CN206849250U - 一种遥控器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种遥控器,其包括第一电源、第一开关、第一二极管、第一MOS管、第二MOS管、第二电源、第三电源、单片机、第一电阻、第一电容、第二电容、第二电阻、第三电阻、第四电阻。当第一开关按下令第一电源对遥控器供电时,第一MOS管及第二MOS管导通,而令单片机接通电源,此时单片机控制第三电源升高电压,从而松开第一开关后,第三电源持续对单片机通电,单片机检测第一开关的信号并执行相应操作后控制第三电源降低电压,从而关闭单片机的供电电源,而令整个遥控器不再消耗电源,达到了令遥控器省电的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及生活电器领域,具体而言,涉及一种遥控器。
背景技术
遥控器是人们日常生活中经常用到的生活小电器,目前,遥控器为了降低其电源消耗,主要通过在遥控器不按键的时候,让单片机进入休眠状态来降低单片机功耗,从而达到令遥控器省电的目的。
但是,现有技术的遥控器,即使单片机进入休眠状态,由于单片机并不是完全断电,所以电路中仍然会有几uA到几十uA的功耗,因此遥控器即使长时间不使用,也会存在微小的功耗,因此现有技术的遥控器还是不够省电。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提出了一种遥控器,其目的在于降低遥控器的功耗,令遥控器更省电。
一种遥控器,其包括第一电源、第一开关、第一二极管、第一MOS管、第二MOS管、第二电源、第三电源、单片机、第一电阻;
所述第一开关的一端连接所述第一电源的输出端,所述第一开关的另一端连接所述第一二极管以及连接所述第一电阻;
所述第一电阻的另一端接地;
所述第一二极管的另一端连接所述第一MOS管的G极;
所述第一MOS管的D极连接所述第二MOS管的G极,所述第一MOS管的S极接地;
所述第二MOS管的S极连接所述第二电源的输出端,所述第二MOS管的D极连接所述单片机;
所述单片机连接所述第三电源;
所述第三电源的输出端连接所述第一MOS管G极;
所述遥控器还包括第二电阻、第三电阻、第四电阻;
所述第二电阻一端连接所述第二MOS管的G极,所述第二电阻的另一端连接所述第二MOS管的S极;
所述第三电阻一端连接所述第一MOS管的G极,所述第三电阻的另一端连接所述第一MOS管的S极;
所述第三电源通过所述第四电阻连接所述第一MOS管G极。
进一步地,一种遥控器,还包括第一电容、第二电容;
所述第一电容的一端连接所述第一MOS管的G极,所述第一电容的另一端连接所述第一MOS管的S极;
所述第二电容的一端连接所述第二MOS管的G极,所述第二电容的另一端连接所述第二MOS管的S极。
进一步地,一种遥控器,还包括第二开关、第二二极管、第六电阻,所述第二开关的一端连接所述第一电源,所述第二开关的另一端连接所述第二二极管以及连接所述第六电阻;
所述第六电阻的另一端接地。
进一步地,一种遥控器,还包括第三开关、第三二极管、第七电阻,所述第三开关的一端连接所述第一电源,所述第三开关的另一端连接所述第三二极管以及连接所述第七电阻;
所述第七电阻的另一端接地。
进一步地,一种遥控器,所述第一电源为输出端为3.3伏的VDD电源。
进一步地,一种遥控器,所述第二电源为输出端为3.3伏的VDD电源。
进一步地,一种遥控器,所述第三电源为VCC电源。
进一步地,一种遥控器,所述第一MOS管为增强型N沟通绝缘栅场效应管。
进一步地,一种遥控器,所述第二MOS管为耗尽型P沟通绝缘栅场效应管。
进一步地,一种遥控器,所述第一电容的电容量为0.1微法,所述第二电容的电容量为0.1微法。
本实用新型的一种遥控器,其包括第一电源、第一开关、第一二极管、第一MOS管、第二MOS管、第二电源、第三电源、单片机、第一电阻;所述第一开关的一端连接所述第一电源的输出端,所述第一开关的另一端连接所述第一二极管以及连接所述第一电阻;所述第一电阻的另一端接地;所述第一二极管的另一端连接所述第一MOS管的G极;所述第一MOS管的D极连接所述第二MOS管的G极,所述第一MOS管的S极接地;所述第二MOS管的S极连接所述第二电源的输出端,所述第二MOS管的D极连接所述单片机;所述单片机连接所述第三电源;所述第三电源的输出端连接所述第一MOS管G极;所述遥控器还包括第二电阻、第三电阻、第四电阻;所述第二电阻一端连接所述第二MOS管的G极,所述第二电阻的另一端连接所述第二MOS管的S极;所述第三电阻一端连接所述第一MOS管的G极,所述第三电阻的另一端连接所述第一MOS管的S极;所述第三电源通过所述第四电阻连接所述第一MOS管G极。以此,本实用新型的一种遥控器可以降低电源的耗电量,从而达到降低功耗及省电的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1及图2是本实用新型一较佳实施例提供的一种遥控器的结构示意图。
主要元器件说明:
1-第一电源;2-第一开关;3-第一二极管;4-第一MOS管;5-第二MOS管;6-第二电源;7-第三电源;8-单片机;9-第一电阻;10-第一电容;11-第二电容;12-第二电阻;13-第三电阻;14-第四电阻;16-第二开关;17-第二二极管;18-第六电阻;19-第三开关;20-第三二极管;21-第七电阻。
具体实施方式
在下文中,将更全面地描述本公开的各种实施例。本公开可具有各种实施例,并且可在其中做出调整和改变。然而,应理解:不存在将本公开的各种实施例限于在此公开的特定实施例的意图,而是应将本公开理解为涵盖落入本公开的各种实施例的精神和范围内的所有调整、等同物和/或可选方案。
在下文中,可在本公开的各种实施例中使用的术语“包括”或“可包括”指示所公开的功能、操作或元件的存在,并且不限制一个或更多个功能、操作或元件的增加。此外,如在本公开的各种实施例中所使用,术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合,并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
在本公开的各种实施例中,表述“或”或“A或/和B中的至少一个”包括同时列出的文字的任何组合或所有组合。例如,表述“A或B”或“A或/和B中的至少一个”可包括A、可包括B或可包括A和B二者。
在本公开的各种实施例中使用的表述(诸如“第一”、“第二”等)可修饰在各种实施例中的各种组成元件,不过可不限制相应组成元件。例如,以上表述并不限制所述元件的顺序和/或重要性。以上表述仅用于将一个元件与其它元件区别开的目的。例如,第一用户装置和第二用户装置指示不同用户装置,尽管二者都是用户装置。例如,在不脱离本公开的各种实施例的范围的情况下,第一元件可被称为第二元件,同样地,第二元件也可被称为第一元件。
应注意到:如果描述将一个组成元件“连接”到另一组成元件,则可将第一组成元件直接连接到第二组成元件,并且可在第一组成元件和第二组成元件之间“连接”第三组成元件。相反地,当将一个组成元件“直接连接”到另一组成元件时,可理解为在第一组成元件和第二组成元件之间不存在第三组成元件。
在本公开的各种实施例中使用的术语“用户”可指示使用电子装置的人或使用电子装置的装置(例如,人工智能电子装置)。
在本公开的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本公开的各种实施例。如在此所使用,单数形式意在也包括复数形式,除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定,否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义,除非在本公开的各种实施例中被清楚地限定。
在一实施例中,请参阅:图1、图2。
一种遥控器,其包括第一电源1、第一开关2、第一二极管3、第一MOS管4、第二MOS管5、第二电源6、第三电源7、单片机8、第一电阻9;
所述第一开关2的一端连接所述第一电源1的输出端,所述第一开关2的另一端连接所述第一二极管3以及连接所述第一电阻9;
所述第一电阻9的另一端接地;
所述第一二极管3的另一端连接所述第一MOS管4的G极;
所述第一MOS管4的D极连接所述第二MOS管5的G极,所述第一MOS管4的S极接地;
所述第二MOS管5的S极连接所述第二电源6的输出端,所述第二MOS管5的D极连接所述单片机8;
所述单片机8连接所述第三电源7;
所述第三电源7的输出端连接所述第一MOS管4的G极;
所述遥控器还包括第二电阻12、第三电阻13、第四电阻14;
所述第二电阻12一端连接所述第二MOS管5的G极,所述第二电阻12的另一端连接所述第二MOS管5的S极;
所述第三电阻13一端连接所述第一MOS管4的G极,所述第三电阻13的另一端连接所述第一MOS管4的S极;
所述第三电源7通过所述第四电阻14连接所述第一MOS管4的G极。
上述,当遥控器上的第一开关2按下去时,由于第一开关2的一端连接第一电源1的输出端,所以第一电源1可以对遥控器输出电流,又由于第一开关2的另一端通过第一二极管3连接第一MOS管4的G极,所以第一电源1的输出端与第一MOS管4的G极连通,并令第一MOS管4的G极形成高电平,令第一MOS管4导通。
当第一MOS管4导通后,由于第一MOS管4的S极接地,所以第一MOS管4的S极及D极为低电平,进而与第一MOS管4的D极连接的第二MOS管5的G极变为低电平,从而第二MOS管5导通。可以理解的是,又由于第二MOS管5的S极连接第二电源6的输出端,第二MOS管5的D极连接单片机8,所以第二电源6的输出端与单片机8导通,也即是单片机8通电。
当单片机8通电后,单片机8控制第三电源7输出的电压升高,此时,即使第一开关2松开,第三电源7仍然可以令第一MOS管4及第二MOS管5导通,从而单片机8仍然不会断电,单片机8可以继续检测第一开关2的按键信息,并执行该按键信息相对应的动作,执行完毕该动作后,单片机8控制第三电源7输出的电压降低,而从关闭对单片机8供电的电源,从而整个遥控器不再消耗电量,达到了令遥控器省电的目的。
因此,本实施例中的遥控器在第一开关2未按下去的时候,整个电路几乎没有任何功耗,大大提高了电池电源的使用效率。
可以理解的是,在本实施例中,遥控器的按键可以有多个,例如,还可以包含权利要求2或3中的第二开关16及第三开关19,当然,还可以有其他的开关,这些开关都可以一端连接第一电源1的输出端,另一端连接一极管以及连接一电阻,并且该一电阻的另一端接地。进一步地,本实施例中的单片机8可以为现有技术中的单片机、微控制单元。
需要进一步说明的是,在图1中,单片机8未示出,图中的编号“8”是指连接单片机的位置,也代指单片机。
在本实施例中,一种遥控器,还包括第一电容10、第二电容11;
所述第一电容10的一端连接所述第一MOS管4的G极,所述第一电容10的另一端连接所述第一MOS管4的S极;
所述第二电容11的一端连接所述第二MOS管5的G极,所述第二电容11的另一端连接所述第二MOS管5的S极。
在本实施例中,一种遥控器,还包括第二开关16、第二二极管17、第六电阻18,所述第二开关16的一端连接所述第一电源1,所述第二开关16的另一端连接所述第二二极管17以及连接所述第六电阻18;
所述第六电阻18的另一端接地。
在本实施例中,一种遥控器,还包括第三开关19、第三二极管20、第七电阻21,所述第三开关19的一端连接所述第一电源1,所述第三开关19的另一端连接所述第三二极管20以及连接所述第七电阻21;
所述第七电阻21的另一端接地。
在本实施例中,一种遥控器,所述第一电源1为输出端为3.3伏的VDD电源。
在本实施例中,一种遥控器,所述第二电源6为输出端为3.3伏的VDD电源。
在本实施例中,一种遥控器,所述第三电源7为VCC电源。
在本实施例中,一种遥控器,所述第一MOS管4为增强型N沟通绝缘栅场效应管。
上述,绝缘栅型场效应管也称金属氧化物半导体三极管,通常说的MOS管就是指绝缘栅型场效应管。
绝缘栅型场效应管分为增强型(Enhancement-mode)和耗尽型(depletion-mode)两大类.增强型和耗尽型又分为N沟道和P沟道两种。具体地,在本实施例中,增强型N沟通绝缘栅场效应管的具体型号可以为2N7002增强型N沟通绝缘栅场效应管,此外,第一MOS管还可以由其他三极管代替。
在本实施例中,一种遥控器,所述第二MOS管5为耗尽型P沟通绝缘栅场效应管。
上述,绝缘栅型场效应管也称金属氧化物半导体三极管,通常说的MOS管就是指绝缘栅型场效应管。
绝缘栅型场效应管分为增强型(Enhancement-mode)和耗尽型(depletion-mode)两大类.增强型和耗尽型又分为N沟道和P沟道两种。具体地,在本实施例中,第二MOS管可以为耗尽型P沟通绝缘栅场效应管。此外,第二MOS管还可以由其他三极管代替。
在本实施例中,一种遥控器,所述第一电容10的电容量为0.1微法,所述第二电容11的电容量为0.1微法。
本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施场景的示意图,附图中的模块或流程并不一定是实施本实用新型所必须的。
本领域技术人员可以理解实施场景中的装置中的模块可以按照实施场景描述进行分布于实施场景的装置中,也可以进行相应变化位于不同于本实施场景的一个或多个装置中。上述实施场景的模块可以合并为一个模块,也可以进一步拆分成多个子模块。
上述本实用新型序号仅仅为了描述,不代表实施场景的优劣。
以上公开的仅为本实用新型的几个具体实施场景,但是,本实用新型并非局限于此,任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种遥控器,其特征在于,包括第一电源、第一开关、第一二极管、第一MOS管、第二MOS管、第二电源、第三电源、单片机、第一电阻;
所述第一开关的一端连接所述第一电源的输出端,所述第一开关的另一端连接所述第一二极管以及连接所述第一电阻;
所述第一电阻的另一端接地;
所述第一二极管的另一端连接所述第一MOS管的G极;
所述第一MOS管的D极连接所述第二MOS管的G极,所述第一MOS管的S极接地;
所述第二MOS管的S极连接所述第二电源的输出端,所述第二MOS管的D极连接所述单片机;
所述单片机连接所述第三电源;
所述第三电源的输出端连接所述第一MOS管G极;
所述遥控器还包括第二电阻、第三电阻、第四电阻;
所述第二电阻一端连接所述第二MOS管的G极,所述第二电阻的另一端连接所述第二MOS管的S极;
所述第三电阻一端连接所述第一MOS管的G极,所述第三电阻的另一端连接所述第一MOS管的S极;
所述第三电源通过所述第四电阻连接所述第一MOS管G极。
2.根据权利要求1所述的一种遥控器,其特征在于,所述遥控器还包括第一电容、第二电容;
所述第一电容的一端连接所述第一MOS管的G极,所述第一电容的另一端连接所述第一MOS管的S极;
所述第二电容的一端连接所述第二MOS管的G极,所述第二电容的另一端连接所述第二MOS管的S极。
3.根据权利要求1所述的一种遥控器,其特征在于,还包括第二开关、第二二极管、第六电阻,所述第二开关的一端连接所述第一电源,所述第二开关的另一端连接所述第二二极管以及连接所述第六电阻;
所述第六电阻的另一端接地。
4.根据权利要求1所述的一种遥控器,其特征在于,还包括第三开关、第三二极管、第七电阻,所述第三开关的一端连接所述第一电源,所述第三开关的另一端连接所述第三二极管以及连接所述第七电阻;
所述第七电阻的另一端接地。
5.根据权利要求1所述的一种遥控器,其特征在于,所述第一电源为输出端为3.3伏的VDD电源。
6.根据权利要求1所述的一种遥控器,其特征在于,所述第二电源为输出端为3.3伏的VDD电源。
7.根据权利要求1所述的一种遥控器,其特征在于,所述第三电源为VCC电源。
8.根据权利要求1所述的一种遥控器,其特征在于,所述第一MOS管为增强型N沟通绝缘栅场效应管。
9.根据权利要求1所述的一种遥控器,其特征在于,所述第二MOS管为耗尽型P沟通绝缘栅场效应管。
10.根据权利要求2所述的一种遥控器,其特征在于,所述第一电容的电容量为0.1微法,所述第二电容的电容量为0.1微法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201720336127.XU CN206849250U (zh) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 一种遥控器 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111081002A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-04-28 | 惠州高盛达智联科技有限公司 | 一种遥控器电路 |
-
2017
- 2017-03-31 CN CN201720336127.XU patent/CN206849250U/zh active Active
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