CN207052630U - 一种小分子活性肽加工设备用半导体制冷组件 - Google Patents
一种小分子活性肽加工设备用半导体制冷组件 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种小分子活性肽加工设备用半导体制冷组件，该半导体制冷组件嵌装在小分子活性肽生产设备的容器壁上；半导体制冷组件包括若干个N型半导体元件和P型半导体元件，在上绝缘陶瓷片上固定上至少1块导电金属片，在下绝缘陶瓷片上固定上至少2块导电金属片；将下绝缘陶瓷片上左右两端部的导电金属片与直流电源的正负极连接。本申请中将半导体制冷组件嵌装在小分子活性肽生产设备的容器壁上，对旋转动态的生产容器更容易实现降温和控温的目的，通过输出功率控制器去控制半导体制冷组件，输出恒定的控温温度，以保证产品能在稳定的温度区生产，提高产品质量水平。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种小分子活性肽加工设备用半导体制冷组件。
背景技术
在小分子活性肽生产工艺流程中，原材料和成品对温度的要求非常高，产品生产的每一个流程环节都有不同的温度适应要求。尤其在高速旋转加工和搅拌合成过程中，会产生局部高温，严重破坏了产品的生物活性，使产品的质量控制无法保障，加工工艺水平无法提高。
实用新型内容
针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种小分子活性肽加工设备用半导体制冷组件，其有效解决了现有技术中存在的问题。
为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种小分子活性肽加工设备用半导体制冷组件，所述半导体制冷组件嵌装在小分子活性肽生产设备的容器壁上；所述半导体制冷组件包括若干个N型半导体元件和P型半导体元件，将每个所述N型半导体元件和P型半导体元件分别间隔地、不相互接触地设置在上绝缘陶瓷片与下绝缘陶瓷片之间，在所述上绝缘陶瓷片上固定上至少1块导电金属片，在所述下绝缘陶瓷片上固定上至少2块导电金属片，固定在下绝缘陶瓷片上的导电金属片比固定在上绝缘陶瓷片上的导电金属片多1片；在上绝缘陶瓷片上的每块导电金属片上都固定上1个N型半导体元件和1个P型半导体元件，并且将固定在上绝缘陶瓷片上同一块导电金属片上的N型半导体元件和P型半导体元件的另一端分别固定在下绝缘陶瓷片上的相邻的两块导电金属片上；将下绝缘陶瓷片上左右两端部的导电金属片与直流电源的正负极连接。
本实用新型具有以下有益技术效果：
本申请中将半导体制冷组件嵌装在小分子活性肽生产设备的容器壁上，对旋转动态的生产容器更容易实现降温和控温的目的，通过输出功率控制器去控制半导体制冷组件，输出恒定的控温温度，以保证产品能在稳定的温度区生产，提高产品质量水平。
附图说明
图1为本实用新型实施例的半导体制冷组件的结构示意图。
具体实施方式
下面，参考附图，对本实用新型进行更全面的说明，附图中示出了本实用新型的示例性实施例。然而，本实用新型可以体现为多种不同形式，并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。而是，提供这些实施例，从而使本实用新型全面和完整，并将本实用新型的范围完全地传达给本领域的普通技术人员。
如图1所示，本实用新型提供了一种小分子活性肽加工设备用半导体制冷组件，该半导体制冷组件嵌装在小分子活性肽生产设备的容器壁上；该半导体制冷组件包括若干个N型半导体元件1和P型半导体元件2，将每个N型半导体元件1和P型半导体元件2分别间隔地、不相互接触地设置在上绝缘陶瓷片3与下绝缘陶瓷片4之间，在上绝缘陶瓷片3上固定上至少1块导电金属片5，在下绝缘陶瓷片4上固定上至少2块导电金属片5，固定在下绝缘陶瓷片4上的导电金属片5比固定在上绝缘陶瓷片3上的导电金属片5多1片；在上绝缘陶瓷片3上的每块导电金属片5上都固定上1个N型半导体元件1和1个P型半导体元件2，并且将固定在上绝缘陶瓷片3上同一块导电金属片5上的N型半导体元件1和P型半导体元件2的另一端分别固定在下绝缘陶瓷片4上的相邻的两块导电金属片5上；将下绝缘陶瓷片4上左右两端部的导电金属片与直流电源的正负极连接。
本社申请通过半导体制冷组件实现小分子活性肽加工设备的降温和控温要求。比传统工艺的制冷控温技术更具有环保节能、工艺简单和成本低的优点。
上面所述只是为了说明本实用新型，应该理解为本实用新型并不局限于以上实施例，符合本实用新型思想的各种变通形式均在本实用新型的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种小分子活性肽加工设备用半导体制冷组件，其特征在于，所述半导体制冷组件嵌装在小分子活性肽生产设备的容器壁上；所述半导体制冷组件包括若干个N型半导体元件和P型半导体元件，将每个所述N型半导体元件和P型半导体元件分别间隔地、不相互接触地设置在上绝缘陶瓷片与下绝缘陶瓷片之间，在所述上绝缘陶瓷片上固定上至少1块导电金属片，在所述下绝缘陶瓷片上固定上至少2块导电金属片，固定在下绝缘陶瓷片上的导电金属片比固定在上绝缘陶瓷片上的导电金属片多1片；在上绝缘陶瓷片上的每块导电金属片上都固定上1个N型半导体元件和1个P型半导体元件，并且将固定在上绝缘陶瓷片上同一块导电金属片上的N型半导体元件和P型半导体元件的另一端分别固定在下绝缘陶瓷片上的相邻的两块导电金属片上；将下绝缘陶瓷片上左右两端部的导电金属片与直流电源的正负极连接。
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