CN206575335U - 一种封口机电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种封口机电路，包括电流镇流器、高频变压器T和发热丝RT，所述高频变压器T设有辅助绕组L1、初级绕组L2、辅助绕组L3和次级绕组L4，所述辅助绕组L1、初级绕组L2和辅助绕组L3分别连接在所述电流镇流器的输出端上，所述电流镇流器的输入端连接在市电上，所述发热丝RT的两端连接在所述次级绕组L4上。本实用新型采用高频变压器，由于高频变压器相比于工频铁芯变压器质量轻、体积小、电能转换效率高，这样就使得本实用新型一种封口机电路质量轻、体积小、电能转换效率高。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种封口机，具体的涉及一种封口机电路。
背景技术
现市场上现有封口机电路结构方案通常都是交流电源220V经过封口机的定时器后进入工频铁芯变压器连接发热丝，在封口操作时经过微动压力开关接通过工频铁芯变压器，交流电源220V经过工频铁芯变压器输出(20-30V50HZ低压交流电，利用输出的交流电加热发热丝，在操作时定时电路切断工频铁芯变压器220V供电电源，至此完成一个操作过程。但是，由于工频铁芯变压器质量大、体积大、效率低，这就造成了现有的封口机庞大笨重、电能转换效率低。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种质量轻、体积小和效率高的封口电路。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种封口机电路，包括电流镇流器、高频变压器T和发热丝RT，所述高频变压器T设有辅助绕组L1、初级绕组L2、辅助绕组L3和次级绕组L4，所述辅助绕组L1、初级绕组L2和辅助绕组L3分别连接在所述电流镇流器的输出端上，所述电流镇流器的输入端连接在市电上，所述发热丝RT的两端连接在所述次级绕组L4上。
本实用新型的有益效果是：本实用新型采用高频变压器，由于高频变压器相比于工频铁芯变压器质量轻、体积小、电能转换效率高，这样就使得本实用新型一种封口机电路质量轻、体积小、电能转换效率高。
在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
进一步，所述高频变压器T为EE40型号的高频变压器。
进一步，所述电流镇流器包括二极管D1-D4、电阻R1-R7、电容C1-C5、稳压管D5-D6、双向触发管D7和场效应晶体管Q1-Q2，所述二极管D1的负极和二极管D3的正极连接在市电的一端上，所述二极管D2的负极和二极管D4的正极连接在市电的另一端上，所述二极管D1的正极与二极管D2的正极相连，所述二极管D3的负极与二极管D4的负极相连，所述电阻R1的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端相连，所述电阻R2的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述电容C1的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电容C1的另一端与所述电容C2的一端相连，所述电容C2的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述电阻R1和电阻R2的公共端与所述电容C1和电容C2的公共端相连，所述电容C3的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电容C3的另一端与所述电阻R3的一端相连，所述电阻R3的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述场效应晶体管Q1的源极连接在所述二极管D1的正极上，所述场效应晶体管Q1的漏极与所述场效应晶体管Q2的源极相连，所述场效应晶体管Q2的漏极连接在所述二极管D4的负极上，所述电阻R4的两端分别连接在所述场效应晶体管Q1的源极与漏极之间，所述电阻R5的两端分别连接在所述场效应晶体管Q2的源极与漏极之间，所述稳压管D5的正极连接在所述场效应晶体管Q1的源极上，所述稳压管D5的负极连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述稳压管D6的正极连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述稳压管D6的负极连接在所述场效应晶体管Q2的栅极上，所述电容C4的一端连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述电容C4的另一端连接在所述电阻R6的一端上，所述R6的另一端与所述辅助绕组L1的一端相连，所述辅助绕组L1的另一端连接在所述场效应晶体管Q1的源极上，所述电容C5的一端连接在所述场效应晶体管Q2的栅极上，所述电容C5的另一端连接在所述电阻R7的一端上，所述R7的另一端与所述辅助绕组L3的一端相连，所述辅助绕组L3的另一端连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述双向触发管D7的一端连接在所述电容C3与所述电阻R3之间的公共端上，所述双向触发管D7的另一端连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述初级绕组L2的一端连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述初级绕组L2的另一端连接在所述电容C1与电容C2之间的公共端上。
进一步，所述双向触发管D7为DB3型号的双向触发管。
附图说明
图1为本实用新型一种封口机电路的电路结构图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示，一种封口机电路，包括电流镇流器、高频变压器T和发热丝RT，所述高频变压器T设有辅助绕组L1、初级绕组L2、辅助绕组L3和次级绕组L4，所述辅助绕组L1、初级绕组L2和辅助绕组L3分别连接在所述电流镇流器的输出端上，所述电流镇流器的输入端连接在市电上，所述发热丝RT的两端连接在所述次级绕组L4上。
在本具体实施例中：所述高频变压器T为EE40型号的高频变压器。所述电流镇流器包括二极管D1-D4、电阻R1-R7、电容C1-C5、稳压管D5-D6、双向触发管D7和场效应晶体管Q1-Q2，所述二极管D1的负极和二极管D3的正极连接在市电的一端上，所述二极管D2的负极和二极管D4的正极连接在市电的另一端上，所述二极管D1的正极与二极管D2的正极相连，所述二极管D3的负极与二极管D4的负极相连，所述电阻R1的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端相连，所述电阻R2的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述电容C1的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电容C1的另一端与所述电容C2的一端相连，所述电容C2的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述电阻R1和电阻R2的公共端与所述电容C1和电容C2的公共端相连，所述电容C3的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电容C3的另一端与所述电阻R3的一端相连，所述电阻R3的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述场效应晶体管Q1的源极连接在所述二极管D1的正极上，所述场效应晶体管Q1的漏极与所述场效应晶体管Q2的源极相连，所述场效应晶体管Q2的漏极连接在所述二极管D4的负极上，所述电阻R4的两端分别连接在所述场效应晶体管Q1的源极与漏极之间，所述电阻R5的两端分别连接在所述场效应晶体管Q2的源极与漏极之间，所述稳压管D5的正极连接在所述场效应晶体管Q1的源极上，所述稳压管D5的负极连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述稳压管D6的正极连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述稳压管D6的负极连接在所述场效应晶体管Q2的栅极上，所述电容C4的一端连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述电容C4的另一端连接在所述电阻R6的一端上，所述R6的另一端与所述辅助绕组L1的一端相连，所述辅助绕组L1的另一端连接在所述场效应晶体管Q1的源极上，所述电容C5的一端连接在所述场效应晶体管Q2的栅极上，所述电容C5的另一端连接在所述电阻R7的一端上，所述R7的另一端与所述辅助绕组L3的一端相连，所述辅助绕组L3的另一端连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述双向触发管D7的一端连接在所述电容C3与所述电阻R3之间的公共端上，所述双向触发管D7的另一端连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述初级绕组L2的一端连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述初级绕组L2的另一端连接在所述电容C1与电容C2之间的公共端上。所述双向触发管D7为DB3型号的双向触发管。
本实用新型一种封口机电路的工作原理为：二极管D1-D4构成桥式整流电路，220V的交流市电经过二极管D1-D4的整流后变成约300V的直流电；电容C1和电容C2串联滤波，并在电容C1和电容C2中间点产生半压中心点；电阻R3、电容C3和双向触发管D7组成触发器电路，300V的直流电压通过电阻R3对电容C3充电；当电容C3的电压达到双向触发管D7的导通电压30V时，双向触发管D7导通，双向触发管D7导通则触发场效应晶体管Q1导通；此时，场效应晶体管Q1先导通，电容C1依次通过高频变压器T的初级绕组L2和场效应晶体管Q1放电，同时还对电容C2充电；电容C1放电停止后场效应晶体管Q1截止关闭，同时高频变压器T的辅助绕组L3感应出驱动场效应晶体管Q2(高位MOSFET)的电压，使场效应晶体管Q2导通；场效应晶体管Q2导通后，电容C2依次通过场效应晶体管Q2和高频变压器T的初级绕组L2放电，同时场效应晶体管Q2对电容C1充电，电容C2放电结束后场效应晶体管Q2关闭，高频变压器T的辅助绕组L1感应出驱动场效应晶体管Q1的电压，使场效应晶体管Q1再次导通，重复以上步骤，这样就可以在高频变压器T的初级绕组L2上形成震荡磁场，并在高频变压器T的次级绕组L4上感应出低压大电流电源给发热丝RT供电，发热丝发热，实现封口机的封口功能。
本实用新型采用高频变压器，本实用新型采用高频变压器，由于高频变压器相比于工频铁芯变压器质量轻、体积小、电能转换效率高，这样就使得本实用新型一种封口机电路质量轻、体积小、电能转换效率高。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种封口机电路，其特征在于：包括电流镇流器、高频变压器T和发热丝RT，所述高频变压器T设有辅助绕组L1、初级绕组L2、辅助绕组L3和次级绕组L4，所述辅助绕组L1、初级绕组L2和辅助绕组L3分别连接在所述电流镇流器的输出端上，所述电流镇流器的输入端连接在市电上，所述发热丝RT的两端连接在所述次级绕组L4上。
2.根据权利要求1所述的一种封口机电路，其特征在于：所述高频变压器T为EE40型号的高频变压器。
3.根据权利要求1或2所述的一种封口机电路，其特征在于：所述电流镇流器包括二极管D1-D4、电阻R1-R7、电容C1-C5、稳压管D5-D6、双向触发管D7和场效应晶体管Q1-Q2，所述二极管D1的负极和二极管D3的正极连接在市电的一端上，所述二极管D2的负极和二极管D4的正极连接在市电的另一端上，所述二极管D1的正极与二极管D2的正极相连，所述二极管D3的负极与二极管D4的负极相连，所述电阻R1的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端相连，所述电阻R2的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述电容C1的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电容C1的另一端与所述电容C2的一端相连，所述电容C2的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述电阻R1和电阻R2的公共端与所述电容C1和电容C2的公共端相连，所述电容C3的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电容C3的另一端与所述电阻R3的一端相连，所述电阻R3的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述场效应晶体管Q1的源极连接在所述二极管D1的正极上，所述场效应晶体管Q1的漏极与所述场效应晶体管Q2的源极相连，所述场效应晶体管Q2的漏极连接在所述二极管D4的负极上，所述电阻R4的两端分别连接在所述场效应晶体管Q1的源极与漏极之间，所述电阻R5的两端分别连接在所述场效应晶体管Q2的源极与漏极之间，所述稳压管D5的正极连接在所述场效应晶体管Q1的源极上，所述稳压管D5的负极连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述稳压管D6的正极连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述稳压管D6的负极连接在所述场效应晶体管Q2的栅极上，所述电容C4的一端连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述电容C4的另一端连接在所述电阻R6的一端上，所述R6的另一端与所述辅助绕组L1的一端相连，所述辅助绕组L1的另一端连接在所述场效应晶体管Q1的源极上，所述电容C5的一端连接在所述场效应晶体管Q2的栅极上，所述电容C5的另一端连接在所述电阻R7的一端上，所述R7的另一端与所述辅助绕组L3的一端相连，所述辅助绕组L3的另一端连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述双向触发管D7的一端连接在所述电容C3与所述电阻R3之间的公共端上，所述双向触发管D7的另一端连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述初级绕组L2的一端连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述初级绕组L2的另一端连接在所述电容C1与电容C2之间的公共端上。
4.根据权利要求3所述的一种封口机电路，其特征在于：所述双向触发管D7为DB3型号的双向触发管。
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