CN206505896U - 一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，属于半导体工艺生产技术领域，装置包括散热器和凹凸锥形瓶，散热器内部中空，散热器内部设有风扇，散热器顶部设有凹凸板，凹凸板表面设有凸条，凹凸锥形瓶底部设有凹槽，凸条与凹槽匹配连接；凹凸锥形瓶顶部设有倒液出口和倒液入口。本实用新型采用凹凸锥形瓶增大散热面积和散热器加速散热，避免锥形瓶底部局部过热产生爆炸；通过不同瓶口添加试剂避免腐蚀溶液迸溅出来伤害操作者，即方便操作又安全的特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，属于半导体工艺生产技术领域。
背景技术
半导体IC制程及LED和LD工艺制程主要以离子注入、扩散、外延生长及光刻四项基础工艺为基础逐渐发展起来，由于在集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成；在LED和LD制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，对产品光电参数产生重要影响。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，半导体工艺制造步骤如高温扩散、离子植入前、蒸镀前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。
在半导体清洗过程中会使用到大量的如烧杯、花架等玻璃器皿，因此所使用的玻璃器皿清洁与否，直接影响到工艺质量，往往由于器皿的不清洁或被污染而导致较大的工艺质量波动，因此，工艺用玻璃器皿洗涤清洁工作是十分重要的基本操作，是做好产品的前提。
玻璃器皿的清洗方法有很多，最常用的是重铬酸钾：水：硫酸＝1：2：20配方的铬酸洗液，去污效果最好。但在玻璃洗液配置过程中会产生大量的热且容易迸溅，比较危险，配置过程中一方面由于锥形瓶局部热量猛增而引起爆炸，另一方面温度太高，水会蒸发损失，造成比例失调，影响清洗效果。常用的铬酸玻璃洗液的装置是烧杯或平底锥形瓶，这两种装置不易散热且操作不安全，这些不足对操作者安全构成威胁。
实用新型内容
针对现有技术的不足，本实用新型提供一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，提供了即能加速散热又方便操作且能避免迸溅出来的装置,确保操作者操作方便安全。
本实用新型的技术方案如下：
一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，包括散热器和凹凸锥形瓶，散热器内部中空，散热器内部设有风扇，散热器顶部设有凹凸板，凹凸板表面设有凸条，凹凸锥形瓶底部设有凹槽，凸条与凹槽匹配连接；凹凸锥形瓶顶部设有倒液出口和倒液入口。
根据本实用新型优选的，凹凸板为铝制成的凹凸板。使装置轻便且散热性优良。
根据本实用新型优选的，凸条为矩形长方体，凹槽为矩形槽，凸条和凹槽的边棱均倒圆角。避免瓶体底部内壁产生清理死角，清理更彻底。
根据本实用新型优选的，倒液出口和倒液入口相对设于凹凸锥形瓶两侧，倒液出口设有中空圆柱管，倒液入口设有中空锥管。倒液出口和倒液入口的口径不同，倒液入口的开口口径较大，方便将配液倒入凹凸锥形瓶内；倒液出口口径相同，可使配液倒出时保持平稳。
根据本实用新型优选的，凸条与凹凸板活动连接，凹凸板表面设有导轨，凸条底部设有导片，导片与导轨匹配连接。使本装置通过选择凸条的数量和分布，可适应大小不同口径的锥形瓶。
本实用新型的有益效果在于：
本实用新型采用凹凸锥形瓶增大散热面积和风扇铝板散热器加速散热，避免锥形瓶底部局部过热产生爆炸；通过锥形瓶两个不同瓶口添加试剂、倒出试剂，避免腐蚀溶液迸溅出来伤害操作者，即方便操作又安全。
附图说明
图1是本实用新型的整体结构示意图。
图2是本实用新型的散热器示意图。
图3是本实用新型的凹凸锥形瓶示意图。
图4是本实用新型凸条与凹凸板活动连接示意图。
其中，1、倒液出口，2、倒液入口，3、凹凸锥形瓶，4、风扇，5、凹凸板，5-1、凸条，5-2、导轨，5-3、导片，6、散热器。
具体实施方式
下面通过实施例并结合附图对本实用新型做进一步说明，但不限于此。
实施例1：
一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，包括散热器和凹凸锥形瓶，散热器内部中空，散热器内部设有风扇，散热器顶部设有凹凸板，凹凸板为铝制成的凹凸板。凹凸板表面设有凸条，凹凸锥形瓶底部设有凹槽，凸条与凹槽匹配连接；凹凸锥形瓶顶部设有倒液出口和倒液入口。
倒液出口和倒液入口相对设于凹凸锥形瓶两侧，倒液出口设有中空圆柱管，倒液入口设有中空锥管。倒液出口和倒液入口的口径不同，如图1所示，倒液入口的开口口径较大，方便将配液倒入凹凸锥形瓶内；倒液出口口径相同，可使配液倒出时保持平稳。
使用本实施例的装置的方法为：先将重铬酸钾研细，在凹凸锥形瓶3内用水在60度下溶解重铬酸钾，打开散热器6风扇电源，把凹凸锥形瓶3放置在凹凸板5上，通过凹凸锥形瓶倒液入口2加入浓度98％的浓硫酸，加入时需要注意控制浓硫酸的加入速度，维持在5ml/s，不要太快，按重铬酸钾：水：硫酸＝1：2：20的配方比例加入浓硫酸所需量，等冷却到室温，关闭散热器6电源，配置过程完毕。
实施例2：
一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，其结构如实施例1所述，所不同的是，凸条为矩形长方体，凹槽为矩形槽，凸条和凹槽的边棱均倒圆角，避免瓶体底部内壁产生清理死角，清理更彻底。
实施例3：
一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，其结构如实施例1所述，所不同的是，凸条与凹凸板活动连接，凹凸板表面设有导轨，凸条底部设有导片，导片与导轨匹配连接，如图4所示，使本装置通过选择凸条的数量和分布，可适应大小不同口径的锥形瓶。
Claims (5)
1.一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，其特征在于，包括散热器和凹凸锥形瓶，散热器内部中空，散热器内部设有风扇，散热器顶部设有凹凸板，凹凸板表面设有凸条，凹凸锥形瓶底部设有凹槽，凸条与凹槽匹配连接；凹凸锥形瓶顶部设有倒液出口和倒液入口。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，其特征在于，凹凸板为铝制成的凹凸板。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，其特征在于，凸条为矩形长方体，凹槽为矩形槽，凸条和凹槽的边棱均倒圆角。
4.根据权利要求1所述的半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，其特征在于，倒液出口和倒液入口相对设于凹凸锥形瓶两侧，倒液出口设有中空圆柱管，倒液入口设有中空锥管。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置，其特征在于，凸条与凹凸板活动连接，凹凸板表面设有导轨，凸条底部设有导片，导片与导轨匹配连接。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720185674.2U CN206505896U (zh) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | 一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720185674.2U CN206505896U (zh) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | 一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206505896U true CN206505896U (zh) | 2017-09-19 |
Family
ID=59841842
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201720185674.2U Active CN206505896U (zh) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | 一种半导体工艺中铬酸玻璃洗液配置装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN206505896U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114199979A (zh) * | 2020-09-16 | 2022-03-18 | 中国石油化工股份有限公司 | 消解蒸发装置及测定微量元素含量的方法 |
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2017
- 2017-02-28 CN CN201720185674.2U patent/CN206505896U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114199979A (zh) * | 2020-09-16 | 2022-03-18 | 中国石油化工股份有限公司 | 消解蒸发装置及测定微量元素含量的方法 |
| CN114199979B (zh) * | 2020-09-16 | 2024-04-30 | 中国石油化工股份有限公司 | 消解蒸发装置及测定微量元素含量的方法 |
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