CN207039452U - 抗电压跌落应用电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种抗电压跌落应用电路，包括：升压电路，输入电压Vin通过升压电路连接DC‑DC变换器；反馈网络，反馈网络与后级电路和升压控制芯片连接，用于采样后级电路电压并反馈给升压控制芯片；升压控制芯片，所述升压控制芯片与所述升压电路连接，所述升压控制芯片根据采样的电压跌落一设定阈值的情况，控制所述升压电路升压。本实用新型通过对电压的采样和开关管的通断控制，即实现抗电压跌落，保障后级电路正常工作，并能减少储能电容。

Description

抗电压跌落应用电路

技术领域

本实用新型涉及电源技术领域，具体涉及一种抗电压跌落应用电路。

背景技术

在电源应用的很多场合，会出现输入电压急剧跌落的情况。而很多设备要求电压跌落一定时间内(如50mS)后级设备正常工作。常规的解决方案是在输入电压后设置很大的储能电容，电压跌落后储能电容放电以保障后级设备正常工作。但因为储能电容的电压为输入电压，而其储存的能力与电压的平方成正比，故很多情况下需要的电容容量很大，使得电源的体积、重量和成本都增大很多。

实用新型内容

本实用新型克服了现有技术的不足，提供一种抗电压跌落应用电路，用于输入电压跌落时保障后级电路正常工作。

考虑到现有技术的上述问题，根据本实用新型公开的一个方面，本实用新型采用以下技术方案：

一种抗电压跌落应用电路，包括：

升压电路，输入电压Vin通过升压电路连接DC-DC变换器；

反馈网络，反馈网络分别与后级电路和升压控制芯片连接，用于采样后级电路电压并反馈给升压控制芯片；

升压控制芯片，所述升压控制芯片与所述升压电路连接，所述升压控制芯片根据采样的电压跌落一设定阈值的情况，控制所述升压电路升压。

为了更好地实现本实用新型，进一步的技术方案是：

根据本实用新型的一个实施方案，所述升压电路为boost升压电路。

根据本实用新型的另一个实施方案，所述升压电路包括电感L1、二极管D1 和开关Q1；

所述电感L1一端与所述输入电压Vin连接，所述电感L1另一端与二极管D1正极连接，所述二极管D1负极连接所述DC-DC变换器；

所述开关Q1一端与二极管D1正极连接，所述开关Q1另一端与所述升压控制芯片连接。

根据本实用新型的另一个实施方案，所述开关Q1为MOSFET管，所述MOSFET 管漏极接所述二极管D1正极，所述MOSFET管源极接地，所述MOSFET管栅极接所述升压控制芯片。

根据本实用新型的另一个实施方案，还包括电容C2，所述电容C2一端与所述二极管D1负极连接，所述电容C2另一端接地。

根据本实用新型的另一个实施方案，还包括电容C1，所述电容C1一端与所述输入电压Vin连接，所述电容C1另一端接地。

本实用新型还可以是：

根据本实用新型的另一个实施方案，所述反馈网络包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1一端与Vbst端连接，所述电阻R1另一端再与所述升压控制芯片和所述电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端接地。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果之一是：

本实用新型的一种抗电压跌落应用电路，其结构简单，成本低，体积小，在输入电压跌落时可保障后级电路正常工作，当输入电压正常时可起到滤波作用。

附图说明

为了更清楚的说明本申请文件实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术的描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是对本申请文件中一些实施例的参考，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的情况下，还可以根据这些附图得到其它的附图。

图1为根据本实用新型一个实施例的抗电压跌落应用电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

如图1所示，图1示出了根据本实用新型一个实施例的抗电压跌落应用电路的结构，一种抗电压跌落应用电路，包括：

升压电路，输入电压Vin通过升压电路连接DC-DC变换器；

反馈网络，反馈网络分别与后级电路和升压控制芯片连接，用于采样后级电路电压并反馈给升压控制芯片；

升压控制芯片，所述升压控制芯片与所述升压电路连接，所述升压控制芯片根据采样的电压跌落一设定阈值的情况，控制所述升压电路升压。

一实施例的升压电路可采用boost升压电路等。

另一实施例升压电路的优选方案可包括电感L1、二极管D1和开关Q1，其具体的连接关系可以是：所述电感L1一端与所述输入电压Vin连接，所述电感L1另一端与二极管D1正极连接，所述二极管D1负极连接所述DC-DC变换器；所述开关Q1一端与二极管D1正极连接，所述开关Q1另一端与所述升压控制芯片连接。

另一实施例，所述开关Q1可优选MOSFET管，所述MOSFET管漏极接所述二极管D1正极，所述MOSFET管源极接地，所述MOSFET管栅极接所述升压控制芯片。

如图1所示，反馈网络的一优选方案可包括电阻R1和电阻R2，所述电阻 R1一端与Vbst端连接，所述电阻R1另一端再与所述升压控制芯片和所述电阻 R2一端连接，所述电阻R2另一端接地。

以及本实用新型还可包括电容C1和电容C2，所述电容C1一端与所述输入电压Vin连接，所述电容C1另一端接地；所述电容C2一端与所述二极管D1负极连接，所述电容C2另一端接地。

结合以上实施例公开的结构和附图1，本实用新型的工作原理：

正常工作时，输入电压Vin经输入电容C1滤波后经电感L1与二极管D1直接为后级DC-DC变换器供电提供能量，同时由电感L1与电容C2构成LC滤波电路为输入电压平滑滤波。电阻R1与电阻R2采样Vbs电压并反馈给升压控制芯片，通过升压控制芯片设定Vbst电压为某一值Vbst_set。当输入电压在正常范围内，Vin＝Vbst。当输入电压Vin跌落时，Vbst同时跌落，当电压跌落至某一阈值即Vbst_set，升压控制芯片开始工作，通过调整开关管Q1占空比使得Vbst 稳定在设定值Vbst_set。此时电感L1、开关管Q1与二极管D1与构成boost升压电路，输入电压经升压电路升压至Vbst_set为后级电路供电，保障后级电路正常工作。因此时Vbst_set高于输入电压Vin，相当于延长了后级电路工作时间。

综上而言，本实用新型使用电感、电阻、电容、开关管等常规元件，通过对电压的采样和开关管的通断控制，即实现抗电压跌落，保障后级电路正常工作，并能减少储能电容。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。

在本说明书中所谈到的“一个实施例”、“另一个实施例”、“实施例”、等，指的是结合该实施例描述的具体特征、结构或者特点包括在本申请概括性描述的至少一个实施例中。在说明书中多个地方出现同种表述不是一定指的是同一个实施例。进一步来说，结合任一实施例描述一个具体特征、结构或者特点时，所要主张的是结合其他实施例来实现这种特征、结构或者特点也落在本实用新型的范围内。

尽管这里参照本实用新型的多个解释性实施例对本实用新型进行了描述，但是，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。更具体地说，在本申请公开和权利要求的范围内，可以对主题组合布局的组成部件和/或布局进行多种变型和改进。除了对组成部件和/或布局进行的变型和改进外，对于本领域技术人员来说，其他的用途也将是明显的。

Claims (7)

1.一种抗电压跌落应用电路，其特征在于包括：

升压电路，输入电压Vin通过升压电路连接DC-DC变换器；

反馈网络，反馈网络分别与后级电路和升压控制芯片连接，用于采样后级电路电压并反馈给升压控制芯片；

升压控制芯片，所述升压控制芯片与所述升压电路连接，用于所述升压控制芯片根据采样的电压跌落一设定阈值的情况，控制所述升压电路升压。

2.根据权利要求1所述的抗电压跌落应用电路，其特征在于所述升压电路为boost升压电路。

3.根据权利要求1所述的抗电压跌落应用电路，其特征在于所述升压电路包括电感L1、二极管D1和开关Q1；

所述电感L1一端与所述输入电压Vin连接，所述电感L1另一端与二极管D1正极连接，所述二极管D1负极连接所述DC-DC变换器；

所述开关Q1一端与二极管D1正极连接，所述开关Q1另一端与所述升压控制芯片连接。

4.根据权利要求3所述的抗电压跌落应用电路，其特征在于所述开关Q1为MOSFET管，所述MOSFET管漏极接所述二极管D1正极，所述MOSFET管源极接地，所述MOSFET管栅极接所述升压控制芯片。

5.根据权利要求3或4所述的抗电压跌落应用电路，其特征在于还包括电容C2，所述电容C2一端与所述二极管D1负极连接，所述电容C2另一端接地。

6.根据权利要求1所述的抗电压跌落应用电路，其特征在于还包括电容C1，所述电容C1一端与所述输入电压Vin连接，所述电容C1另一端接地。

7.根据权利要求1所述的抗电压跌落应用电路，其特征在于所述反馈网络包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1一端与Vbst端连接，所述电阻R1另一端再与所述升压控制芯片和所述电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端接地。