CN206340822U - 一种应用于电光调q驱动电源的隔离式mos管驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种应用于电光调Q驱动电源的隔离式MOS管驱动电路，包括：通过微处理器MCU产生PWM信号，低压端驱动电路接受信号，驱动低压端MOS管产生短脉冲，再通过隔离驱动线圈驱动高压端驱动电路，最后对高压端的MOS管进行开通关断控制。本实用新型应用于电光调Q驱动电源中，采用感应线圈进行驱动，实现高低压的电气隔离，输出高电压幅值、高脉冲频率的纳秒级脉冲，降低成本，制作方便，性能稳定等优点。

Description

一种应用于电光调Q驱动电源的隔离式MOS管驱动电路

技术领域

本实用新型属于激光技术应用领域，具体涉及一种应用于电光调Q驱动电源的隔离式MOS管驱动电路。

背景技术

在激光技术应用领域中，调Q原理指的是采用某种方法使谐振腔在泵浦开始时处于高损耗低Q值状态，当激光振荡阈值达到峰值不发生振荡时，突然使Q值增大，导致激光介质增益大大增加，并且以及宽的速度产生振荡。电光调Q技术是利用电光晶体的电光效应作为Q开关的元件，通过外部电光调Q驱动电源在电光晶体两端施加高压脉冲，从而形成振荡的激光。

电光调Q驱动电源是通过电信号控制光学Q开关的开通与关断对连续的激光进行调制。根据加压方式可以分为升压式与退压式。此类电源具有极快的上升沿、高脉冲重复频率以及高电压幅值等特点。因此，该电源应具有能够高效地控制高压的开通与关断的能力。

发明内容

本实用新型主要针对应用于电光调Q驱动电源的隔离式MOS管驱动电路，实现高低压的电气隔离，输出高电压幅值、高脉冲频率的纳秒级脉冲。

本实用新型使用微处理器MCU1产生PWM调制信号2，通过低压端驱动电路3控制低压端MOS管4，经隔离驱动感应线圈5驱动高压端的MOS管7，高压端MOS管7使用一种源漏极能承受的最大电压大于800V的增强型高压MOS管，高压MOS管7数量大于等于六个，通过串联形式组成 ，其中；

所述隔离驱动感应线圈5为绘制在印刷电路板上下两面的互感线圈，低压端为一个大面积的线圈，高压端为个数与高压端增强型高压MOS管7个数相同的小面积的线圈，板厚1.2mil或1.6mil，隔离线圈亦可使用一个大磁环或与高压端MOS管7数量相等小磁环；低压端线圈8接有隔直电容和滤波电感，低压端栅极都接有一个驱动电阻和一个反并联的二极管；每一个高压端线圈9都接有隔直电容和滤波电感；该隔离驱动感应线圈5具有空间小，成本低，运行稳定的特点。

所述每个串联的高压MOS管7源漏极各并联一个相同阻值的电阻。

所述电路输出端并联几个串联的大电阻，输出端正负极各串联若干电阻和高压电容。

附图说明

图1是本实用新型的基本结构示意图；

图2是本实用新型中隔离驱动感应线圈的结构示意图。

具体实施方式

如图2所示，隔离驱动感应线圈5是通过电路布线在印制电路板上绘制出一定面积的环路，低压端为一个面积比较大的环路，可为正方形，长方形或是圆形，一端经滤波器连接24V或15V电源，另一端连接低压MOS管4栅极；高压端为高压MOS管7数量相同的小面积环路组成，一端连接高压端驱动电路6来控制高压MOS管7栅极，一端连接高压MOS管7漏极，每一个环路相互不重叠、不直接相连，高压端的所有线圈9按照一定比例间距排列，低压端线圈8与高压端线圈9分别位于印制电路板上下两面的同一位置，电路板上下面线圈所占面积基本相同，不存在电路连接。

增强型高压MOS管7采用N型MOS管，通过串联形式构成，每一个高压MOS管源漏极并联有一个或两个等阻值的电阻以起到均压作用，针对电光调Q驱动电源在输出端并联大电阻。

以上所述的具体实施方式，对本实用新型专利的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本专利的具体实施例而已，并不用于限制本专利，凡在本专利的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种应用于电光调Q驱动电源的隔离式MOS管驱动电路，该驱动电路包括：MCU产生低占空比的PWM信号、低压端驱动电路、低压端MOS管、隔离驱动感应线圈、高压端驱动电路、高压端MOS管；其特征在于：隔离驱动感应线圈是通过电路布线在印制电路板上直接绘制出的线圈；高压MOS管采用串联形式，每一个高压MOS管都并联等阻值的若干电阻；输出端正负极各串联若干电阻和高压电容，并联若干大电阻。