CN206564918U - 一种植物处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种植物处理装置。本实用新型提供的植物处理装置由至少一个培养单元组成，每一个培养单元包括支架和可拆卸的放置在支架上的培养板(3)；所述培养板上贯通设置有若干培育腔(4)；所述培育腔为仅有侧壁的通腔体。采用本实用新型提供的植物处理装置进行鉴定植物苗期耐冷性实验，具有低成本、易操作等特点，可协助科研顺利进行，对于植物学、植物生理学及分子生物学提供一定的帮助，适于大量推广应用。

Description

一种植物处理装置

技术领域

本实用新型涉及一种植物处理装置。

背景技术

温度对植物生长具有重要的影响。目前全球气候变化异常，极端气候发生频繁，低温冷害严重影响了农作物的农业生产活动。

水稻是世界三大粮食作物之一，我国60％以上人口以水稻为主粮。因水稻起源于热带和亚热带地区，相对于其它谷物，较易受到低温冷害的影响。水稻的芽期、苗期、孕穗期、开花期和灌浆期等不同生长发育时期，都可能发生低温冷害，其中苗期和孕穗期的冷害胁迫对水稻的农业生产影响尤其严重。目前，鉴定水稻苗期的耐冷性一般在人工气候室或培养箱中进行低温处理，但都存在着一些不足：人工气候室占地面积较大，实现较低温度制冷比较困难，难以进行长时间的鉴定植物苗期耐冷性实验；培养箱中进行低温处理，因受培养箱体积和密封性等影响，存在处理温度不稳定和效率低的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种植物处理装置。

本实用新型提供的植物处理装置，由至少一个培养单元组成；每一个培养单元包括支架和可拆卸的放置在支架上的培养板3；所述培养板上贯通设置有若干培育腔4；所述培育腔为仅有侧壁的通腔体。

所述植物处理装置可为对植物生长点进行处理的装置。

所述植物处理装置具体可为对植物生长点及以下部分进行低温处理的装置。

所述低温可为18℃以下。所述低温具体可为4±0.2℃。

所述培育腔可为仅有侧壁的倒圆台状通腔体。

所述培育腔的上底面直径可为4.0-8.0mm、下底面直径可为1.0-4.0mm、高度可为18.0-24.0mm。

所述培育腔的上底面直径具体可为6.0mm、下底面直径具体可为2.5mm、高度具体可为21.0mm。

所述培育腔的下底面距用于放置植物处理装置的水平面的垂直距离可为12.0-20.0cm。

所述培育腔的下底面距用于放置植物处理装置的水平面的垂直距离具体可为15cm。

所述支架可由n个侧板1组成；n为2以上的自然数；

n为2时，第1个侧板的内侧面上部具有一条水平凹槽2，第2个侧板的内侧面上部在相应的位置具有一条水平凹槽(即两个侧板上的水平凹槽互为镜像)；

n为3时，第1个侧板的内侧面上部具有一条水平凹槽，第2个侧板的两个侧面上部在相应的位置各具有一条水平凹槽，第3个侧板的内侧面上部在相应的位置具有一条水平凹槽(即每相邻两个侧板上相对的水平凹槽互为镜像)；

n为4以上的自然数时，第1个侧板的内侧面上部具有一条水平凹槽，第2个侧板直至第n-1个侧板均在两个侧面上部在相应的位置各具有一条水平凹槽，第n个侧板的内侧面上部在相应的位置具有一条水平凹槽(即每相邻两个侧板上相对的水平凹槽互为镜像)；

每个培养板，一端插设于某个侧板的水平凹槽中，另一端插设于与该侧板相邻的侧板上的与该水平凹槽相对的水平凹槽中。

n为2时，植物处理装置的纵切结构示意图见图1。

n为3时，植物处理装置的纵切结构示意图见图2。

n为4时，植物处理装置的纵切结构示意图见图3。

n为2时，植物处理装置的俯视图见图4。两个侧板之间插设有两个培养板。

n为3时，植物处理装置的俯视图见图5。第1个侧板和第2个侧板之间插设有两个培养板，第2个侧板和第3个侧板支架插设有一个培养板。

n为4时，植物处理装置的俯视图见图6。第1个侧板和第2个侧板之间插设有两个培养板，第2个侧板和第3个侧板支架插设有一个培养板，第3个侧板和第4个侧板之间插设有三个培养板。

所述侧板的内侧面水平凹槽的上方可设置有若干缺刻区域，便于从缺刻区域插入培养板从而将培养板插设于凹槽中(缺刻区域的纵切结构示意图见图7)。

所述植物处理装置还可包括用于连接固定相邻侧板的固定部件。

所述固定部件可为连接固定相邻侧板的横杆或横板。在不影响培养板放置的前提下，可以位于相邻侧板的任意位置。

所述培养板上以均匀的方式贯通设置有若干培育腔。

每个培育腔与相邻培育腔的边缘距离可为0.5-1.0cm。每个培育腔与相邻培育腔的边缘距离具体可为0.6cm。

本实用新型还提供了一种植物处理系统。本实用新型提供的植物处理系统包括上述任一所述的植物处理装置以及与所述支架的形状和大小匹配的水浴仪器。

所述水浴仪器可为按照中国专利申请号为201620970857.0的实用新型专利的实施例制备的低温水浴箱或杭州三浦精密仪器有限公司生产的型号为HK1104的低温恒温液浴槽。

本实用新型的优点如下：

(1)温度稳定，可进行长时间的鉴定植物苗期耐冷性实验；

(2)可根据植物生长时期的不同及生长点的不同更换支架的高度，从而节约空间和水分；

(3)在进行植物抗逆性研究中，可以方便地将培养板拿起来进行观察，统计侧根数、测量主根长等等，而不会影响植物的正常生长；

(4)可以方便的对植物进行各种化学物质(如ABA、NaCl、PEG等)处理。

本实用新型提供了一种植物处理装置。采用本实用新型提供的植物处理装置对植物进行处理，具有低成本、易操作等特点，可协助科研顺利进行，对于植物学、植物生理学及分子生物学提供一定的帮助，适于大量推广应用。

附图说明

图1为植物处理装置的纵切结构示意图。

图2为植物处理装置的纵切结构示意图。

图3为植物处理装置的纵切结构示意图。

图4为植物处理装置的俯视图。

图5为植物处理装置的俯视图。

图6为植物处理装置的俯视图。

图7为植物处理装置的纵切结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本实用新型进行进一步的详细描述，给出的实施例仅为了阐明本实用新型，而不是为了限制本实用新型的范围。

下述实施例中的实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。

下述实施例中所用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。

水稻广陆矮4号记载于如下文献中：黄雨辰.使用水稻广陆矮4号10k cdna芯片进行籼粳稻表达谱差异研究[D].上海：上海交通大学硕士学位论文，2007.。水稻广陆矮4号为典型的籼稻品种，耐冷性弱。在下文中，水稻广陆矮4号简称GLA4。

水稻日本晴记载于如下文献中：连玲，何炜等.水稻日本晴IPA1cDNA的克隆及植物过表达载体的构建[J].福建农业学报，2012，27(9):913-918.。水稻日本晴为典型的粳稻品种，耐冷性强。在下文中，水稻日本晴简称NIP。

C32069和C32001均记载于如下文献中：王军等.基于染色体单片段代换系的水稻粒形QTL定位[J].作物学报，2013，39(4)：617-625.。C32069和C32001均是以GLA4为受体材料，NIP为供体材料经过多轮回交而形成的单片段代换株系。

木村B培养液记载与如下文献中：Ma JF，Goto S，Tamai K，Ichii M.Role of roothairs and lateral roots in silicon uptake by rice.Plant Physiol.2001；127：1773-1780)，其配方详见表1，pH值为5.6。

表1

实施例1、植物处理装置的制备

制备植物处理装置。植物处理装置包括支架、培养板和固定部件。支架由5个侧板1组成；第1个侧板的内侧面上部具有一条水平凹槽，第2个侧板直至第4个侧板均在两个侧面上部在相应的位置各具有一条水平凹槽，第5个侧板的内侧面上部在相应的位置具有一条水平凹槽(即每相邻两个侧板上相对的水平凹槽互为镜像)。每两个侧板之间插设一个培养板，每个培养板一端插设于某个侧板的水平凹槽中，另一端插设于与该侧板相邻的侧板上的与该水平凹槽相对的水平凹槽中。每个培养板上以均匀的方式贯通设置96个培育腔4，培育腔为仅有侧壁的倒圆台状通腔体，上底面直径为6.0mm、下底面直径为2.5mm、高度为21.0mm，每个培育腔与相邻培育腔的边缘距离为0.6cm，培育腔的下底面距用于放置植物处理装置的水平面的垂直距离为15cm。相邻侧板之间通过连接固定部件(横杆)连接。

实施例2、采用植物处理装置鉴定低温胁迫下水稻苗期耐冷性

采用实施例1制备的植物处理装置鉴定低温胁迫下水稻苗期耐冷性。

本实施例中的低温水浴箱按照中国专利申请号为201620970857.0的实用新型专利的实施例制备。

待测水稻品种为GLA4、NIP、C32069或C32001。

实验重复三次，每次重复的步骤如下：

一、催芽

1、取待测水稻品种的饱满种子150粒，分装种子于牛皮纸袋中，进行浸种，28℃―30℃浸种48h。

2、完成步骤1后，28℃―30℃催芽24h(催芽过程中需保持种子湿润)，获得已催芽的种子，然后挑选胚芽长度基本一致的已催芽的种子备用。

二、三叶期阶段的幼苗的获得

1、取植物处理装置的培养板，将步骤一中2挑选的32粒已催芽的种子，每粒已催芽的种子胚芽向上、胚根向下的放置于培养板的1个培育腔中。

2、完成步骤1后，将所述培养板(其上有已催芽的种子)置于盛有木村B培养液的塑料盒上并使已催芽的种子浸于木村B培养液，光暗交替培养15d(具体条件为：光暗交替培养的周期为：光照时间为10h，黑暗时间14h；光照强度为31000―35000Lux(具体由植物补光灯NL-400/230GN1A提供光照)；光暗交替培养的温度为：光照温度为28℃，黑暗温度为25℃；相对湿度60％―70％)，得到生长至三叶期阶段的幼苗。光暗交替培养期间，每隔7天需更换木村B培养液。

三、低温处理

1、取植物处理装置的支架，置于低温水浴箱，然后注入水。

2、完成步骤1后，将低温水浴箱开启预冷，使水温恒定至4±0.2℃。

3、完成步骤2后，将完成步骤二的所述培养板(其上有生长至三叶期阶段的幼苗)的一端插设于一个侧板的水平凹槽中，另一端插设于与该侧板相邻的侧板上的与该水平凹槽相对的水平凹槽中，20℃光暗交替培养36h(具体条件为：光暗交替培养的周期为：光照时间为10h，黑暗时间14h；光照强度为1200―1500Lux(具体由Philips GreenPower LEDProduction Module Deep Red/Blue提供光照)；相对湿度55％―65％)。处理过程中，水面高于幼苗的茎部生长点(即水面高于幼苗根茎结合部3cm)；整个处理过程中幼苗均处于直立状态。

四、恢复

将完成步骤三的所述培养板(其上有经过低温处理的幼苗)置于盛有木村B培养液的塑料盒上并使根部浸于木村B培养液，28℃光暗交替培养7d(具体条件为：光暗交替培养的周期为：光照时间为10h，黑暗时间14h；光照强度为31000―35000Lux(具体由植物补光灯NL-400/230GN1A提供光照)；光暗交替培养的温度为：光照温度为28℃，黑暗温度为25℃；相对湿度60％―70％)。

观察完成步骤四后幼苗的生长状态并统计幼苗的存活率(存活率＝存活的幼苗数/总幼苗数×100％)。幼苗存活的判断标准为：如果幼苗的心叶枯黄、则幼苗死亡，如果幼苗的心叶不枯黄、则幼苗存活。

结果表明，低温处理36h后，GLA4的存活率仅为3％，NIP的存活率为100％，二者达到显著差异。这一实验结果与预期实验结果(即粳稻的耐冷性高于籼稻)完全一致。

结果还表明，低温处理36h后，C32069和GLA4的存活率无显著差异，可见C32069中来自于NIP的片段不具有耐冷性；C32001和GLA4的存活率达到显著差异，可见C32001中来自于NIP的片段具有耐冷性，其存在耐冷QTL位点，C32001可作为候选的耐冷品种进行深入的研究。

因此，采用实施例1制备的植物处理装置可鉴定低温胁迫下水稻苗期耐冷性，该植物处理装置在筛选植物耐冷品种中的具有重要的应用价值。

按照上述方法，将低温水浴箱替换为杭州三浦精密仪器有限公司生产的型号为HK1104的低温恒温液浴槽，其它步骤均不变，从而鉴定低温胁迫下水稻苗期耐冷性。实验结果与采用低温水浴箱获得的实验结果基本一致。

Claims (9)

1.一种植物处理装置，其特征在于：该装置由至少一个培养单元组成，每一个培养单元包括支架和可拆卸的放置在支架上的培养板（3）；所述培养板上贯通设置有若干培育腔（4）；所述培育腔为仅有侧壁的通腔体；所述培育腔的上底面直径为4.0-8.0mm、下底面直径为1.0-4.0mm、高度为18.0-24.0mm。

2.如权利要求1所述的植物处理装置，其特征在于：所述培育腔为仅有侧壁的倒圆台状通腔体。

3.如权利要求1或2所述的植物处理装置，其特征在于：所述培育腔的上底面直径为6.0mm、下底面直径为2.5mm、高度为21.0mm。

4.如权利要求1或2所述的植物处理装置，其特征在于：所述培育腔的下底面距用于放置植物处理装置的水平面的垂直距离为12-20cm。

5.如权利要求4所述的植物处理装置，其特征在于：所述培育腔的下底面距用于放置植物处理装置的水平面的垂直距离为15cm。

6.如权利要求1或2所述的植物处理装置，其特征在于：所述支架由n个侧板（1）组成；n为2以上的自然数；

n为2时，第1个侧板的内侧面上部具有一条水平凹槽（2），第2个侧板的内侧面上部在相应的位置具有一条水平凹槽；

n为3时，第1个侧板的内侧面上部具有一条水平凹槽，第2个侧板的两个侧面上部在相应的位置各具有一条水平凹槽，第3个侧板的内侧面上部在相应的位置具有一条水平凹槽；

n为4以上的自然数时，第1个侧板的内侧面上部具有一条水平凹槽，第2个侧板直至第n-1个侧板均在两个侧面上部在相应的位置各具有一条水平凹槽，第n个侧板的内侧面上部在相应的位置具有一条水平凹槽；

每个培养板，一端插设于某个侧板的水平凹槽中，另一端插设于与该侧板相邻的侧板上的与该水平凹槽相对的水平凹槽中。

7.如权利要求6所述的植物处理装置，其特征在于：所述植物处理装置还包括用于连接固定相邻侧板的固定部件。

8.如权利要求1或2所述的植物处理装置，其特征在于：所述培养板上以均匀的方式贯通设置有若干培育腔。

9.一种植物处理系统，包括权利要求1至8任一所述的植物处理装置以及与所述支架的形状和大小匹配的水浴仪器。