CN206533026U - 一种基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，包括泵浦源、光学耦合系统、Nd：YVO4晶体、全反镜、LBO倍频晶体和输出镜，所述Nd:YVO4晶体的长度为3mm，并且前端面镀808nmAR/1064&532nmHR膜，另一面镀1064nm&532nmAR膜；所述泵浦源发出的激光通过光学耦合系统耦合至增益介质Nd:YVO4晶体上，所述输出镜放置在Nd:YVO4晶体后面。本实用新型采用新型折叠谐振腔结构，使得激光器的结构设计简单、系统体积小、坚固，并且能够节约成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及激光器技术领域，尤其涉及一种基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器。
背景技术
532nm固体激光器由于具有光束质量高，功率稳定，结构紧凑，使用寿命长等优点而被广泛用于拉曼光谱，光谱分析，光谱定标，荧光激发，微光检查，激光演示，激光电视，PIV，激光测量及检测，激光彩印，激光探测，激光医疗等领域。产生527nm脉冲激光器输出通常是采用声光调制的方式实现脉冲输出，但是采用声光调Q，使激光器的设计复杂、稳定性差且成本高。
实用新型内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器。
本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：
本实用新型包括泵浦源、光学耦合系统、Nd：YVO4晶体、全反镜、LBO倍频晶体和输出镜，所述Nd:YVO4晶体的长度为3mm，并且前端面镀808nmAR/1064&532nmHR膜，另一面镀1064nm&532nmAR膜；所述泵浦源发出的激光通过光学耦合系统耦合至增益介质Nd:YVO4晶体上，所述输出镜放置在Nd:YVO4晶体后面；所述LBO晶体两端镀1064nm@532nmAR膜，实现1064nm激光向532nm的频率转换，放置在折叠谐振腔的另一个臂上，所述Nd:YVO4晶体及LBO倍频晶体周围分别设置紫铜散热装置，所述紫铜散热装置分别紧贴Nd:YVO4晶体及LBO倍频晶体周围设置，最后经过输出镜输出532nm绿光激光。
本实用新型优选的，所述Nd:YVO4晶体通过调整制冷器温控电流使所述泵浦源的发射波长为808.5nm，与Nd:YVO4晶体的吸收峰相匹配。
本实用新型优选的，所述光学耦合系统采用非球面透镜。
本实用新型优选的，所述全反镜为平凹镜，其凹面的曲率半径为100mm，镀1064nm&532nmHR膜。
本实用新型优选的，所述LBO晶体长度为10mm。
本实用新型优选的，所述输出镜为平凹镜，其凹面的曲率半径为50mm，镀1064nmHR/532nmAR膜，平面镀532nmAR膜。
本实用新型的有益效果在于：
本实用新型采用新型折叠谐振腔结构，使得激光器的结构设计简单、系统体积小、坚固，并且能够节约成本。
附图说明
图1是本实用新型所述一种基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明：
如图1所示：本实用新型公开了一种基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，包括泵浦源1、光学耦合系统2、Nd:YVO4晶体3、输出镜4、全反镜5、LBO倍频晶体6，所述Nd:YVO4晶体3，其前端面镀808nmAR/1064nm&532nmHR膜，其中AR表示减反膜，HR表示高反膜，对808nm的激光透过率大于95%以上，对1064nm的激光反射率为99.8%以上，对532nm的激光反射率大于95%以上，作为谐振腔的一个镜面，另一面镀1064nmAR膜，对1064nm的激光的剩余反射率R<0.2%，其长度为3mm；通过调整制冷器的制冷电流，使所述泵浦源1发出波长为808.5nm的激光，与Nd:YVO4晶体的吸收峰相匹配，并通过光学耦合系统2耦合至Nd:YVO4晶体3上；在Nd:YVO4晶体后面放置输出镜4，在谐振腔的另一个臂上放置全反镜5，1064nm激光通过输出镜反射到全反镜上，在全反镜后面放置LBO倍频晶体6，LBO倍频晶体长度为10mm，LBO晶体两端面镀1064nm&532nmAR膜，对1064nm、532nm的激光透过率为99%以上，1064nm激光通过全反镜反射到LBO晶体上，实现1064nm倍频至532nm的激光频率转换，最终实现532nm的绿光激光通过输出镜输出。
所述光学耦合系统2采用非球面透镜，曲率半径为10mm，焦距为10mm，实现激光器的结构设计简单、系统体积小；所述Nd:YVO4晶体3及LBO倍频晶体6的非入光面及出光面的表面包裹铟膜，然后周围分别设置紫铜散热装置（图中未示出），所述紫铜散热装置分别紧贴Nd:YVO4晶体3及LBO倍频晶体6周围设置，对所述Nd:YVO4晶体3及LBO倍频晶体6进行散热。
综上所述，本实用新型采用新型折叠谐振腔结构，使得激光器的结构设计简单、系统体积小、坚固，并且能够节约成本。
本领域技术人员不脱离本实用新型的实质和精神，可以有多种变形方案实现本实用新型，以上所述仅为本实用新型较佳可行的实施例而已，并非因此局限本实用新型的权利范围，凡运用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变化，均包含于本实用新型的权利范围之内。
Claims (6)
1.一种基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：包括泵浦源、光学耦合系统、Nd：YVO4晶体、全反镜、LBO倍频晶体和输出镜，所述Nd:YVO4晶体的长度为3mm，并且前端面镀808nmAR/1064&532nmHR膜，另一面镀1064nm&532nmAR膜；所述泵浦源发出的激光通过光学耦合系统耦合至增益介质Nd:YVO4晶体上，所述输出镜放置在Nd:YVO4晶体后面；所述LBO晶体两端镀1064nm@532nmAR膜，实现1064nm激光向532nm的频率转换，放置在折叠谐振腔的另一个臂上，所述Nd:YVO4晶体及LBO倍频晶体周围分别设置紫铜散热装置，所述紫铜散热装置分别紧贴Nd:YVO4晶体及LBO倍频晶体周围设置，最后经过输出镜输出532nm绿光激光。
2.根据权利要求1所述的基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：所述Nd:YVO4晶体通过调整制冷器温控电流使所述泵浦源的发射波长为808.5nm，与Nd:YVO4晶体的吸收峰相匹配。
3.根据权利要求1所述的基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：所述光学耦合系统采用非球面透镜。
4.根据权利要求1所述的基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：所述全反镜为平凹镜，其凹面的曲率半径为100mm，镀1064nm&532nmHR膜。
5.根据权利要求1所述的基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：所述LBO晶体长度为10mm。
6.根据权利要求1所述的基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：所述输出镜为平凹镜，其凹面的曲率半径为50mm，镀1064nmHR/532nmAR膜，平面镀532nmAR膜。
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| CN201720043273.3U CN206533026U (zh) | 2017-01-13 | 2017-01-13 | 一种基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206533026U true CN206533026U (zh) | 2017-09-29 |
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ID=59920858
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| CN201720043273.3U Active CN206533026U (zh) | 2017-01-13 | 2017-01-13 | 一种基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器 |
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| CN (1) | CN206533026U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109142300A (zh) * | 2018-09-15 | 2019-01-04 | 海南师范大学 | 一种Y型228nm激光发射装置 |
| CN113540947A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-10-22 | 苏州英谷激光有限公司 | 一种双晶体高功率绿光固体激光器 |
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2017
- 2017-01-13 CN CN201720043273.3U patent/CN206533026U/zh active Active
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