CN207053164U - 一种过压欠压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及开关电源保护技术领域,尤其涉及一种过压欠压保护电路。一种过压欠压保护电路,包括连接在电压输出端的欠压保护电路、过压保护电路和负载端,三端稳压器U3与所述MOS晶体管Q1所述MOS晶体管Q2相连接,为其提供基准电压;电压R2、电阻R3与所述电压比较器U1和电压比较器U2相连接,其将输入电压比较器U1、U2内的电压与基准电压比较,控制继电器及时开断。本实用新型能够实现了负载在供电电压过压或欠压时及时断开供电回路,很好的保护负载。
Description
技术领域
本实用新型涉及开关电源保护技术领域,尤其涉及一种过压欠压保护电路。
背景技术
目前,开关电源以小型化、轻量和高效率的特点被广泛应用于各种电子设备中,是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。当开关电源的输出电压低于或者高于正常工作电压一定值时,都可能导致负载无法工作甚至损坏,造成财产损失。
实用新型内容
本实用新型提供了一种过压欠压保护电路,能够实现了负载在供电电压过压或欠压时及时断开供电回路,很好的保护负载。
为达到上述目的,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种过压欠压保护电路,包括连接在电压输出端的欠压保护电路、过压保护电路和负载端,所述欠压保护电路包括电阻R4、电压比较器U1、MOS晶体管Q1、继电器K1及继电器常闭触点K1-1;所述过压保护电路包括电阻R5、电压比较器U2、MOS晶体管Q2、继电器K2及继电器常闭触点K2-1;三端稳压器U3与所述MOS晶体管Q1所述MOS晶体管Q2相连接,为其提供基准电压;电压R2、电阻R3与所述电压比较器U1和电压比较器U2相连接,其将输入电压比较器U1、U2内的电压与基准电压比较,控制继电器及时开断。
进一步,所述电阻R1、电阻R2、继电器K1及常闭触点K1-1、继电器K2的一端与电压输出端的正极连接。
进一步,所述继电器常闭触点K2-1、电阻R3、电阻R4、电阻R5 的一端与电压输出端的负极相连。
进一步,所述继电器常闭触点K1-1的另一端、所述继电器常闭触点K2-1的一端与负载端相连,两者的输出端与地相连。
进一步,所述电阻R1的一端与三端稳压器的1端、2端相连。
进一步,所述三端稳压器的2端与所述电压比较器U1的同相端和所述电压比较器U2的反向端相连。
进一步,所述继电器K1和所述继电器K2为常闭触点继电器。
进一步,所述所述MOS晶体管Q1与所述MOS晶体管Q2均为 N型MOS晶体管。
本实用新型具有以下突出的有益效果:采用上述过压欠压保护电路,能够实现了负载在供电电压过压或欠压时及时断开供电回路,很好的保护负载。
附图说明
图1是本实用新型一种过压欠压保护电路结构示意图。
图2是本实用新型的电路原理图。
附图标记说明:1-电压输出端、2-欠压保护电路、3-过压保护电路、4-负载端。
具体实施方式
下面结合具体实施例,对本实用新型的内容做进一步的详细说明:
参阅图1,图2,一种过压欠压保护电路,包括连接在电压输出端的欠压保护电路、过压保护电路和负载端,所述欠压保护电路包括电阻R4、电压比较器U1、MOS晶体管Q1、继电器K1及继电器常闭触点K1-1;所述过压保护电路包括电阻R5、电压比较器U2、MOS 晶体管Q2、继电器K2及继电器常闭触点K2-1;三端稳压器U3与所述MOS晶体管Q1所述MOS晶体管Q2相连接,为其提供基准电压;电压R2、电阻R3与所述电压比较器U1和电压比较器U2相连接,其将输入电压比较器U1、U2内的电压与基准电压比较,控制继电器及时开断。
所述电阻R1、电阻R2、继电器K1及常闭触点K1-1、继电器K2 的一端与电压输出端的正极连接。
所述继电器常闭触点K2-1、电阻R3、电阻R4、电阻R5的一端与电压输出端的负极相连。
所述继电器常闭触点K1-1的另一端、所述继电器常闭触点K2-1 的一端与负载端相连,两者的输出端与地相连。
所述电阻R1的一端与三端稳压器的1端、2端相连。
所述三端稳压器的2端与所述电压比较器U1的同相端和所述电压比较器U2的反向端相连。
所述继电器K1和所述继电器K2为常闭触点继电器。
所述所述MOS晶体管Q1与所述MOS晶体管Q2均为N型MOS 晶体管。
所述电阻R2的另一端,与电阻R3的一端、电压比较器U1的反向端、电压比较器U2的同相端相连;电压比较器U1的输出端,与 MOS晶体管Q1的栅极相连;继电器K1的另一端,与MOS晶体管Q1 的漏极相连;MOS晶体管Q1的源极,与电阻R4的一端相连;电压比较器U2的输出端,与MOS晶体管Q2的栅极相连;继电器K2的另一端,与MOS晶体管Q2的漏极相连;MOS晶体管Q2的源极,与电阻R5 的一端相连;三端稳压器U3的3端,继电器常闭触点K2-1、电阻R3、电阻R4、电阻R5的另一端与电压输出端的负极相连。
本实用新型所述的过压欠压保护电路接在开关电源的输出整流电路之后。本实用新型的工作原理是:当电压输出端的输出为额定电压时,电压比较器U1、U2输出低电压,MOS晶体管Q1、Q2断开,继电器K1、K2不工作,其常闭触点K1-1、K2-1闭合,接负载正常运行;
当电压输出端输出欠压时,输出电压经电阻R2、电阻R3分压,与三端稳压器处基准电压共同输出电压比较器U1、电压比较器U2 中,电压比较器U1的同相端电压大于反向端,输出高电压,MOS 晶体管Q1导通,继电器K1导通,其常闭触点K1-1打开,负载端断路不得电,停止工作,而此时电压比较器U2的同相端电压小于反向端,输出低电压,MOS晶体管Q2断开,继电器K2不导通,其常闭触点K2-1闭合;
同样的当电压输出端输出过电压时,输出电压经电阻R2、电阻 R3分压,与三端稳压器处基准电压共同输出电压比较器U1、电压比较器U2中,电压比较器U1的同相端电压小于反向端,输出低电压, MOS晶体管Q1断开,继电器K1不导通,其常闭触点K1-1闭合,而此时电压比较器U2的同相端电压大于反向端,输出高电压,MOS 晶体管Q2打开,继电器K2导通,其常闭触点K2-1打开,负载端断路不得电,停止工作。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及,特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围,凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
Claims (8)
1.一种过压欠压保护电路,其特征在于,包括连接在电压输出端的欠压保护电路、过压保护电路和负载端,所述欠压保护电路包括电阻R4、电压比较器U1、MOS晶体管Q1、继电器K1及继电器常闭触点K1-1;所述过压保护电路包括电阻R5、电压比较器U2、MOS晶体管Q2、继电器K2及继电器常闭触点K2-1;三端稳压器U3与所述MOS晶体管Q1所述MOS晶体管Q2相连接,为其提供基准电压;电压R2、电阻R3与所述电压比较器U1和电压比较器U2相连接,其将输入电压比较器U1、U2内的电压与基准电压比较,控制继电器及时开断。
2.根据权利要求1所述的过压欠压保护电路,其特征在于,所述电阻R1、电阻R2、继电器K1及常闭触点K1-1、继电器K2的一端与电压输出端的正极连接。
3.根据权利要求1所述的过压欠压保护电路,其特征在于,所述继电器常闭触点K2-1、电阻R3、电阻R4、电阻R5的一端与电压输出端的负极相连。
4.根据权利要求2或3所述的过压欠压保护电路,其特征在于,所述继电器常闭触点K1-1的另一端、所述继电器常闭触点K2-1的一端与负载端相连,两者的输出端与地相连。
5.根据权利要求1所述的过压欠压保护电路,其特征在于,所述电阻R1的一端与三端稳压器的1端、2端相连。
6.根据权利要求1所述的过压欠压保护电路,其特征在于,所述三端稳压器的2端与所述电压比较器U1的同相端和所述电压比较器U2的反向端相连。
7.根据权利要求1所述的过压欠压保护电路,其特征在于,所述继电器K1和所述继电器K2为常闭触点继电器。
8.根据权利要求1所述的过压欠压保护电路,其特征在于,所述MOS晶体管Q1与所述MOS晶体管Q2均为N型MOS晶体管。
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CN201720970001.8U CN207053164U (zh) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | 一种过压欠压保护电路 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111295000A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-16 | 成都圣路电器有限公司 | 一种带备用电源的直流供电led照明系统 |
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2017
- 2017-08-04 CN CN201720970001.8U patent/CN207053164U/zh active Active
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