CN206947517U - 一种多频段双寄生短路天线 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种多频段双寄生短路天线，主要解决现有技术中存在的净空高、抗干扰能力弱的技术问题，本实用新型通过采用天线辐射微带包括倒L型驱动单极主体微带，与倒L型驱动单极主体微带端点连接的馈电点；天线辐射微带还包括位于倒L型驱动单极主体微带外围的双寄生短路微带，所述双寄生短路微带包括短短路微带，长短路微带，短短路微带与长短路微带共用共寄生微带，所述共用共寄生微带与馈地点连接，馈地点与接地面连接，在接地面上与共用共寄生微带对应的位置设有两个哑铃缝隙接，与L型驱动单极主体微带与短短路微带之间空隙的对应位置设有倒L型缝隙的技术方案，较好的解决了该问题，可用于平板电脑天线的工业生产中。
Description
技术领域
本实用新型涉及移动设备天线领域，特别涉及到一种多频段双寄生短路天线。
背景技术
平板电脑又叫做便携式电脑，是一种小型、编写的个人电脑，以触摸屏作为基本输入设备。她拥有的触摸屏允许用户通过触控笔或数字笔进行作业。平板电脑的天线一般是覆盖LTE / WWAN频段。平板电脑天线主要要求是净空较低，尺寸较小，多频段。
现有的平板电脑天线是双寄生耦合天线，采用在天线主体外围增加两个寄生耦合单元，所述寄生耦合单元来调节谐振，达到多频段的目的。该天线存在需要净空高、抗干扰能力弱的技术问题。因此提供一种，净空低，抗干扰能力强的平板电脑天相就很有必要。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是现有技术中存在净空高、抗干扰能力弱的技术问题。提供一种新的多频段双寄生短路天线，该多频段双寄生短路天线具有净空低、抗干扰能力强的特点。
为解决上述技术问题，采用的技术方案如下：一种多频段双寄生短路天线，包括基板，所述基板上表面为天线辐射微带，所述天线辐射微带包括倒L型驱动单极主体微带，与倒L型驱动单极主体微带端点连接的馈电点1；所述天线辐射微带还包括位于倒L型驱动单极主体微带外围的双寄生短路微带，所述双寄生短路微带包括短短路微带3，长短路微带4，所述短短路微带3与长短路微带4共用共寄生微带5，所述共用共寄生微带5与馈地点2连接，所述馈地点与接地面连接，在接地面上与共用共寄生微带5对应的位置设有两个哑铃缝隙接6，与所述L型驱动单极主体微带与短短路微带（3）之间空隙的对应位置设有倒L型缝隙7。
上述技术方案中，为优化，进一步地，所述短短路微带3长度为75mm。
进一步地，所述长短路微带4长度为96.7mm。
进一步地，所述多频段双寄生短路天线工作频率位于700MHz-960MHZ,1710MHZ-2690MHZ时VSWR不大于3。
进一步地，所述馈电点与50欧姆同轴线导体内芯连接，所述馈地点与50欧姆同轴线外导体连接。
进一步地，所述接地面为厚度=0.2mm的铜板。
进一步地，所述铜板与平板电脑金属部或笔记本电脑金属部连接。
进一步地，所述频段双寄生短路天线位于接地面的右上角距离边缘7 mm的相应位置。
进一步地，所述基板为FR4板材，介电常数4.3，损耗角正切0.02。
本实用新型采用具有双寄生短路带的覆盖LTE / WWAN频段的天线，用于平板电脑中。通过采用倒L形驱动单极和双寄生短路带实现多频段，通过在接地面上嵌入倒L型缝隙降低净空，通过在馈地微带相应位置加入哑铃缝隙结构改善二次谐波抑制效果，增加抗干扰能力。本实用新型得到的阻抗带宽在整个工作频段可以达到约700/960 MHz的LTE /WWAN频带，天线的尺寸为45mm×15 mm×0.8 mm，所提出的平面天线具有小型化操作，天线尺寸减少25％以上。 测量峰值增益约为2.5 dBi /3.6 dBi，天线效率约为40%，分别用于LTE / WWAN频带。天线辐射部分位于同一侧的相对尺寸为45±15mm的FR4基底，介电常数4.3，损耗角正切0.02，安装到显示器地面的右上角有一定距离7 mm到右边缘。馈地点是由0.2mm厚的铜板，接地面为7英寸平板电脑金属部分。天线辐射部分包括倒L形驱动单极和双寄生短路带。由连接到馈电点的50欧姆微型同轴线馈电和馈地接地点。首先，倒L单极微带作为四分之一波长谐振结构产生这里的基本谐振模式在约195MHz。较短的寄生短路带长度为75mm，接近1/4波长处约925MHz，在天线馈地中馈地点处短路接地面。为了扩大低工作的阻抗带宽，LTE700MHz /GSM900 MHz，较长微带长度为96.7mm，其1/4波长谐振模式在大约720MHz具有较高阶谐振模式接近2530 MHz频带。然后，通过插入L形狭缝进入接地平面，阻抗带宽较低LTE700/GSM900MHz可以提高满足所需的带宽为LTE /WWAN的天线。
本实用新型的有益效果：
效果一，降低了净空，
效果二，增加了抗干扰能力，
效果上，减小了天线尺寸，提高了空间复用率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明：
图1，本实施例1天线示意图；
图2，本实施例1中天线测试数据图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例1，如图1，一种多频段双寄生短路天线，包括基板，基板为FR4板材，介电常数4.3，损耗角正切0.02，所述基板上表面为天线辐射微带，所述天线辐射微带包括倒L型驱动单极主体微带，与倒L型驱动单极主体微带端点连接的馈电点1；所述天线辐射微带还包括位于倒L型驱动单极主体微带外围的双寄生短路微带，所述双寄生短路微带包括短短路微带3，长短路微带4，所述短短路微带3与长短路微带4共用共寄生微带5，所述共用共寄生微带5与馈地点2连接，所述馈地点与接地面连接，在接地面上与共用共寄生微带5对应的位置设有两个哑铃缝隙接6，与所述L型驱动单极主体微带与短短路微带3之间空隙的对应位置设有倒L型缝隙7。
短短路微带3长度为75mm。长短路微带4长度为96.7mm。
馈电点与50欧姆同轴线导体内芯连接，所述馈地点与50欧姆同轴线外导体连接。馈地点还与接地面连接，接地面为厚度=0.2mm的铜板，铜板应当与平板电脑的金属地良好解除，其为平板电脑的部分金属地。
本实施例中的多频段双寄生短路天线位于接地面的右上角距离边缘7 mm的相应位置，此时接地反射效果对于天线辐射方向图的影响最小。
经过测试，如图2位回波损耗示意图，相应地所述多频段双寄生短路天线工作频率位于700MHz-960MHZ,1710MHZ-2690MHZ时VSWR不大于3。
尽管上面对本实用新型说明性的具体实施方式进行了描述，以便于本技术领域的技术人员能够理解本实用新型，但是本实用新型不仅限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员而言，只要各种变化只要在所附的权利要求限定和确定的本实用新型精神和范围内，一切利用本实用新型构思的实用新型创造均在保护之列。
Claims (9)
1.一种多频段双寄生短路天线，包括基板，所述基板上表面为天线辐射微带，其特征在于：所述天线辐射微带包括倒L型驱动单极主体微带，与倒L型驱动单极主体微带端点连接的馈电点（1）；所述天线辐射微带还包括位于倒L型驱动单极主体微带外围的双寄生短路微带，所述双寄生短路微带包括短短路微带（3），长短路微带（4），所述短短路微带（3）与长短路微带（4）共用共寄生微带（5），所述共用共寄生微带（5）与馈地点（2）连接，所述馈地点与接地面连接，在接地面上与共用共寄生微带（5）对应的位置设有两个哑铃缝隙接（6），与所述L型驱动单极主体微带与短短路微带（3）之间空隙的对应位置设有倒L型缝隙（7）。
2.根据权利要求1所述的一种多频段双寄生短路天线，其特征在于：所述短短路微带（3）长度为75mm。
3.根据权利要求2所述的一种多频段双寄生短路天线，其特征在于：所述长短路微带（4）长度为96.7mm。
4.根据权利要求3所述的一种多频段双寄生短路天线，其特征在于：所述多频段双寄生短路天线工作频率位于700MHz-960MHZ,1710MHZ-2690MHZ时VSWR不大于3。
5.根据权利要求1所述的一种多频段双寄生短路天线，其特征在于：所述馈电点与50欧姆同轴线导体内芯连接，所述馈地点与50欧姆同轴线外导体连接。
6.根据权利要求1所述的一种多频段双寄生短路天线，其特征在于：所述接地面为厚度=0.2mm的铜板。
7.根据权利要求6所述的一种多频段双寄生短路天线，其特征在于：所述铜板与平板电脑金属部或笔记本电脑金属部连接。
8.根据权利要求1所述的一种多频段双寄生短路天线，其特征在于：所述频段双寄生短路天线位于接地面的右上角距离边缘7 mm的相应位置。
9.根据权利要求1所述的一种多频段双寄生短路天线，其特征在于：所述基板为FR4板材，介电常数4.3，损耗角正切0.02。
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| CN201720348545.0U CN206947517U (zh) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 一种多频段双寄生短路天线 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108808236A (zh) * | 2018-06-20 | 2018-11-13 | 袁涛 | 应用于NB-IoT领域的小型半双工天线 |
| CN114883792A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-08-09 | 长沙理工大学 | 一种连接ipex接头的低频高增益窄带天线 |
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2017
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