CN206611397U - 一种延迟复位电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种延迟复位电路，包括高电平端电源VDD、电阻R23、电阻R31、电阻R32、电容C32、MOS管Q1、二极管D3、二极管D4、开关机键K2和复位接口；所述高电平端电源VDD与电阻R23的一端、电阻R31的一端、电阻R32的一端、二极管D4的一端连接，本实用新型延迟复位电路采用简单廉价的MOS管设计复位电路，利用CPU电源作为复位的触发电源，利用电子产品的开关机键作为复位的开关，复位电路可靠有效、成本低廉。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种控制电路，具体是一种延迟复位电路。
背景技术
随着电子技术迅猛的发展，随处可见智能机、MP3、智能手表、智能手环等电子产品，其中很大部分电子产品无法实现断电复位功能；为了能使产品在死机时可以复位重启，必须添加专门的复位电路，通常复位电路有以下几种方案：1、独立物理按键开关复位；2、增加复位芯片，复用开机键进行复位；3、软件看门狗复位。
对于第一种方案，需要产品在结构上额外开复位孔，这就影响了电子产品的整体美观，且额外的增加成本，尤其对于需要做防水设计的产品，这种方案更是不可行。对于第二种方案，是目前多数电子产品所使用的方案，但是需要增加额外的复位芯片，增加了电子产品的成本。第三种方案一般是在软件代码里使用软件看门狗形式，当电子产品死机时，放置一定时间，系统便会重启，这种方案虽然廉价却让用户面对死机无计可施，大大影响用户体验。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种延迟复位电路以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种延迟复位电路，包括高电平端电源VDD、电阻R23、电阻R31、电阻R32、电容C32、MOS管Q1、二极管D3、二极管D4、开关机键K2和复位接口；所述高电平端电源VDD与电阻R23的一端、电阻R31的一端、电阻R32的一端、二极管D4的一端连接，电阻R23的另一端与电容C32的一端、二极管D4的另一端、MOS管Q1的G极连接，电容C32的另一端和电阻R31的另一端、MOS管Q1的S极连接、二极管D3的一端连接，电阻R32的另一端与MOS管Q1的D极连接，二极管D3的另一端与开关机键K2一端连接，所述开关机键K2的另一端接地。
作为本实用新型进一步的方案：所述MOS管Q1为2SK3541型。
作为本实用新型进一步的方案：所述二极管D3 D4为RB520S-30TE61型号。
作为本实用新型进一步的方案：所述电容C32为10uF。
作为本实用新型进一步的方案：所述电阻R23为2M，所述电阻R31为1K，所述电阻R32为100K。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型延迟复位电路采用简单廉价的MOS管设计复位电路，利用CPU电源作为复位的触发电源，利用电子产品的开关机键作为复位的开关，复位电路可靠有效、成本低廉。
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型实施例中，一种延迟复位电路，包括高电平端电源VDD、电阻R23、电阻R31、电阻R32、电容C32、MOS管Q1、二极管D3、二极管D4、开关机键K2和复位接口；所述高电平端电源VDD与电阻R23的一端、电阻R31的一端、电阻R32的一端、二极管D4的一端连接，电阻R23的另一端与电容C32的一端、二极管D4的另一端、MOS管Q1的G极连接，电容C32的另一端和电阻R31的另一端、MOS管Q1的S极连接、二极管D3的一端连接，电阻R32的另一端与MOS管Q1的D极连接，二极管D3的另一端与开关机键K2一端连接，所述开关机键K2的另一端接地。
MOS管Q1为2SK3541型。二极管D3 D4为RB520S-30TE61型号。电容C32为10uF。电阻R23为2M，电阻R31为1K，电阻R32为100K。
本实用新型的工作原理是：当电子产品死机时，用户长按开关机键K2,接通开关机键K2；然后CPU电源VDD高电平端给电路供电；在VDD高电平端给电路供电的瞬间，电源VDD通过电阻R23给电容C32充电，通过D3到地；由于电容C32两端电压不会突变，致使MOS管Q1的G极处于低电平，MOS管Q1截止；当电容充电结束，电容C32两端电压达到MOS导通门限电压时，MOS管Q1导通，使得复位接口通过开关机键K2拉低到地，根据RC电路的时间常数τ=RC可知电容越大，电阻越大充电时间就越长，从而实现延迟复位的效果；当系统复位完成，开关机键K2松开，电容C32通过二极管D4，电阻R31形成放电回路，快速把电容C32两端的电荷消耗掉，为下次复位做准备；加上二极管D3,可以防止开机信号PWRKEY脚的上拉电平高过复位信号脚的上拉电平而产生的电流倒灌问题。
本实用新型所述的复位电路中，MOS管Q1为2SK3541型，二极管D3 D4为RB520S-30TE61型号，电容C32为10uF，电阻R23为2M，所述电阻R31为1K，所述电阻R32为100K。
本实用新型采用简单廉价的MOS管及阻容器件设计了可靠有效的复位电路，不需要在电子产品上额外开设复位孔，也不需要额外的复位芯片，成本低廉，可靠有效。
以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理，这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种延迟复位电路，包括高电平端电源VDD、电阻R23、电阻R31、电阻R32、电容C32、MOS管Q1、二极管D3、二极管D4、开关机键K2和复位接口；其特征在于，所述高电平端电源VDD与电阻R23的一端、电阻R31的一端、电阻R32的一端、二极管D4的一端连接，电阻R23的另一端与电容C32的一端、二极管D4的另一端、MOS管Q1的G极连接，电容C32的另一端和电阻R31的另一端、MOS管Q1的S极连接、二极管D3的一端连接，电阻R32的另一端与MOS管Q1的D极连接，二极管D3的另一端与开关机键K2一端连接，所述开关机键K2的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种延迟复位电路其特征在于，所述MOS管Q1为2SK3541型。
3.根据权利要求1所述的一种延迟复位电路其特征在于，所述二极管D3 D4为RB520S-30TE61型号。
4.根据权利要求1所述的一种延迟复位电路其特征在于，所述电容C32为10uF。
5.根据权利要求1所述的一种延迟复位电路其特征在于，所述电阻R23为2M，所述电阻R31为1K，所述电阻R32为100K。
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| CN201720350961.4U CN206611397U (zh) | 2017-04-06 | 2017-04-06 | 一种延迟复位电路 |
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| CN (1) | CN206611397U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112234966A (zh) * | 2020-11-03 | 2021-01-15 | 深圳佑驾创新科技有限公司 | 复位电路 |
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2017
- 2017-04-06 CN CN201720350961.4U patent/CN206611397U/zh not_active Expired - Fee Related
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