CN206359612U - 一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置 - Google Patents

一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置 Download PDF

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本实用新型公开了一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置，属于真空镀膜技术领域。该装置中，高频电源与反应腔室连接，电极与高频电源连接并安装于反应腔室内部，化学单体管路和工艺气体管路与反应腔室连通；化学单体蒸汽和工艺气体可通过管路通入反应腔室，通过高频电源电极放电产生等离子体进行化学气相沉积，形成聚合物涂层。本实用新型通过电极边缘采用边缘卷圆或者在电极的边缘拼接、焊接、铆接、螺纹装配圆管、元棒或者定制型材的方法，可消除电极边缘电场较强造成的等离子体密度较大的现象；同时采用本实用新型设计的电极经等离子体探针检测，放电电场均匀度大幅改善，同批次工件镀膜厚度更加均匀，镀膜质量显著提高。

Description

一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置
技术领域
本实用新型属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置。
背景技术
等离子镀膜作为提升材料表面性能有效方法被广泛应用于航空航天、汽车制造、机械重工和五金工具制造等领域。在等离子镀膜时，需要将反应腔室抽真空，然后向反应腔室内通入化学单体蒸汽和工艺气体，通过电极放电产生等离子体进行化学气相沉积，形成聚合物涂层，涂层厚度的均匀性与产生的等离子体密度均匀性有密切的关联。现有纳米镀膜设备电极放电时，电极边缘产生的等离子体密度较大，造成靠近电极边缘的工件和远离电极边缘的工件表面涂层厚度不均匀的现象。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服上述不足，提出一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置。
本实用新型为实现上述目的，所采用的技术方案如下：
一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置，包括反应腔室、高频电源、电极、化学单体管路和工艺气体管路，所述高频电源与反应腔室连接，电极与高频电源连接并安装于反应腔室内部，所述化学单体管路和工艺气体管路与反应腔室连通。
所述化学单体蒸汽和工艺气体分别通过化学单体管路和工艺气体管路通入反应腔室，所述高频电源电极放电产生等离子体进行化学气相沉积，形成聚合物涂层。所述电极边缘采用边缘卷圆或者在电极的边缘拼接、焊接、铆接或螺纹装配圆管、圆棒或者定制型材，以消除电极边缘电场较强造成的等离子体密度较大的现象。
所述反应腔室的腔容积为50L-1000L，材质为铝合金或不锈钢。
所述高频电源功率为15-1000W。
所述的电极为铝合金或其他电极材料。
所述电极两端边缘的卷圆、圆管或圆棒的外径为1-10cm，
本实用新型的上述技术方案与现有技术相比具有以下优点：
电极的边缘和尖端，往往聚集着较多的电场，使得边缘处电场分布不均，造成边缘等离子体密度较大，通过电极两端边缘采用边缘卷圆或者在电极的两端边缘拼接、焊接、铆接或螺纹装配圆管、圆棒或者定制型材的方式，可有效减小电极的电阻，消除电极边缘电场较强造成的等离子体密度较大的现象。
采用本专利设计的电极经等离子体探针检测，放电电场均匀性大幅改善，同批次工件镀膜厚度更加均匀，镀膜质量显著提高。
附图说明
图1是一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置结构示意图；
图中，1反应腔室；2高频电源；3电极；4化学单体管路；5工艺气体管路。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例详细说明本实用新型，但本实用新型并不局限于具体实施例。
实施例1
如图1所示，一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置，其特征在于，包括反应腔室1、高频电源2、电极3、化学单体管路4和工艺气体管路5；所述高频电源2与反应腔室1连接，电极3与高频电源2连接并安装于反应腔室1内部，所述化学单体管路4和工艺气体管路5与反应腔室1连通；所述的电极3两端边缘采用边缘卷圆。
所述反应腔室1的腔容积为50L，材质为铝合金。化学单体蒸汽和工艺气体分别通过化学单体管路4和工艺气体管路5通入反应腔室1，通过高频电源电极放电产生等离子体进行化学气相沉积，形成聚合物涂层，所述的高频电源2功率为15W。所述的电极3为铝合金。所述电极两端边缘的卷圆的外径为1cm。
实施例2
本实施例中的一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置与实施例1中基本相同，其中不同的技术参数是：
1、电极3两端边缘拼接圆棒。
2、反应腔室1的腔容积为500L，材质为不锈钢。
3、高频电源功率为600W。
4、电极为铜合金电极材料。
5、电极两端边缘拼接的圆棒外径为3cm。
实施例3
本实施例中的一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置与实施例1中基本相同，其中不同的技术参数是：
1、电极3两端边缘螺纹装配圆管。
2、反应腔室1的腔容积为1000L，材质为不锈钢。
3、高频电源功率为1000W。
4、电极为银合金电极材料。
5、电极两端边缘的圆管外径为10cm。
实施例4
本实施例中的一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置与实施例1中基本相同，其中不同的技术参数是：
1、电极3两端边缘焊接圆管。
2、反应腔室1的腔容积为650L，材质为铝合金。
3、高频电源功率为800W。
4、电极为铝合金电极材料。
5、电极两端边缘的圆管外径为6cm。

Claims (5)

1.一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置，其特征在于，包括反应腔室(1)、高频电源(2)、电极(3)、化学单体管路(4)和工艺气体管路(5)；
所述高频电源(2)与反应腔室(1)连接，电极(3)与高频电源(2)连接并安装于反应腔室(1)内部，所述化学单体管路(4)和工艺气体管路(5)与反应腔室(1)连通；
所述的电极(3)两端边缘采用边缘卷圆或者电极(3)两端边缘拼接、焊接、铆接或螺纹装配圆管、圆棒或者定制型材。
2.根据权利要求1所述的一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置，其特征在于，所述的反应腔室(1)的腔容积为50L-1000L，材质为铝合金或不锈钢。
3.根据权利要求1所述的一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置，其特征在于，所述的高频电源(2)功率为15-1000W。
4.根据权利要求1所述的一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置，其特征在于，所述的电极(3)为铝合金或其他电极材料。
5.根据权利要求1所述的一种改善纳米镀膜设备等离子体均匀性装置，其特征在于，所述电极两端边缘的卷圆、圆管或圆棒的外径为1-10cm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113299534A (zh) * 2021-05-18 2021-08-24 佛山市思博睿科技有限公司 一种等离子体接枝共聚膜层的镀膜装置

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