CN206721354U - 氧化硅真空镀膜机 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种氧化硅真空镀膜机，其包括：真空箱体、镀膜鼓、挡板、氮气输送机构、氧气输送机构以及蒸发装置；镀膜鼓、挡板、氮气输送机构、氧气输送机构以及蒸发装置位于真空箱体内部，挡板分布于镀膜鼓的两侧，镀膜鼓部分地自两侧挡板之间的空间伸出，蒸发装置于镀膜鼓下方，蒸发装置与镀膜鼓之间的空间形成蒸镀空间，蒸发装置包括壳体和加热单元，壳体顶部开设有蒸发口，加热单元上铺设有一氧化硅蒸发源，氮气输送机构具有氮气输送口，氧气输送机构具有氧气输送口，氮气输送口和氧气输送口朝向蒸镀空间设置。本实用新型通过设置氮气输送机构和氧气输送机构实现了氧化硅的蒸镀，其具有结构简单、生产效率高的优点，有利于降低成本。

Description

氧化硅真空镀膜机

技术领域

本实用新型涉及一种镀膜机，尤其涉及一种氧化硅真空镀膜机。

背景技术

在真空环境中，将材料加热并镀到基片上的技术为真空蒸镀。具体而言，真空蒸镀是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基片表面析出的过程。真空蒸镀中的镀层通常为铝膜，但其它镀层也可通过蒸发沉积形成。然而，现有的镀膜机结构较为复杂且成本较高，无法充分适应工业化生产的需求，不利于降低镀膜产品的成本。

有鉴于此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种氧化硅真空镀膜机，以克服现有技术中存在的不足。

为实现上述实用新型目的，本实用新型提供一种氧化硅真空镀膜机，其包括：真空箱体、镀膜鼓、挡板、氮气输送机构、氧气输送机构以及蒸发装置；

所述镀膜鼓、挡板、氮气输送机构、氧气输送机构以及蒸发装置位于所述真空箱体内部，所述挡板分布于所述镀膜鼓的两侧，所述镀膜鼓部分地自两侧挡板之间的空间伸出，所述蒸发装置于所述镀膜鼓下方，所述蒸发装置与所述镀膜鼓之间的空间形成蒸镀空间，所述蒸发装置包括壳体以及设置于所述壳体底部的加热单元，所述壳体顶部开设有蒸发口，所述加热单元上均匀铺设有一氧化硅蒸发源，所述氮气输送机构具有氮气输送口，所述氧气输送机构具有氧气输送口，所述氮气输送口和氧气输送口朝向所述蒸镀空间设置。

作为本实用新型的氧化硅真空镀膜机的改进，所述镀膜鼓与两侧挡板之间具有间隙，所述间隙的尺寸大于所述镀膜鼓上卷绕的基材与基材上镀层的厚度之和。

作为本实用新型的氧化硅真空镀膜机的改进，所述基材为塑料基材。

作为本实用新型的氧化硅真空镀膜机的改进，所述塑料基材为PET、CPP以及OPP中的一种。

作为本实用新型的氧化硅真空镀膜机的改进，所述氮气输送机构包括氮气输送管道以及设置于所述氮气输送管道上的第一控制阀，所述氮气输送管道的氮气输送口朝向所述蒸镀空间设置。

作为本实用新型的氧化硅真空镀膜机的改进，所述氧气输送机构包括氧气输送管道以及设置于所述氧气输送管道上的第二控制阀，所述氧气输送管道的氧气输送口朝向所述蒸镀空间设置。

作为本实用新型的氧化硅真空镀膜机的改进，所述蒸发口为收缩口，靠近所述收缩口的壳体的内径逐渐减小。

作为本实用新型的氧化硅真空镀膜机的改进，所述加热单元的蒸发温度为1200℃～1600℃，所述镀膜鼓为低温镀膜鼓。

作为本实用新型的氧化硅真空镀膜机的改进，所述一氧化硅蒸发源为条形。

与现有技术相此，本实用新型的有益效果是：本实用新型的氧化硅真空镀膜机通过设置氮气输送机构和氧气输送机构实现了氧化硅的蒸镀，其具有结构简单、生产效率高的优点，有利于降低镀膜产品的成本。

附图说明

图1为本实用新型的氧化硅真空镀膜机一具体实施方式的平面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本实用新型的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本实用新型的保护范围之内。

如图1所示，本实用新型的氧化硅真空镀膜机包括：真空箱体10、镀膜鼓20、挡板30、氮气输送机构40、氧气输送机构50以及蒸发装置60。所述真空箱体10用于形成真空镀膜环境，所述镀膜鼓20、挡板30、氮气输送机构40、氧气输送机构50以及蒸发装置60位于所述真空箱体10内部。

其中，所述镀膜鼓20上卷绕有需要进行蒸镀氧化硅镀层的基材1，所述基材1为塑料基材。优选地，所述塑料基材可以为PET、CPP以及OPP中的一种。所述挡板30用于在蒸镀时，使蒸镀料作用于所述镀膜鼓20的有效位置上，保证蒸镀的均匀性。具体地，所述挡板30分布于所述镀膜鼓20的两侧，且所述镀膜鼓20部分地自两侧挡板30之间的空间伸出。如此设置，所述镀膜鼓20伸出的部分形成蒸镀时的有效位置，其上的基材1与蒸镀料相接触实现蒸镀。此外，为了便于蒸镀的进行，所述镀膜鼓20与两侧挡板30之间具有间隙，所述间隙的尺寸大于所述镀膜鼓20上卷绕的基材1与基材1上镀层的厚度之和。

所述蒸发装置60位于所述镀膜鼓20下方，所述蒸发装置60与所述镀膜鼓20之间的空间形成蒸镀空间2。具体地，所述蒸发装置60包括壳体61以及设置于所述壳体61底部的加热单元62，其中，所述壳体61顶部开设有蒸发口610，所述加热单元62上均匀铺设有一氧化硅蒸发源63。从而，在所述加热单元62的加热作用下，所述一氧化硅蒸发源63受热蒸发并进入所述蒸镀空间2中。优选地，所述加热单元62的蒸发温度为1200℃～1600℃。此外，为了防止镀膜时高温蒸镀料破坏所述基材1，所述镀膜鼓20为低温镀膜鼓，从而蒸镀时，通过所述低温镀膜鼓可实现所述蒸镀料的瞬间冷却，降低所述蒸镀料的温度。

进一步地，为了防止蒸镀料自所述蒸发装置60中排出时扩散到蒸镀空间2之外的区域。所述蒸发口610为收缩口，即靠近所述收缩口的壳体61的内径逐渐减小。从而，蒸镀料随气流运动至所述蒸发口610时，逐步发生汇聚并从所述蒸发口610排出全部进入到所述蒸镀空间2中。此外，所述一氧化硅蒸发源63为条形，如此保证了所述一氧化硅蒸发源63蒸发时的均匀性。

所述氮气输送机构40和氧气输送机构50用于提供反应气，从而所述一氧化硅蒸发源63蒸发后与反应气反应转化为氧化硅进行蒸镀。具体地，所述氮气输送机构40具有氮气输送口，所述氧气输送机构50具有氧气输送口，所述氮气输送口和氧气输送口朝向所述蒸镀空间2设置。从而，氧气和氮气的气源通过所述氮气输送机构40和氧气输送机构50输送到蒸镀空间2中进行反应。

其中，所述氮气输送机构40包括氮气输送管道41以及设置于所述氮气输送管道41上的第一控制阀42，所述氮气输送管道41的氮气输送口朝向所述蒸镀空间2设置。所述第一控制阀42用于控制氮气的流量，以使得所述氮气输送机构40提供满足要求流量的氮气。所述氧气输送机构50包括氧气输送管道51以及设置于所述氧气输送管道51上的第二控制阀52，所述氧气输送管道51的氧气输送口朝向所述蒸镀空间2设置。所述第二控制阀52用于控制氧气的流量，以使得所述氧气输送机构50提供满足要求流量的氧气。

本实用新型的氧化硅真空镀膜机工作时，加热单元加热一氧化硅蒸发源，一氧化硅蒸发源受热蒸发进入蒸镀空间中，与氧气和氮气的混合气反应生成氧化硅。氧化硅随气流自蒸发口排出，并蒸镀于镀膜鼓的基材上。同时，随着镀膜鼓的自转，基材上被均匀蒸镀一层氧化硅薄膜。

综上所述，本实用新型的氧化硅真空镀膜机通过设置氮气输送机构和氧气输送机构实现了氧化硅的蒸镀，其具有结构简单、生产效率高的优点，有利于降低镀膜产品的成本。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (9)

1.一种氧化硅真空镀膜机，其特征在于，所述氧化硅真空镀膜机包括：真空箱体、镀膜鼓、挡板、氮气输送机构、氧气输送机构以及蒸发装置；

所述镀膜鼓、挡板、氮气输送机构、氧气输送机构以及蒸发装置位于所述真空箱体内部，所述挡板分布于所述镀膜鼓的两侧，所述镀膜鼓部分地自两侧挡板之间的空间伸出，所述蒸发装置于所述镀膜鼓下方，所述蒸发装置与所述镀膜鼓之间的空间形成蒸镀空间，所述蒸发装置包括壳体以及设置于所述壳体底部的加热单元，所述壳体顶部开设有蒸发口，所述加热单元上均匀铺设有一氧化硅蒸发源，所述氮气输送机构具有氮气输送口，所述氧气输送机构具有氧气输送口，所述氮气输送口和氧气输送口朝向所述蒸镀空间设置。

2.根据权利要求1所述的氧化硅真空镀膜机，其特征在于，所述镀膜鼓与两侧挡板之间具有间隙，所述间隙的尺寸大于所述镀膜鼓上卷绕的基材与基材上镀层的厚度之和。

3.根据权利要求2所述的氧化硅真空镀膜机，其特征在于，所述基材为塑料基材。

4.根据权利要求3所述的氧化硅真空镀膜机，其特征在于，所述塑料基材为PET、CPP以及OPP中的一种。

5.根据权利要求1所述的氧化硅真空镀膜机，其特征在于，所述氮气输送机构包括氮气输送管道以及设置于所述氮气输送管道上的第一控制阀，所述氮气输送管道的氮气输送口朝向所述蒸镀空间设置。

6.根据权利要求1所述的氧化硅真空镀膜机，其特征在于，所述氧气输送机构包括氧气输送管道以及设置于所述氧气输送管道上的第二控制阀，所述氧气输送管道的氧气输送口朝向所述蒸镀空间设置。

7.根据权利要求1所述的氧化硅真空镀膜机，其特征在于，所述蒸发口为收缩口，靠近所述收缩口的壳体的内径逐渐减小。

8.根据权利要求1所述的氧化硅真空镀膜机，其特征在于，所述加热单元的蒸发温度为1200℃～1600℃，所述镀膜鼓为低温镀膜鼓。

9.根据权利要求1所述的氧化硅真空镀膜机，其特征在于，所述一氧化硅蒸发源为条形。