CN206872682U - 一种耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃 - Google Patents
一种耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃 Download PDFInfo
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Abstract
一种耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基底以及玻璃基底上的膜层;其特征在于:所述膜层从玻璃基底起依次由第一氮氧化硅介质层、第一氮化硅介质层、第一镍铬保护层、银层、第二镍铬保护层、第二氮化硅介质层、第二氮氧化硅介质层以及第一氧化硅介质层构成。本实用新型耐候性优良单银低辐射玻璃的膜层结构中每一层所用均为常规材料,取材便捷,产品制备过程与以往相同,具有特别良好的耐候性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及低辐射镀膜玻璃领域,具体涉及一种耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃。
背景技术
现如今,建筑领域对镀膜玻璃的需求量越来越大,无论是高档的办公区域,还是普通的住宅区域,镀膜玻璃已经被大面积应用。近年来,随着市场对镀膜玻璃的需求量不断增加,国内诞生了各种中小型深加工厂,主要工作集中于对镀膜玻璃的切割、钢化及合成中空,但在加工过程中的操作可能不是特别规范。由于LOW-E玻璃对加工过程要求较为严格,如镀膜完成后需密封包装、切割清洗后必须在规定时间完成钢化以及钢化后在规定时间内合成中空玻璃等要求,在加工过程中稍有不慎可能会造成产品被氧化腐蚀等后果,耐候性能差,这一现象尤其在镀膜玻璃清洗后至钢化前这一阶段极易出现,导致加工完成后废品率较高。
发明内容
本实用新型目的是提供一种耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃,该镀膜玻璃能经受的了更为苛刻的深加工条件,以降低在加工过程中产生的废品率。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基底以及玻璃基底上的膜层;所述膜层从玻璃基底起依次由第一氮氧化硅介质层、第一氮化硅介质层、第一镍铬保护层、银层、第二镍铬保护层、第二氮化硅介质层、第二氮氧化硅介质层以及第一氧化硅介质层构成。
上述方案中,所述第一氮氧化硅介质层的厚度为5-15nm;所述第一氮化硅介质层的厚度为15-40nm;所述第一镍铬保护层的厚度为1-10 nm;所述银层的厚度为8-20nm;所述第二镍铬保护层的厚度为1-10nm;所述第二氮化硅介质层的厚度为20-40 nm;所述第二氮氧化硅介质层的厚度为10-20 nm;所述第一氧化硅介质层的厚度为10-20 nm。
由于上述技术方案的应用,本实用新型的效果如下:
本实用新型耐候性优良单银低辐射玻璃的膜层结构中每一层所用均为常规材料,取材便捷,产品制备过程与以往相同。同时,在南方某空气较潮湿的玻璃深加工厂试验过程中发现,以往常规结构的单银产品在经过磨边洗清后,如果不及时钢化,置于潮湿空气中约12小时后,膜层表面开始出现氧化小斑点,面电阻上升,膜层被氧化。而使用本结构制备的膜层可在相同条件下,稳定存在长达15天,并且膜层表面无任何缺陷产生,面电阻正常,即使长时间处于空气潮湿的的环境中,膜层也具有优良的耐候性能。同时以此结构生产的产品在销售一段时间后,得到的客户反馈较好。
附图说明
图1为本实用新型实施例的结构示意图。
以上附图中:11、玻璃基底;21、第一氮氧化硅介质;22、第一氮化硅介质层;23、第一镍铬保护层;24、银层;25、第二镍铬保护层;26、二氮化硅介质层;27、第二氮氧化硅介质层;28、第一氧化硅介质层。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例:参见图1所示:
一种耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基底11以及玻璃基底11上的膜层。
参见图1所示,所述膜层从玻璃基底起依次由第一氮氧化硅介质层21、第一氮化硅介质层22、第一镍铬保护层23、银层24、第二镍铬保护层25、第二氮化硅介质层26、第二氮氧化硅介质层27以及第一氧化硅介质层28构成。
具体,所述第一氮氧化硅介质层21的厚度为5-15nm;所述第一氮化硅介质层22的厚度为15-40nm;所述第一镍铬保护层23的厚度为1-10 nm;所述银层24的厚度为8-20nm;所述第二镍铬保护层25的厚度为1-10nm;所述第二氮化硅介质层26的厚度为20-40 nm;所述第二氮氧化硅介质层27的厚度为10-20 nm;所述第一氧化硅介质层28的厚度为10-20 nm。
最佳实施例是如下。
以上最佳实施例成品的光学参数指标如下表。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基底以及玻璃基底上的膜层;其特征在于:所述膜层从玻璃基底起依次由第一氮氧化硅介质层、第一氮化硅介质层、第一镍铬保护层、银层、第二镍铬保护层、第二氮化硅介质层、第二氮氧化硅介质层以及第一氧化硅介质层构成。
2.根据权利要求1所述耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述第一氮氧化硅介质层的厚度为5-15nm;所述第一氮化硅介质层的厚度为15-40nm;所述第一镍铬保护层的厚度为1-10 nm;所述银层的厚度为8-20nm;所述第二镍铬保护层的厚度为1-10nm;所述第二氮化硅介质层的厚度为20-40 nm;所述第二氮氧化硅介质层的厚度为10-20 nm;所述第一氧化硅介质层的厚度为10-20 nm。
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- 2017-06-10 CN CN201720672577.6U patent/CN206872682U/zh active Active
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