CN116683755B - 一种缓启动电路及多层次的缓启动电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电源技术领域，公开了一种缓启动电路及多层次的缓启动电路。所述缓启动电路包括：防反二极管VD1、预充电阻、MOS管VT2、控制电路；所述预充电阻包括电阻R3与电阻R5；所述电阻R3与所述电阻R5串联，所述MOS管VT2与串联后的电阻R3和电阻R5形成并联；所述防反二极管VD1与所述预充电阻串联，所述防反二极管VD1与所述MOS管VT2以及所述控制电路并联；所述控制电路与所述MOS管VT2连接。本发明可以降低开关管或继电器触点导通时冲击电流外，控制简单且节约成本。

Description

一种缓启动电路及多层次的缓启动电路

技术领域

本发明涉及电源技术领域，尤其涉及一种缓启动电路及多层次的缓启动电路。

背景技术

开关电源设计中，缓启动电路是必不可少的部分，DC输入通过电阻给BUS电容预充，让电容上的电压与输入电压接近时，再闭合MOS管或继电器，使冲击电流尽量的小，小电流缓启动电路常用继电器来做，单片机控制继电器的通断，由于大电流继电器价格高、选型难，大电流缓启动电路常用MOS管来做 ，隔离管采用两组MOS管倒过来的接法，校准好VF+与VBUS+的值，当VF+与VBUS+的值压差小于0.5V时，单片机出驱动控制MOS管通断，控制复杂，而且使用的MOS管很多，成本高。

为了降低开关管或继电器触点导通时的冲击电流，传统的两组MOS管或继电器缓启动电路，单片机控制，需采样MOS管DS间或继电器触点的压差，控制方法复杂，成本高。

因此，如何提供一种既能解决克服大电流冲击问题的同时又控制简单且节约成本的电路是有待解决的问题。

发明内容

本发明提供了一种缓启动电路及多层次的缓启动电路，用于解决上述的技术问题。

本发明第一方面提供了一种缓启动电路，所述缓启动电路包括：防反二极管VD1、预充电阻、MOS管VT2、控制电路；

所述预充电阻包括电阻R3与电阻R5；

所述电阻R3与所述电阻R5串联，所述MOS管VT2与串联后的电阻R3和电阻R5形成并联；

所述防反二极管VD1与所述预充电阻串联，所述防反二极管VD1与所述MOS管VT2以及所述控制电路并联；

所述控制电路与所述MOS管VT2连接。

可选的，在本发明第一方面的第一种实现方式中，所述缓启动电路两端分别连接DC电源与BUS电容；

所述防反二极管VD1的正极连接于DC电源的输入端，所述防反二极管VD1的负极连接于BUS电容的输出端；

所述MOS管VT2的输入端分别连接于所述防反二极管VD1的正极，所述MOS管VT2的输出端连接于BUS电容的输入端；

所述电阻R3的一端连接于所述防反二极管VD1的正极，所述电阻R3的另一端连接所述电阻R5，所述电阻R5的另一端连接于BUS电容的输入端。

可选的，在本发明第一方面的第二种实现方式中，包括：

所述MOS管VT2的一端连接于电阻R3的输入端，MOS管VT2的另一端连接于电阻R5的输出端。

本发明第二方面提供了一种多层次的缓启动电路，包括上述的任一项所述的缓启动电路，还包括：保护电路、预充电路、充电电路、控制电路；

所述保护电路的输出端连接于所述预充电路的输入端和所述充电电路的输入端，所述充电电路的输出端连接于所述控制电路的输入端，所述控制电路的输出端连接于所述预充电路的输出端。

可选的，在本发明第二方面的第一种实现方式中，保护电路由保险丝、EMC电路以及二极管VD2组成；

所述保护电路用于保护预充电路、充电电路、控制电路；

所述保险丝的一端连接DC电源的输入端，所述保险丝的另一端连接于所述EMC电路的输入端，所述EMC电路的输出端连接于所述充电电路的输入端，所述二极管VD2一端连接于所述充电电路的输入端，所述二极管VD2另一端连接于所述预充电路的输出端；

所述保险丝用于为输入DC电源提供保护；所述EMC电路用于防止电磁干扰；所述二极管VD2用于在输入DC电源反向接入时保护后续电路不被损坏。

可选的，在本发明第二方面的第二种实现方式中，所述预充电路包括BUS电容；

所述预充电路用于为BUS电容预充电，准备BUS电压；

所述电阻R3与所述电阻R5串联连接，所述电阻R3和所述电阻R5与MOS管VT1和MOS管VT2并联连接，所述电阻R5的另一端连接于BUS电容的输出端，所述BUS电容的输入端连接于所述充电电路的输入端；

所述预充电路用于在启动过程中为BUS电容进行预充，准备BUS电容的电压。

可选的，在本发明第二方面的第三种实现方式中，所述充电电路包括电阻R249、电阻R4以及电容C7；

所述充电电路用于为电容C7充电，当电容C7的电压达到预定值时，触发所述控制电路工作；

所述电阻R249的一端连接于所述保护电路的输出端，所述电阻R249的另一端连接于所述电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接于电容C7的一端，电容C7的另一端连接于所述控制电路的输入端；

所述充电电路用于为电容C7充电，直到电容的电压达到预定值。

可选的，在本发明第二方面的第四种实现方式中，所述控制电路包括光电控制电路以及驱动电路，所述光电控制电路包括光电耦合器D5，所述驱动电路包括MOS管VT1、稳压二极管VD64；

所述光电耦合器D5的一端连接于稳压二极管VD64的正极，所述光电耦合器D5的另一端连接于MOS管VT1，所述MOS管VT1与MOS管VT2并联连接，所述MOS管VT1连接于电容C7，MOS管VT2的一端连接于电容C7，MOS管VT2的另一端连接于预充电路；

所述光电耦合器D5用于当电容C7电压达到稳压二极管VD64的击穿电压时，光电耦合器D5被触发并开始导电，进行信号传输；

所述MOS管VT1与MOS管VT2用于当光电耦合器D5导通时触发MOS管VT1 和MOS管VT2的工作，进行电流的开关控制；

所述控制电路用于当电容C7电压达到稳压二极管VD64的击穿电压时，光电耦合器D5被触发并开始导电，同时触发MOS管驱动VT1和MOS管VT2工作，进行电流的开关控制。

本发明提供的技术方案中，有益效果：本发明提供的一种缓启动电路及多层次的缓启动电路，通过防反二极管VD1、预充电阻、MOS管VT2、控制电路；所述预充电阻包括电阻R3与电阻R5；所述电阻R3与所述电阻R5串联，所述MOS管VT2与串联后的电阻R3和电阻R5形成并联；所述防反二极管VD1与所述预充电阻串联，所述防反二极管VD1与所述MOS管VT2以及所述控制电路并联；所述控制电路与所述MOS管VT2连接。本发明可以有效降低开关管导通时冲击电流，电路设计简单，MOS管的驱动采用自驱方式，不需要外加采样电路及单片机单独驱动，并且隔离MOS管根据实际电流单组设计。

附图说明

图1为本发明实施例中缓启动电路的一个实施例示意图；

图2为本发明实施例中多层次的缓启动电路的一个实施例示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种缓启动电路及多层次的缓启动电路。本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等（如果存在）是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”或“具有”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

为便于理解，请参阅图1，本发明实施例中缓启动电路的一个实施例，包括：

防反二极管VD1、预充电阻、MOS管VT2、控制电路；

所述预充电阻包括电阻R3与电阻R5；

所述电阻R3与所述电阻R5串联，所述MOS管VT2与串联后的电阻R3和电阻R5形成并联；

所述防反二极管VD1与所述预充电阻串联，所述防反二极管VD1与所述MOS管VT2以及所述控制电路并联；

所述控制电路与所述MOS管VT2连接。

具体的，防反二极管VD1的作用是防止电路内的电流反向流动，保证电路的正常工作。其中，预充电阻是由电阻R3与电阻R5串联组成，这主要是为了限制电流流动的线性，防止因电流过大对电源系统造成损害，同时也能够确保系统在初始阶段逐渐、平滑地进行充电。

然后，这两个串联的电阻R3和R5与MOS管VT2形成并联。MOS管VT2在这里的作用主要是控制电流的流动，通过调整阻性，从而实现对电流大小的控制，这是实现缓启动功能的关键部分。

防反二极管VD1与预充电阻串联，并且与MOS管VT2以及控制电路并联。防反二极管VD1在此处的主要作用是防止电流反向流动。而控制电路连接到MOS管VT2，主要用于控制MOS管VT2的开启和关闭，从而控制电流的通断和大小。

本发明实施例中，有益效果：本发明实施例通过精细化的组件搭配和布局，实现了电流缓启动的功能，能有效避免因电源电压突变引发的电流冲击，保护了电源系统的稳定性和安全性。

本发明实施例中缓启动电路的另一个实施例包括：

所述缓启动电路两端分别连接DC电源与BUS电容；

所述防反二极管VD1的正极连接于DC电源的输入端，所述防反二极管VD1的负极连接于BUS电容的输出端；

所述MOS管VT2的输入端分别连接于所述防反二极管VD1的正极，所述MOS管VT2的输出端连接于BUS电容的输入端；

所述电阻R3的一端连接于所述防反二极管VD1的正极，所述电阻R3的另一端连接所述电阻R5，所述电阻R5的另一端连接于BUS电容的输入端。

具体的，本发明实施例增加了两端分别连接DC电源与BUS电容的设计。DC电源是供电来源，而BUS电容则是需要被缓慢充电的设备。电路的配置使得电流从DC经过处理后，平滑且稳定地为BUS电容充电，从而避免冲击电流影响设备的正常工作。

防反二极管VD1的正极连接于DC电源的输入端，其主要作用是在电路中实现单向电流流动，防止电流反向回流到DC电源源，保证了电源电流的稳定性和安全性。而防反二极管VD1的负极连接到了BUS电容的输出端，形成了一个闭合的电流路径，这样DC电源就能正确进入并流经这个电路。

与防反二极管VD1正极同时连接的是MOS管VT2的输入端，其输出端再与BUS电容的输入端连接，形成一个并联的电路。这里的MOS管VT2控制电流是否能流入BUS电容。更具体地说，MOS管VT2通过其开关状态的控制，实现对输入BUS电容的电流量的精细调节，有利于实现电源电流的缓启动。

在这个电路设计中，电阻R3与电阻R5串联后分别与防反二极管VD1的正极和BUS电容的输入端连接。两电阻串联的设计可以更有效地限制电流，确保电流的线性流动，同时也能降低初始电压，从而实现电源的缓启动。

本发明实施例中缓启动电路的另一个实施例包括：

所述MOS管VT2的一端连接于电阻R3的输入端，MOS管VT2的另一端连接于电阻R5的输出端。

上面对本发明实施例中缓启动电路进行了描述，下面对本发明实施例中多层次的缓启动电路进行描述，请参阅图2，本发明实施例中多层次的缓启动电路一个实施例包括：

所述多层次的缓启动电路包括上述任一项所述的缓启动电路，还包括：保护电路、预充电路、充电电路、控制电路；

所述保护电路的输出端连接于所述预充电路的输入端和所述充电电路的输入端，所述充电电路的输出端连接于所述控制电路的输入端，所述控制电路的输出端连接于所述预充电路的输出端。

具体的，这个技术方案中提出了一个多层次的缓启动电路，它包含了上述的缓启动电路，并且额外增加了保护电路、预充电路、充电电路和控制电路。这种多层次电路设计使得电路可以更具有适应性地处理更复杂的电源环境，进一步提高系统的稳定性与安全性。

首先，保护电路的主要作用是在预充电路和充电电路输入前进行电流保护，以防止来自DC电源的任何潜在冲击电流或突变电流。这种保护机制可以防止电源系统受到不稳定因素的影响，保障系统的正常运行。

其次，保护电路的输出端连接了预充电路和充电电路的输入端。预充电路可以理解为对电路进行预处理，使得电流能够逐渐地进入系统，而不是直接导致电流的突变，从而提高了电源的启动性能。保护电路保证了预充电路的电流输入在一个安全的范围内。

充电电路是实现电流输送的主要通道，其接收的电流已经通过了保护电路与预充电路的处理，在进一步经过充电电路的加工处理后，电流将被传送到控制电路。这里面的充电电路相当于一个“电流中转站”，为电源启动和稳定运行做了重要贡献。

最后，经过充电电路处理的电流会被输送到控制电路，控制电路可以对电流进行更具体的调整和控制，以符合最终设备的需求。控制电路的输入与充电电路的输出相连接，将被充电电路处理后的电流继续进行优化后，再输出回预充电路，形成一个闭合的控制回路。

本发明实施例中，有益效果：本发明实施例的多层次的缓启动电路设计更加精细化，每个部分都充分发挥其作用，有助于提升电源系统的稳定性和保护性，进一步优化了电流的控制和管理，也提升了整个电源系统的效率和性价比。

本发明实施例中多层次的缓启动电路的另一个实施例包括：

保护电路由保险丝、EMC电路以及二极管VD2组成；

所述保护电路用于保护预充电路、充电电路、控制电路；

所述保险丝的一端连接DC电源的输入端，所述保险丝的另一端连接于所述EMC电路的输入端，所述EMC电路的输出端连接于所述充电电路的输入端，所述二极管VD2一端连接于所述充电电路的输入端，所述二极管VD2另一端连接于所述预充电路的输出端；

所述保险丝用于为输入DC电源提供保护；所述EMC电路用于防止电磁干扰；所述二极管VD2用于在输入DC电源反向接入时保护后续电路不被损坏。

具体的，这个技术方案中，保护电路更具体地由保险丝、EMC电路以及二极管VD2组成。这个保护电路的存在是为了确保整个系统的稳定运行，防止任何可能的电源故障对预充电路、充电电路、以及控制电路造成损害。

首先，保险丝的角色在于为输入的DC电源提供保护。当流过保险丝的电流超过某个安全值时，保险丝会熔断，从而切断电流，防止过大电流对系统造成损害。在此配置中，保险丝的一端连接DC电源的输入端，另一端连接到EMC电路的输入端。

其次，EMC电路（电磁兼容性电路）的存在主要为了防止电磁干扰，维持电源系统的稳定运行。电磁干扰可能来自电源本身或其周围环境，EMC电路能有效地抑制这些干扰，并将处理过的电流传送给充电电路。

最后，二极管VD2一端连接于所述充电电路的输入端，另一端连接于预充电路的输出端。二极管VD2的主要作用是在输入DC电源反向接入时保护后续电路不被损坏。如果DC电源反向接入，VD2将会阻断电流，预充电路、充电电路、控制电路等后续环节得以安全。

本发明实施例中多层次的缓启动电路的另一个实施例包括：

所述预充电路包括BUS电容；

所述预充电路用于为BUS电容预充电，准备BUS电压；

所述电阻R3与所述电阻R5串联连接，所述电阻R3和所述电阻R5与MOS管VT1和MOS管VT2并联连接，所述电阻R5的另一端连接于BUS电容的输出端，所述BUS电容的输入端连接于所述充电电路的输入端；

所述预充电路用于在启动过程中为BUS电容进行预充，准备BUS电容的电压。

具体的，这个技术方案中，预充电路的主要任务是对BUS电容进行预充电，以便准备好BUS电压。为了实现这个目标，它利用了串联的电阻R3和R5，以及并联的MOS管VT1和MOS管VT2。

电阻R3和电阻R5串联连接，同时与MOS管VT1和MOS管VT2并联。这个配置可以在一定程度上改变电流的分布，调整每个部分的电流大小，以匹配电源系统的具体需求。这也可以有效地限制电流，减少初始电流对VC电容的冲击，使得电流在预充电环节更加稳定。

MOS管VT1和MOS管VT2在这个环节中起到电流控制的作用。通过改变它们的导通状态，可以精细调整通过预充电电路进入BUS电容的电流量。这个组合可以在电源启动的初始阶段逐渐充电到BUS电容，而不是一次性大电流充入，避免电流冲击对设备的破坏。

此外，电阻R5的另一端连接于BUS电容的输出端，而BUS电容的输入端则连接于充电电路的输入端。这种连接方式保证了预充电过程可以顺利进行，并为后续的充电电路提供了良好的承接。

通过这种预充电路的设计，可以在启动过程中慢慢为BUS电容进行预充电，准备好BUS电压。这样的设计有助于消除启动过程中可能的电流冲击，提升设备的稳定性和寿命。

本发明实施例中多层次的缓启动电路的另一个实施例包括：

所述充电电路包括电阻R249、电阻R4以及电容C7；

所述充电电路用于为电容C7充电，当电容C7的电压达到预定值时，触发所述控制电路工作；

所述电阻R249的一端连接于所述保护电路的输出端，所述电阻R249的另一端连接于所述电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接于电容C7的一端，电容C7的另一端连接于所述控制电路的输入端；

所述充电电路用于为电容C7充电，直到电容的电压达到预定值。

具体的，在这个技术方案中，充电电路的主要构成元素是电阻R249、电阻R4以及电容C7。这个电路是为了给电容C7进行充电，直到电容C7的电压达到预定值。在电压达到这个预定值后，它会触发控制电路的启动并进入工作状态。

电阻R249的一端连接于保护电路的输出端，这样，经过保险丝、EMC电路，甚至二极管VD2保护处理后的电流可以顺利流入充电电路。电阻R249的另一端连接于电阻R4，电阻R4与电容C7相接，形成了一个RC延迟网络，该网络可以有效地延迟电流的输入，为C7电容稳定充电。

电阻R249和R4在电路中的主要功能是限制电流的大小，避免电流过大对电容C7的充电过程产生不利影响，以及避免电流冲击对控制电路造成损坏。

电容C7的另一端连接于控制电路的输入端，这意味着C7的电压水平将直接决定控制电路的启动。一旦电容C7的电压达到预设值，就会触发控制电路的工作。

本发明实施例中多层次的缓启动电路的另一个实施例包括：

所述控制电路包括光电控制电路以及驱动电路，所述光电控制电路包括光电耦合器D5，所述驱动电路包括MOS管VT1、稳压二极管VD64；

所述光电耦合器D5的一端连接于稳压二极管VD64的正极，所述光电耦合器D5的另一端连接于MOS管VT1，所述MOS管VT1与MOS管VT2并联连接，所述MOS管VT1连接于电容C7，MOS管VT2的一端连接于电容C7，MOS管VT2的另一端连接于预充电路；

所述光电耦合器D5用于当电容C7电压达到稳压二极管VD64的击穿电压时，光电耦合器D5被触发并开始导电，进行信号传输；

所述MOS管VT1与MOS管VT2用于当光电耦合器D5导通时触发MOS管VT1 和MOS管VT2的工作，进行电流的开关控制；

所述控制电路用于当电容C7电压达到稳压二极管VD64的击穿电压时，光电耦合器D5被触发并开始导电，同时触发MOS管驱动VT1和MOS管VT2工作，进行电流的开关控制。

具体的，在这个技术方案中，控制电路是由光电控制电路和驱动电路组成。这其中，光电控制电路含有一只光电耦合器D5，而驱动电路则包括MOS管VT1和稳压二极管VD64。

具体来说，光电耦合器D5的一端连接于稳压二极管VD64的正极，其另一端连接于MOS管VT1。光电耦合器的工作原理是，当电容C7的电压达到稳压二极管VD64的击穿电压时，光电耦合器D5会被触发并开始导电，过程中实现电气隔离和信号传输。这一设计确保了电路的安全性和可靠性。

MOS管VT1与MOS管VT2并联连接。当光电耦合器D5导通时，MOS管VT1和MOS管VT2也会同时被触发，开始工作进行电流的开/关控制。一方面，MOS管VT1的另一端连接于电容C7，MOS管VT2的一端也连接于电容C7，这样设定的作用是确保光电耦合器D5触发后，C7电容中的电流可以顺利流向并控制MOS管的工作。另一方面，MOS管VT2的另一端连接到BUS电容，这样可以进一步导出电流，完成电源系统的工作流。

总的来看，当电容C7的电压达到稳压二极管VD64的击穿电压时，光电耦合器D5将触发并开始导电。光电耦合器的导电状态会同时驱动MOS管VT1和MOS管VT2工作，参与电流的开关控制。这种方式使得一旦触发条件满足，系统可迅速响应并完成电源调整，实现电路的精确控制，提升了电源系统的稳定性和可靠性。

多层次的缓启动电路还包括如下的元器件：

保护电路包括电容C1、电容C2、电容C3，电容C1与电容C2串联，电容C3与串联后的电容C1和电容C2形成并联，在电容C1与电容C2之间接地；

保护电路还包括电容C4、电容C5、电容C6，电容C5与电容C6串联，电容C4与串联后的电容C5和电容C6形成并联，在电容C5与电容C6之间接地；

充电电路包括电容C7、电容C198、电容C8、二极管VD3、电阻R1，其中每个元器件之间分别并联。

充电电路还包括电阻R2、电阻R1；

电阻R2的一端连接于MOS管VT1的一端，电阻R2的另一端连接于电阻R1，防反二极管VD1由四个相同的二极管一一头尾相连。

控制电路包括稳压二极管VD64、电阻R100、电阻R100、电阻R101、电阻R6、电阻R7；

稳压二极管VD64的正极连接于电阻R100的一端，稳压二极管VD64的负极连接于电容C8，电阻100的另一端连接于光电耦合器D5，电阻101与电容C8并联，电阻R6与电阻R7并联，电阻R6、电阻R7电阻R6、电阻R7分别与光电耦合器D5串联；

预充电路的电容BUS 包括三个相互并联的电容，分别为C20、C27、C28。有益效果：本发明提供的一种缓启动电路及多层次的缓启动电路，通过防反二极管VD1、预充电阻、MOS管VT2、控制电路；所述预充电阻包括电阻R3与电阻R5；所述电阻R3与所述电阻R5串联，所述MOS管VT2与串联后的电阻R3和电阻R5形成并联；所述防反二极管VD1与所述预充电阻串联，所述防反二极管VD1与所述MOS管VT2以及所述控制电路并联；所述控制电路与所述MOS管VT2连接。本发明可以有效降低开关管导通时冲击电流，电路设计简单，MOS管的驱动采用自驱方式，不需要外加采样电路及单片机单独驱动，并且隔离MOS管根据实际电流单组设计。

以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (2)

1.一种多层次的缓启动电路，其特征在于，所述多层次的缓启动电路具体包括：防反二极管VD1、预充电阻、MOS管VT2、控制电路；

所述预充电阻包括电阻R3与电阻R5；

所述电阻R3与所述电阻R5串联，所述MOS管VT2与串联后的电阻R3和电阻R5形成并联；

所述防反二极管VD1与所述预充电阻串联，所述防反二极管VD1与所述MOS管VT2以及所述控制电路并联；

所述控制电路与所述MOS管VT2连接；

所述多层次的缓启动电路，还包括：

保护电路由保险丝、EMC电路以及二极管VD2组成；

所述保护电路用于保护预充电路、充电电路、控制电路；

所述保险丝的一端连接DC电源的输入端，所述保险丝的另一端连接于所述EMC电路的输入端，所述EMC电路的输出端连接于所述充电电路的输入端，所述二极管VD2一端连接于所述充电电路的输入端，所述二极管VD2另一端连接于所述预充电路的输出端；

所述保险丝用于为输入DC电源提供保护；所述EMC电路用于防止电磁干扰；所述二极管VD2用于在输入DC电源反向接入时保护后续电路不被损坏；

所述充电电路包括电阻R249、电阻R4以及电容C7；

所述充电电路用于为电容C7充电，当电容C7的电压达到预定值时，触发所述控制电路工作；

所述电阻R249的一端连接于所述保护电路的输出端，所述电阻R249的另一端连接于所述电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接于电容C7的一端，电容C7的另一端连接于所述控制电路的输入端；

所述控制电路包括光电控制电路以及驱动电路，所述光电控制电路包括光电耦合器D5，所述驱动电路包括MOS管VT1、稳压二极管VD64；

所述光电耦合器D5的一端连接于稳压二极管VD64的正极，所述光电耦合器D5的另一端连接于MOS管VT1，所述MOS管VT1与MOS管VT2并联连接，所述MOS管VT1连接于电容C7，MOS管VT2的一端连接于电容C7，MOS管VT2的另一端连接于预充电路；

所述光电耦合器D5用于当电容C7电压达到稳压二极管VD64的击穿电压时，光电耦合器D5被触发并开始导电，进行信号传输；

所述MOS管VT1与MOS管VT2用于当光电耦合器D5导通时触发MOS管VT1 和MOS管VT2的工作，进行电流的开关控制；

多层次的缓启动电路还包括如下的元器件：

保护电路包括电容C1、电容C2、电容C3，电容C1与电容C2串联，电容C3与串联后的电容C1和电容C2形成并联，在电容C1与电容C2之间接地；

保护电路还包括电容C4、电容C5、电容C6，电容C5与电容C6串联，电容C4与串联后的电容C5和电容C6形成并联，在电容C5与电容C6之间接地；

充电电路包括电容C7、电容C198、电容C8、二极管VD3、电阻R1；其中，电容C7、电容C8、二极管VD3以及电阻R1之间分别并联；

充电电路还包括电阻R2、电阻R1；

电阻R2的一端连接于MOS管VT1的一端，电阻R2的另一端连接于电阻R1，防反二极管VD1由四个相同的二极管一一头尾相连；

控制电路包括稳压二极管VD64、电阻R100、电阻R101、电阻R6、电阻R7；

稳压二极管VD64的正极连接于电阻R100的一端，稳压二极管VD64的负极连接于电容C8，电阻R100的另一端连接于光电耦合器D5，电阻R101与电容C8并联，电阻R6与电阻R7并联，电阻R6、电阻R7分别与光电耦合器D5串联。

2.根据权利要求1所述的多层次的缓启动电路，其特征在于，所述预充电路包括BUS电容；

所述电阻R5连接于BUS电容的输出端，所述BUS电容的输入端连接于所述充电电路的输入端；

所述预充电路用于在启动过程中为BUS电容进行预充，准备BUS电容的电压。