地配设罩构件的外周壁的情况下，也可抑制异物接触配设在主体构件与罩构件的对向空间的基板。
技术方案3的电子钹，基板安装于罩构件，罩构件经由弹性构件而弹性支撑于主体构件。
由此，由对击打面的打击所引起的振动由于弹性构件而得到衰减，可抑制所述振动传达至罩构件。因而，即便是对安装于罩构件的基板而言，也可抑制由对击打面的打击所引起的振动的传达。即，可抑制振动传达至基板与缆线的直接连接部分。因此，可抑制自电子钹输出至音源装置的检测信号产生瞬断。
技术方案4的电子钹，所述罩构件的凸肋部以在因对击打面的打击而罩构件相对于主体构件摇动的情况下，其突出前端与主体构件的下表面隔开的高度形成。
由此，可抑制由打击所引起的振动经由凸肋部而自主体构件直接传达至罩构件。因而，可抑制此种振动传达至配设于罩构件的基板与缆线的直接连接部分。因此，可更确实地抑制自电子钹输出至音源装置的检测信号产生瞬断。
技术方案5的电子钹，缆线将其缆线中的基板侧的部位固定于主体构件的下表面。
由此，缆线摇动的情况、或在拉伸缆线的方向上施加有外力的情况下的振动被此种固定部分遮挡。因而，可抑制由缆线的摇动或外力所引起的振动经由缆线传达至缆线与基板的直接连接部分。因此，可更确实地抑制自电子钹输出至音源装置的检测信号产生瞬断，且可抑制直接连接缆线的基板产生破损。
技术方案6的电子钹，包括夹持构件，夹持构件与罩构件的外周壁在其径向上隔开规定间隔地对向配置。夹持构件在与主体构件的下表面之间夹持缆线中的基板侧的部位，且在与外周壁之间夹持缆线中的端子侧的部位。
因此，可将用于将缆线的基板侧的部位固定于主体构件的下表面的构件、及用于对缆线的端子侧的部位加以保持的构件兼用作夹持构件。因而，零件个数减少，故而可降低电子钹的制品成本。
技术方案7的电子钹，主体构件包括圆环状框架，在框架形成：中心部、自中心部的外缘向罩构件侧突设的突设部、以及自突设部向外周侧伸出的伸出部。
技术方案8的电子钹，通过将突设部的一部分切除，而形成将突设部的外周侧与内周侧连通的开口。
技术方案9的电子钹，框架以在介隔所述开口的圆周方向两侧，一对凸肋部自伸出部的下表面向下方突出的方式形成。
技术方案10的电子钹，框架的一对凸肋部与突设部在径向上隔开规定间隔地对向配置。
附图说明
图1是自上表面侧观察本实用新型的第1实施形态的电子钹得出的分解立体图。
图2是自下表面侧观察电子钹得出的分解立体图。
图3是电子钹的下表面图。
图4是图3的IV-IV线的电子钹的局部放大剖面图。
图5是自下表面侧观察电子钹得出的立体图。
图6是表示卸下罩构件的状态的电子钹的下表面图。
图7是图6的VII-VII线的电子钹的局部放大剖面图。
图8是第2实施形态的电子钹的局部放大剖面图。
[符号的说明]
100、200：电子钹
1、201：主体构件
10、210：框架
10a：中心部
10b：突设部
10c：伸出部
10d：开口
10e：第3凸肋部
10e1：对向部
10e2：弯曲部
10f：贯通孔
11：钟形部
11a：突起部
11b：嵌合部
12：传感器保持部
13：弓形部
2、202：罩构件
20：固定部
20a：贯通孔
21、221：支撑部
22、222：外周壁
22a：切口部
23、223：第1凸肋部(凸肋部)
24：第2凸肋部
210g：第4凸肋部
3：基板
4：缆线
40：缆线部
41：端子
5：铁氧体磁芯
6：夹持构件
60：插入部
61：夹持部
61a：开口
61b：突出部
7：橡胶衬套(弹性构件)
8：第1传感器
9：第2传感器
S：收纳空间
具体实施方式
以下，参照附图对本实用新型的优选实施形态进行说明。首先，参照图1及图2对电子钹100的整体构成进行说明。图1是自上表面侧观察本实用新型的第1实施形态的电子钹100得出的分解立体图。图2是自下表面侧观察电子钹100得出的分解立体图。此外，图1及图2中，为了容易理解而将电子钹100的一部分省略来进行图示。
如图1及图2所示，电子钹100是模拟声学钹的电子打击乐器。电子钹100包括：主体构件1、罩构件2、基板3、缆线4、铁氧体磁芯(ferrite core)5、夹持构件6(参照图2)。主体构件1形成为具有击打面的圆环状。罩构件2配设在所述主体构件1的与击打面为相反侧的下表面。基板3固定于所述罩构件2。缆线4的一端连接于所述基板3。铁氧体磁芯5配设在所述缆线4。夹持构件6在与主体构件1的下表面之间夹持所述铁氧体磁芯5。
此外，以下的说明中，将沿主体构件1及罩构件2的轴的方向(图1及图2的上下方向)定义为上下方向，将沿所述轴周围的方向定义为圆周方向。另外，将沿包含所述轴在内的平面的方向、且与所述轴呈直角的方向定义为径向，将所述径向外侧定义为外周侧，将径向内侧定义为内周侧。
主体构件1包括：框架(frame)10、钟形(bell)部11(参照图1)、传感器保持部12、及弓形(bow)部13。主体构件1是由演奏者进行打击的构件。框架10由具有规定的弹性的树脂材料形成为圆环状。钟形部11(参照图1)配设在所述框架10的中心部10a的上表面。钟形部11是作为击打面而形成。传感器保持部12保持于所述钟形部11。弓形部13配设在较钟形部11更靠外周侧的框架10的上表面。弓形部13是作为击打面而形成。
罩构件2是用于相对于主体构件1对基板3进行弹性支撑的构件。罩构件2由树脂材料形成为圆环状。在所述罩构件2的上表面，利用螺丝来固定作为控制基板的基板3。在所述基板3上，直接连接着用于连接基板3与音源装置(未图示)的缆线4。
此处，所谓直接连接，定义如下：要将缆线4自基板3卸下则需要分解电子钹100(例如将罩构件2自主体构件1卸下)，实质上不能拆装。
所述缆线4包括缆线部40及端子41。缆线部40的一端直接连接在基板3上。端子41配设在所述缆线部40的另一端侧，且连接于音源装置。缆线4自罩构件2与主体构件1的对向空间向外部(较罩构件2的外周壁22更靠外周侧)延伸。
缆线部40在其内部设置配线(未图示)，且所述配线由弹性材料被覆，形成为剖面圆形状。所述缆线部40在圆筒状的铁氧体磁芯5中插通。所述铁氧体磁芯5是用于将缆线4中的噪声去除的噪声滤波器(noise filter)。
罩构件2包括：固定部20、支撑部21、外周壁22、第1凸肋部23、及多个(本实施形态中为12个)第2凸肋部24。固定部20固定于框架10。支撑部21是自所述固定部20的下端向外周侧伸出而形成。外周壁22自所述支撑部21的外缘向上方(向框架10靠近的方向；图1的上侧)突出而形成为平板状。第1凸肋部23在较所述外周壁22更靠内周侧自支撑部21向上方突出而形成为平板状。多个第2凸肋部24形成在所述第1凸肋部23及外周壁22的对向空间。
固定部20是自罩构件2的支撑部21向上方突出而形成。在固定部20的突出前端侧，沿圆周方向形成多个贯通孔20a。
支撑部21是用于对基板3进行支撑的部位，形成有多个母螺纹孔。利用螺丝将基板3固定于所述母螺纹孔。基板3配设在较外周壁22更靠内周侧。第1凸肋部23以所述基板3的圆周方向上的两端部为起点，沿圆周方向延伸设置。即，在配设基板3的区域不形成第1凸肋部23。
第1凸肋部23是用于限制异物向罩构件2的内部混入的凸肋。第2凸肋部24是用于保持缆线4(缆线部40)的凸肋。第2凸肋部24以沿径向自外周壁22向第1凸肋部23侧突出的方式形成为平板状。
所述罩构件2在基板3已被固定的状态下，经由橡胶衬套(rubber bush)7而弹性支撑于主体构件1(参照图2)。缆线4的缆线部40自这些主体构件1与罩构件2的对向空间延伸至较外周壁22更靠外周侧。缆线4的缆线部40在铁氧体磁芯5中插通。这些缆线部40及铁氧体磁芯5一体成形。铁氧体磁芯5经由弹性构件而载置于框架10的下表面。进而，利用夹持构件6，将铁氧体磁芯5夹持在与框架10之间。
夹持构件6由树脂材料形成。夹持构件6在已夹持铁氧体磁芯5的状态下，利用螺丝固定于框架10的下表面。所述夹持构件6包括插入部60。插入部60插入罩构件2的外周壁22与框架10的下表面的对向空间。用于插入所述插入部60的切口部22a形成在外周壁22。
在所述插入部60的外周侧，接连设置用于夹持铁氧体磁芯5的夹持部61。在所述夹持部61的内部，形成与铁氧体磁芯5的外形形状对应的收容空间。在插入部60，在其内周侧开口而形成将此种夹持部61的收容空间与外部沿径向连通的开口(未图示)。所述开口形成在与后述的开口10d在径向上对向的位置。
在夹持部61形成开口61a及突出部61b。开口61a将所述夹持部61的内部的收容空间与外部沿圆周方向连通。突出部61b是自夹持部61的下端部(图2的上侧的端部)向外周壁22突出而形成。缆线4自开口61a延伸至夹持构件6的外部。
突出部61b沿外周壁22的外周，隔开规定间隔地对向配置。所述突出部61b与外周壁22的对向间隔是以较缆线部40的外径尺寸略微窄的方式形成。
在与罩构件2对向的框架10形成：中心部10a、突设部10b、及伸出部10c。在中心部10a，经由橡胶衬套7且利用螺丝将罩构件2固定。突设部10b自所述中心部10a的外缘向下方(罩构件2侧；图2的上侧)突设。伸出部10c自所述突设部10b向外周侧伸出。
中心部10a形成为圆环状。中心部10a是自其内周至外周逐渐下降倾斜而形成。沿中心部10a的圆周方向将多个(本实施形态中为4个)橡胶衬套7(参照图3)固定。
突设部10b形成为沿圆周方向延伸设置的壁面。突设部10b以其外径小于外周壁22的内径的方式形成。因而，在已将罩构件2固定于主体构件1的状态下，突设部10b与外周壁22在径向上隔开规定间隔地对向配置。
通过将所述突设部10b的一部分切除，而形成将所述突设部10b的外周侧与内周侧连通的开口10d。所述开口10d是用于使自基板3延伸的缆线4延伸至外周侧的开口。在介隔所述开口10d的圆周方向两侧，形成一对第3凸肋部10e。一对第3凸肋部10e限制异物自所述开口10d向突设部10b的内周侧混入。
一对第3凸肋部10e分别形成为自伸出部10c(框架10)的下表面向下方突出的平板状。进而，一对第3凸肋部10e沿圆周方向对向配置。夹持构件6的插入部60在所述一对第3凸肋部10e的对向空间固定于框架10。
一对第3凸肋部10e分别包括对向部10e1及弯曲部10e2。对向部10e1与突设部10b在径向上隔开规定间隔地对向配置。弯曲部10e2自所述对向部10e1的一端向突设部10b侧弯曲而形成。
所述弯曲部10e2形成在第3凸肋部10e上的与开口10d隔开一侧的端部。所述弯曲部10e2的突设部10b侧的端部配设在与突设部10b在径向上隔开规定间隔的位置。
由此，在已将罩构件2固定于主体构件1的状态下，由插入部60(夹持构件6)、一对第3凸肋部10e及罩构件2的外周壁22(切口部22a)将开口10d的外周侧包围。
因而，可通过这些包围开口10d的各构件，来抑制异物自所述开口10d混入突设部10b的内周侧。即，在为了将缆线4自框架10(主体构件1)与罩构件2的对向空间延伸至外方，而在框架10形成有开口10d的情况下，也可抑制异物自所述开口10d混入。因而，可抑制异物接触配设在框架10与罩构件2的对向空间的基板3。
此处，例如若与突设部10b连接地形成一对第3凸肋部10e的弯曲部10e2，则在此种连接部分，框架10的刚性增强。即，框架10中的振动传达会因部位不同而变得不均匀，无法恰当地检测由打击所引起的振动。
对此，根据本实施形态的电子钹100，与突设部10b隔开规定间隔地配设一对第3凸肋部10e的弯曲部10e2。因此，可抑制框架10的刚性局部增强。即，通过使框架10中的振动传达无关于部位皆均匀，可更恰当地检测由打击所引起的振动。
接着，参照图3～图5对电子钹100的各部的详细构成进行说明。图3是电子钹100的下表面图。图4是图3的IV-IV线的电子钹100的局部放大剖面图。图5是自下表面侧观察电子钹100得出的立体图。此外，图3～图5中，为了容易理解而将电子钹100的一部分省略来进行图示。
如图3所示，缆线4的缆线部40自主体构件1与罩构件2的对向空间沿径向延伸。进而，缆线4的缆线部40以在夹持构件6的内部弯曲的状态固定于框架10的下表面。即，覆设在缆线部40的外周的铁氧体磁芯5是以如下姿势夹持在夹持部61，即，俯视时，使所述铁氧体磁芯5的轴，朝向与径向垂直的方向。
由此，缆线4自夹持构件6沿圆周方向延伸，故而可容易地卷回缆线4。另外，在使缆线部40弯曲的状态下，利用夹持构件6加以固定。因此，与每次将缆线部40卷回时重复使其弯曲的情况相比，可抑制缆线部40内部的配线断线。
如图4及图5所示，罩构件2的外周壁22是以其上端(突出前端；图4的上侧的端部)与框架10(主体构件1)的下表面隔开的方式配设。由此，在框架10与罩构件2的对向空间，形成收纳空间S。因而，可将自夹持部61延伸至外部的缆线4的缆线部40，自框架10的下表面与外周壁22的对向空间插入至外周壁22的内周侧。并且，可将缆线4的缆线部40收纳在收纳空间S(参照图5)。因而，在将缆线4直接连接在基板3上的情况下也可简化不使用时的电子钹100的操作。
另外，形成在外周壁22的内周侧的第2凸肋部24是以自其支撑部21突出的高度低于外周壁22自支撑部21突出的高度的方式形成(参照图4)。因而，可通过外周壁的突出前端部分来抑制缆线部40(缆线4)自收纳空间S向外周侧滑落。
此时，通过与框架10的下表面隔开地配设外周壁22，异物有可能自所述框架10与外周壁22的对向空间混入。即，异物有可能接触配设在主体构件1与罩构件2的对向空间的基板3。
对此，根据本实施形态的电子钹100，包括配设在较外周壁22更靠内周侧的第1凸肋部23。由此，即便来自框架10与外周壁22的对向空间的异物混入，也可抑制异物混入至较第1凸肋部23更靠内周侧。因而，可抑制异物接触配设在较第1凸肋部23更靠内周侧的基板3。
进而，所述第1凸肋部23形成在较框架10的突设部10b更靠内周侧。进而，以所述第1凸肋部23的上端(相对于支撑部21而言的突出前端)较突设部10b的下端(相对于伸出部10c而言的突设前端)位于更上方的方式形成。由此，即便异物自框架10的下表面与外周壁22的对向空间混入，所述异物也会碰到突设部10b，而向较第1凸肋部23更靠外周侧的支撑部21落下。因而，可通过第1凸肋部23来限制朝支撑部21落下的异物移动至内周侧。结果，可更确实地抑制异物混入至基板3侧。
另外，罩构件2经由橡胶衬套7而弹性支撑于框架10(主体构件1)。由此，可通过橡胶衬套7来使由对击打面(钟形部11及弓形部13)的打击所引起的振动衰减。即，通过抑制由对击打面的打击所引起的振动传达至罩构件2，即便是对配设于所述罩构件2的基板3而言，也可抑制此种振动的传达。
由此，可抑制振动传达至基板3与缆线4的直接连接部分。由此，可抑制自电子钹100输出至音源装置的检测信号产生瞬断。因而，即便自基板3输出至音源装置的检测信号是数字信号，也可自音源装置恰当地生成乐音。
此时，为了抑制异物向基板3侧的混入，优选的是极力提升相对于支撑部21而言的第1凸肋部23的突设高度。然而，若第1凸肋部23的突设高度过高，则框架10的下表面与第1凸肋部23的突设前端的对向间隔变得过窄。在此种情况下，当因对击打面的打击而罩构件2相对于主体构件1摇动时，第1凸肋部23碰到框架10的下表面。即，由打击所引起的振动经由第1凸肋部23而传达至罩构件2。
对此，本实施形态中，在因对击打面的打击而罩构件2相对于主体构件1摇动时，第1凸肋部23是以其突出前端与框架10(主体构件1)的下表面隔开的高度形成。由此，即便因打击的冲击而罩构件2摇动，也可抑制第1凸肋部23碰到框架10的下表面。即，可抑制由打击所引起的振动经由第1凸肋部23而自框架10直接传达至罩构件2。由此，可抑制此种振动传达至缆线4与基板3的直接连接部分。因而，可更确实地抑制自电子钹100输出至音源装置的检测信号产生瞬断。
另外，自夹持构件6的夹持部61延伸的缆线4将铁氧体磁芯5安装在所述缆线部40中的基板3侧的部位(即，较外周壁22位于更靠外周侧的缆线部40的根部)。进而，通过夹持构件6而将所述铁氧体磁芯5固定于框架10(主体构件1)的下表面(参照图5)。因而，即便在缆线4摇动的情况下、或在拉伸缆线4的方向上施加有外力，此种摇动或外力(振动)也会被框架10的下表面与缆线部40(铁氧体磁芯5)的固定部分遮挡。
由此，可抑制由缆线4的摇动或外力所引起的振动经由缆线部40传达至缆线4与基板3的直接连接部分。因此，可更确实地抑制自电子钹100输出至音源装置的检测信号产生瞬断。进而，可抑制直接连接缆线4的基板3产生破损。
此时，遮挡由缆线4的摇动或外力所引起的振动(抑制传达至缆线4与基板3的直接连接部分)也可通过使缆线4的根部固定于罩构件2侧来达成。然而，此种构成中，例如若在拉伸缆线4的方向上施加外力，则因所述外力而罩构件2相对于框架10(主体构件1)摇动。因而，对夹设在框架10与罩构件2之间的橡胶衬套7施加过量的负载，从而加速其劣化。
对此，根据本实施形态的电子钹100，将缆线4固定下框架10的下表面。由此，即便在拉伸缆线4的方向上施加有外力，所述外力也会传达至框架10(主体构件1)侧。因而，与将缆线4固定于罩构件2的情况相比，可抑制对橡胶衬套7施加负载。结果，可提升电子钹100的耐久性。
另外，缆线部40(缆线4)将其前端侧(缆线部40中的端子41侧的部位)夹持在外周壁22与夹持部61的对向空间。即，夹持部61在径向上与外周壁22隔开规定间隔地对向配置，在所述夹持部61的下端部，形成向外周壁22这一侧突出所形成的突出部61b。由此，可在此种对向空间夹持缆线部40，且通过突出部61b来抑制缆线部40滑落。因而，可进一步简化不使用时的电子钹100的操作。
进而，可将用于限制异物自外周壁22与伸出部10c的对向空间混入的构件兼用作夹持构件6。并且，可将用于对缆线部40的端子41侧的部位加以保持的构件兼用作夹持构件6。除了这些以外，还可将用于将缆线部40的基板3侧的部位固定于框架10的下表面的构件兼用作夹持构件6。因而，零件个数减少，故而可降低电子钹100的制品成本。
回到图1进行说明。在框架10的中心部10a的外周侧，沿圆周方向等间隔地形成多个(本实施形态中为6个)贯通孔10f。将钟形部11的突起部11a嵌合在所述贯通孔10f。所述突起部11a是自钟形部11的外周侧的下端向下方突出而形成。进而，所述突起部11a沿圆周方向等间隔地形成多个(本实施形态中为6个)。
钟形部11在保持有传感器保持部12的状态下固定于框架10的中心部10a。在传感器保持部12，配设用于检测钟形部11的打击的第1传感器8。弓形部13覆设在框架10的伸出部10c的整个上表面。这些钟形部11及弓形部13是作为击打面而构成的部位，由弹性材料分别形成为圆环状。
此处，参照图6及图7对钟形部11及弓形部13的详细情况进行说明。图6是表示卸下罩构件2的状态的电子钹100的下表面图。图7是图6的VII-VII线的电子钹100的局部放大剖面图。此外，图6及图7中，为了容易理解而将电子钹100的一部分省略来进行图示。
如图6所示，在框架10的中心部10a的下表面，利用双面胶带来贴附第2传感器9。所述第2传感器9是用于检测弓形部13的打击的传感器，包含压电式拾音器(piezo pickup)(压电元件)。
如图7所示，钟形部11是自其内周至外周逐渐下降倾斜地形成。钟形部11包括在其内缘及外缘形成为一对的嵌合部11b。突起部11a是自钟形部11的外缘侧的嵌合部11b的下表面突出而形成。
一对嵌合部11b在钟形部11的外缘及内缘分别形成为纵剖面大致U字状。以所述一对嵌合部11b的突出前端对向的姿势形成。通过将传感器保持部12嵌合在所述一对嵌合部11b，传感器保持部12被弹性支撑于钟形部11的下表面侧。
传感器保持部12由树脂材料形成为圆环状。传感器保持部12是自其内周至外周逐渐下降倾斜地形成。在所述传感器保持部12的下表面，利用双面胶带贴附包含压电式拾音器(压电元件)的第1传感器8。
本实施形态中包括：配设在钟形部11侧的第1传感器8、及配设在弓形部13侧的第2传感器9。基于由这些第1传感器8及第2传感器9所检测的信号的电平比(所检测的打击信号的强弱)，由基板3来判断是否是对钟形部11及弓形部13的任一者的打击。
此处，第1传感器8相对于框架10，介隔钟形部11而弹性分离。即，将传感器保持部12弹性支撑于由弹性材料所形成的钟形部11，将第1传感器8配设在所述传感器保持部12。由此，弓形部13受到打击时的框架10的振动，由于钟形部11的弹力而得到衰减后传达至第1传感器8。与此相对，弓形部13受到打击时的框架10的振动，不经由弹性构件(经由框架10)而传达至第2传感器9。因而，在弓形部13受到打击的情况下，相较于第1传感器8而更容易在第2传感器9检测到强烈振动。
另外，在钟形部11受到打击的情况下，因钟形部11自身为弹性构件，故而传达至第2传感器9的振动由于钟形部11而得到衰减。因而，在钟形部11受到打击的情况下，相较于第2传感器9而更容易在第1传感器8检测到强烈振动。因此，通过基于由第1传感器8及第2传感器9所检测的信号的电平比来进行判断，可精度良好地检测出是否是对钟形部11及弓形部13的任一者的打击。
此时，钟形部11经由突设在其下表面的多个突起部11a而支撑于框架10，故而可减少框架10与钟形部11的接触面积。由此，可减少钟形部11与框架10之间的振动传达路径。即，可使钟形部11侧的振动与弓形部13侧的振动分离。因而，可更确实地抑制由第1传感器8来检测对弓形部13的打击、及由第2传感器9来检测对钟形部11的打击。
接着，参照图8对第2实施形态进行说明。第1实施形态中，对自框架10的下表面与罩构件2的外周壁22的对向空间将缆线4的缆线部40插入的情况进行了说明。与此相对，第2实施形态中，自框架210的下表面所形成的第4凸肋部210g与罩构件202的外周壁222的对向空间将缆线4的缆线部40插入。此外，对与所述第1实施形态相同的部分附上相同的符号并省略其说明。
图8是第2实施形态的电子钹200的局部放大剖面图。此外，图8中，为了容易理解而将电子钹200的一部分省略来进行图示，且示意性图示电子钹200。
如图8所示，第2实施形态中，罩构件202由橡胶状弹性体形成，基板(未图示)固定于主体构件1侧。在框架210的下表面，形成沿其圆周方向形成、且向下方(罩构件202侧；图8的下侧)突设的第4凸肋部210g。所述第4凸肋部210g与罩构件202的外周壁222沿上下方向隔开规定间隔地对向配置。
这些外周壁222与第4凸肋部210g的对向间隔是以自内周侧向外周侧逐渐变宽的形式形成。进而，外周壁222与第4凸肋部210g的对向间隔是以内周侧的对向间隔较缆线4的缆线部40的外径略微窄的方式形成。
自罩构件202的支撑部221向框架210侧突出而形成的第1凸肋部223是以其突出前端抵接于框架210的下表面的方式配设。另外，在第1凸肋部223，形成将其内周侧及外周侧连通的贯通孔(未图示)。缆线4自其贯通孔延伸至第1凸肋部223的外周侧。进而，所述缆线4沿第1凸肋部223的外周卷回。
由此，在不使用电子钹200时，可自罩构件202的外周壁222与框架210的第4凸肋部210g的对向空间将缆线4插入，将缆线4收纳在外周壁222的内周侧。因而，在将缆线4直接连接在基板上的情况下也可简化不使用时的电子钹200的操作。
此时，外周壁222与第4凸肋部210g的对向间隔是以自内周侧向外周侧逐渐变宽的形式形成，故而可容易地自此种对向空间收纳缆线4。
另外，外周壁222与第4凸肋部210g的内周侧的对向间隔是以较缆线部40的外径略微窄的方式形成，由此，要将缆线4拉出则需要规定的力。因而，可抑制缆线4自外周壁222与第4凸肋部210g的对向空间滑落。
另外，第1凸肋部223是以其突出前端抵接于框架210的下表面的方式配设。由此，即便异物自外周壁222与第4凸肋部210g的对向空间混入，也可更确实地抑制异物混入至较第1凸肋部223更靠内周侧。因而，可更确实地抑制异物接触配设在较第1凸肋部223更靠内周侧的基板。
以上，基于实施形态对本实用新型进行了说明，但本实用新型并不受所述实施形态的任何限定。可容易地推测到能够在不脱离本实用新型的主旨的范围内进行各种改良变形。
所述第1实施形态中，对将铁氧体磁芯5安装于缆线4、将所述铁氧体磁芯5夹持在夹持构件6并固定于框架10的下表面的情况进行了说明。但是未必限定于此。例如，也可将缆线4(缆线部40)直接粘接在框架10的下表面。另外，也可将具有较缆线部40的外径略微窄的内径的缆线夹(cable clamp)安装于缆线4，并利用螺丝将所述缆线夹固定于框架10的下表面。即，只要至少将自框架10与罩构件2的对向空间延伸的缆线4的根部(即基端侧的部位)附近固定于框架10的下表面即可。由此，可抑制振动经由缆线部40而到达缆线4与基板3的直接连接部分。
所述第1实施形态中，作为直接连接，已对将缆线4直接连接于基板3的情况进行了说明，但未必限定于此。例如，也可是分别设置连接于基板3的连接器(connector)及连接于缆线部40的连接器，将所述连接器彼此连接的构成。此时，只要在连接器形成用于维持已将此种连接器彼此连接的状态的防脱件即可。另外，也可将缆线4直接焊接于基板3。
即，“直接连接”是指如下必要条件：在不使用电子钹100时，缆线4也实质上不能拆装地连接于基板3，并不限定于所述连接方法(直接连接方法)。
因而，例如在通过所述将基板3及缆线4的连接器彼此连接的构成而将缆线4直接连接在基板3上的情况下，只要将较此种连接器彼此的连接部分更靠缆线部40的前端侧固定于框架10的下表面即可。此处，所谓较连接器彼此的连接部分更靠缆线部40的前端侧，是指自框架10与罩构件2的对向空间延伸的缆线4的根部附近。由此，可抑制振动传达至连接器彼此的连接部分。因而，可抑制在此种连接部分产生瞬断。
所述第1实施形态中，已对将缆线4的前端侧(缆线部40中的端子41侧的端部)夹持在外周壁22与夹持部61的对向空间的情况进行了说明。但是未必限定于此。例如，也可是另行设置形状与缆线部40的剖面形状对应的卡合部的构成。作为此种卡合部，例如可例示自框架10的下表面突设而成为一对的卡合突起、或凹设在夹持构件6的下表面(或外周侧的面)的凹槽等。
所述第1实施形态中，已对罩构件2的第1凸肋部23沿其圆周方向在一部分没有形成，并将基板3配设在没有形成所述第1凸肋部23的区域的情况进行了说明。但是未必限定于此。例如，也可是沿罩构件2的圆周方向遍及整周地延伸设置第1凸肋部23，而使基板3整体位于第1凸肋部23的内周侧的构成。由此，可更确实地抑制异物接触基板3。
此时，在第1凸肋部23形成将第1凸肋部23的内周侧与外周侧连通的开口。并且，只要将所述开口配置在与突设部10b的开口10d在径向上对向的位置即可。由此，可使缆线4自第1凸肋部23的开口与开口10d向外部延伸。
所述第1实施形态中，已对将夹持构件6的插入部60与框架10的突设部10b(形成开口10d的部位)在径向上隔开规定间隔地对向配置的情况进行了说明。但是未必限定于此。例如，也可是使插入部60与突设部10b(形成开口10d的部位)密接的构成。由此，可抑制异物自插入部60与突设部10b的对向空间混入。此时，可省略(不形成)一对第3凸肋部10e。因而，可抑制框架10的刚性局部增强。
所述各实施形态中，已对将基板3配设在主体构件1、主体构件201与罩构件2、罩构件202的对向空间的情况进行了说明。但是未必限定于此。例如，在框架10、框架210的下表面另行设置相当于罩构件2、罩构件202或夹持构件6的保持构件(被覆基板3进行保持的构件)。并且，也可在已将基板3保持于所述保持构件与框架10、框架210的下表面之间的状态下，将保持构件固定于框架10、框架210的下表面。此时，也可通过将自所述保持构件延伸的缆线4收纳在主体构件1、主体构件201与罩构件2、罩构件202的对向空间，而简化不使用电子钹100、电子钹200时的操作。

Claims (10)

1.一种电子钹，包括：具有击打面的圆环状的主体构件；配设在所述主体构件的与所述击打面为相反侧的下表面的圆环状的罩构件；以及安装在所述罩构件或所述主体构件上的基板，所述电子钹的特征在于：
包括缆线，所述缆线的一端直接连接在所述基板上且另一端具有端子，
所述罩构件包括外周壁，所述外周壁是自所述罩构件的外缘向所述主体构件的下表面侧突出而形成且以其突出前端与所述主体构件的下表面隔开的方式配设，且
将所述缆线收纳在较所述外周壁更靠内周侧的所述主体构件与所述罩构件的对向空间。
2.根据权利要求1所述的电子钹，其特征在于：所述罩构件包括凸肋部，所述凸肋部是在较所述外周壁更靠内周侧沿圆周方向形成且是向所述主体构件的下表面侧突出而形成，
所述基板配设在所述主体构件与所述罩构件的对向空间且其至少一部分配设在较所述罩构件的凸肋部更靠内周侧。
3.根据权利要求1或2所述的电子钹，其特征在于：所述基板安装于所述罩构件，
所述罩构件经由弹性构件而弹性支撑于所述主体构件。
4.根据权利要求3所述的电子钹，其特征在于：所述罩构件的凸肋部以在因对所述击打面的打击而所述罩构件相对于所述主体构件摇动的情况下，其突出前端与所述主体构件的下表面隔开的高度形成。
5.根据权利要求3所述的电子钹，其特征在于：所述缆线将其缆线中的所述基板侧的部位固定于所述主体构件的下表面。
6.根据权利要求5所述的电子钹，其特征在于：包括夹持构件，所述夹持构件与所述罩构件的外周壁在其径向上隔开规定间隔地对向配置，
所述夹持构件在与所述主体构件的下表面之间夹持所述缆线中的所述基板侧的部位，且在与所述外周壁之间夹持所述缆线中的所述端子侧的部位。
7.根据权利要求1所述的电子钹，其特征在于：所述主体构件包括圆环状框架，在所述框架形成：中心部、自所述中心部的外缘向罩构件侧突设的突设部、以及自所述突设部向外周侧伸出的伸出部。
8.根据权利要求7所述的电子钹，其特征在于：通过将所述突设部的一部分切除，而形成将所述突设部的外周侧与内周侧连通的开口。
9.根据权利要求8所述的电子钹，其特征在于：所述框架以在介隔所述开口的圆周方向两侧，一对凸肋部自所述伸出部的下表面向下方突出的方式形成。
10.根据权利要求9所述的电子钹，其特征在于：所述框架的一对凸肋部与所述突设部在径向上隔开规定间隔地对向配置。
CN201721027907.2U 2016-01-13 2017-08-16 电子钹 Active CN207124030U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016004179A JP6107981B2 (ja) 2009-08-25 2016-01-13 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2016-004179 2016-08-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207124030U true CN207124030U (zh) 2018-03-20

Family

ID=83401949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201721027907.2U Active CN207124030U (zh) 2016-01-13 2017-08-16 电子钹

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN207124030U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4207181A4 (en) * 2020-08-26 2023-10-25 Roland Corporation ELECTRONIC STRIKE INSTRUMENT AND HIT DETECTION METHOD
US11922907B2 (en) 2020-01-20 2024-03-05 Drum Workshop, Inc. Electronic cymbal instruments and systems

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11922907B2 (en) 2020-01-20 2024-03-05 Drum Workshop, Inc. Electronic cymbal instruments and systems
EP4207181A4 (en) * 2020-08-26 2023-10-25 Roland Corporation ELECTRONIC STRIKE INSTRUMENT AND HIT DETECTION METHOD

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207124030U (zh) 电子钹
US6553126B2 (en) Micro speaker
US8365590B2 (en) Terminal encapsulated tire monitoring device
CN100452516C (zh) 可再充电电池组和从壳体上分离芯组的方法
CN113498001B (zh) 用于双向接收器的轭组件及具有此轭组件的双向接收器
US9728175B2 (en) Interchangeable pickup system for an electric stringed musical instrument
US8111867B2 (en) Electronic device with a speaker
JP2004303828A (ja) インダクタンス素子
CN105681977B (zh) 扬声器
CN107211202A (zh) 用于在车辆安装音频扬声器的改良后的器具及其安装结构物
US20150086056A1 (en) Speaker Device
KR101150508B1 (ko) 스피커 프레임 및 이를 사용한 스피커
US11322125B2 (en) Vibraphone pickup
CN1701626A (zh) 扬声器装置
CN106100277A (zh) 线性电机
CN202889565U (zh) 麦克风音头支撑装置
CN1162041C (zh) 包括用来封闭换能器后部容积的封闭件的电声换能器
CN202721815U (zh) 扬声器系统
US20190375580A1 (en) Electronic musical instrument
JP3207403U (ja) 電子シンバル
CN206932399U (zh) 扬声器
CN208509251U (zh) 一种扬声器单体
CN211578357U (zh) 一种方便安装的蜂鸣器
CN202488687U (zh) 发声器
KR101238567B1 (ko) 조립구조와 기능이 개선된 초박형 스피커 유닛.

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant