CN206865351U - 一种上电预充电路 - Google Patents

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崔增良
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Abstract

本实用新型涉及的一种上电预充电路,包括充电电容E1、电解电容、分压电阻R1、分压电阻R3、预充电电阻、MOS管Q1,所述电解电容的正负极分别连接电源输入正极和电源输入负极,所述预充电电阻串联在电源输入负极,所述分压电阻R1和分压电阻R3串联并设置在电源输入正极和电源输入负极之间,所述充电电容E1与电阻R3并联,所述MOS管Q1的栅极连接充电电容E1的正极,MOS管Q1的源极和漏极分别连接预充电电阻的两端。本实用新型通过充电电容E1控制MOS管开启,短路NTC热敏电阻,防止NTC热敏电阻发热烧毁。并且由于是采用了硬件控制MOS管开闭,避免了软件操作的困难,简单方便。

Description

一种上电预充电路
技术领域
本实用新型涉及一种电路,特别涉及一种上电预充电路。
背景技术
所有的电子设备,包括小功率的手机等数码电子或者是大功率的家用电器或工业用的变频器、逆变器等,在设备开机启动时,通过电路回路的电流都会产生突变,即在很短的时间内电流会由0安培达到其额定工作时电流的2至3倍,即会形成开机启动时的脉动电流,该脉动电流随时间的变化率很大,如不加以消除或者抑制,则会对继电器开关及后级的电子器件和用户负载造成很大的冲击,随着使用次数的增加,势必会对电子器件或设备负载带来损害,甚至缩短设备的使用寿命。
故需将其抑制到可接受的程度范围,现有普遍而常规的做法是在电源和负载的主回路之间串接一阻值较小的功率电阻,用以吸收设备开机启动时的脉动电流尖峰,使用功率电阻可达到即节约成本又可抑制电流尖峰的目的,但电阻器属于能量消耗型器件,当有电流通过时,就会有热量产生,且电流越大,消耗的能量也越多,从而造成开机时能量的消耗,降低设备的转换效率。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是为解决现有技术中的技术问题,提供一种基于负温度系数热敏电阻的上电预充电路。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案是:
一种上电预充电路,包括充电电容E1、电解电容、分压电阻R1、分压电阻R3、预充电电阻、MOS管Q1,所述电解电容的正负极分别连接电源输入正极和电源输入负极,所述预充电电阻串联在电源输入负极,所述分压电阻R1和分压电阻R3串联并设置在电源输入正极和电源输入负极之间,所述充电电容E1与电阻R3并联,所述MOS管Q1的栅极连接充电电容E1的正极,MOS管Q1的源极和漏极分别连接预充电电阻的两端。
进一步,所述预充电电阻为NTC热敏电阻。
进一步,所述电解电容包括电解电容E2和电解电容E3,所述电解电容E2和电解电容E3的正负极分别连接电源输入正极和电源输入负极。
进一步,所述MOS管Q1的栅极连接一驱动电阻R2。
进一步,还包括一稳压二极管ZD1,所述稳压二极管ZD1与分压电阻R3并联。
进一步,还包括一防反接二极管D1,所述防反接二极管D1的正极与电源输入正极连接,防反接二极管D1的负极与电源输入负极连接。
综上内容,本实用新型所述的一种上电预充电路,通过充电电容E1控制MOS管开启,短路NTC热敏电阻,防止NTC热敏电阻发热烧毁。并且由于是采用了硬件控制MOS管开闭,避免了软件操作的困难,简单方便。
附图说明
图1是本实用新型电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述:
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1所示,本实用新型所述的一种上电预充电路,主要包括充电电容E1、电解电容、分压电阻R1、分压电阻R3、预充电电阻、MOS管Q1。
电解电容包括电解电容E2和电解电容E3,电解电容E2和电解电容E3的正负极分别连接电源输入正极和电源输入负极。预充电电阻串联在电源输入负极,在本实施例中,预充电电阻为NTC热敏电阻。分压电阻R1和分压电阻R3串联,两者串联后设置在电源输入正极和电源输入负极之间。充电电容E1与电阻R3并联,MOS管Q1的栅极连接充电电容E1的正极,MOS管Q1的源极和漏极分别连接NTC热敏电阻的两端。MOS管Q1的栅极连接一驱动电阻R2。
电源上电时,电流通过电解电容E2、电解电容E3、NTC热敏电阻形成回路,给电解电容E2、电解电容E3充电。此时充电电容E1也在充电,当MOS管Q1满足开通电压时,MOS管Q1导通,电解电容E2、电解电容E3和MOS管Q1的源极和漏极形成回路,NTC热敏电阻短路,防止NTC热敏电阻发热烧毁。
由于采用了硬件控制MOS管开闭,避免了软件操作的困难,简单方便。
上电预充电路还包括一稳压二极管ZD1,用于MOS管Q1钳位,稳压二极管ZD1与分压电阻R3并联,防止MOS管Q1损毁。
上电预充电路还包括一防反接二极管D1,防反接二极管D1的正极与电源输入正极连接,防反接二极管D1的负极与电源输入负极连接。
在电源输入侧设置有保险丝。在预充电路上还设置有滤波器,用于清除尖峰电流。
如上所述,结合附图所给出的方案内容,可以衍生出类似的技术方案。但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (6)

1.一种上电预充电路,其特征在于:包括充电电容E1、电解电容、分压电阻R1、分压电阻R3、预充电电阻、MOS管Q1,所述电解电容的正负极分别连接电源输入正极和电源输入负极,所述预充电电阻串联在电源输入负极,所述分压电阻R1和分压电阻R3串联并设置在电源输入正极和电源输入负极之间,所述充电电容E1与电阻R3并联,所述MOS管Q1的栅极连接充电电容E1的正极,MOS管Q1的源极和漏极分别连接预充电电阻的两端。
2.根据权利要求1所述的一种上电预充电路,其特征在于:所述预充电电阻为NTC热敏电阻。
3.根据权利要求1所述的一种上电预充电路,其特征在于:所述电解电容包括电解电容E2和电解电容E3,所述电解电容E2和电解电容E3的正负极分别连接电源输入正极和电源输入负极。
4.根据权利要求1所述的一种上电预充电路,其特征在于:所述MOS管Q1的栅极连接一驱动电阻R2。
5.根据权利要求1所述的一种上电预充电路,其特征在于:还包括一稳压二极管ZD1,所述稳压二极管ZD1与分压电阻R3并联。
6.根据权利要求1所述的一种上电预充电路,其特征在于:还包括一防反接二极管D1,所述防反接二极管D1的正极与电源输入正极连接,防反接二极管D1的负极与电源输入负极连接。
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