CN206282248U - 一种g+g结构手机触摸屏 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种G+G结构手机触摸屏，包括TP结构（触摸屏结构）和TFT结构（薄膜场效应晶体管结构），所述TP结构为G+G结构，最上层为外屏蔽层（GLASS LENS），在外屏蔽层下设置感应层（GLASS SENSOR），在TP结构下面设置TFT结构，所述TFT结构包括三层，上下两层分别为上偏光层和下偏光层，在上偏光层和下偏光层中间设置为液晶层。该G+G结构手机触摸屏，通过设置TP结构和TFT结构，并将TP结构为G+G结构，TFT结构设置为三层结构，从而使得其更换TP时不易损坏TFT屏，总体维修成本较In‑Cell屏低，其产品制作成本较In‑Cell低，并且其清晰度及触摸效果与In‑Cell相当。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域，尤其是一种手机触摸屏新型G+G结构技术。
背景技术
手机与人之间的交互离不开手机的屏幕，触摸屏是手机的主要构成部分之一。电容式触摸屏的构造主要是在玻璃屏幕上镀一层透明的薄膜导体层，再在导体层外加上一块保护玻璃，双玻璃设计能彻底保护导体层及感应器。传统电容式触摸屏结构主要包括感应层（Sensor）和盖板，显示屏、感应层（Sensor）和盖板由上至下依次设置，但其需要掩膜层尺寸较宽及屏体尺寸较厚。另外，目前市场上还存在In-cell方式触摸屏，但是其存在以下的不足：生产技术难度高，生产良率是普通TFT屏的1/2；其制作成本较高；液晶玻璃太薄，维修难度大，易损坏液晶屏体，总体维修成本高。
发明内容
本实用新型目的在于解决现有技术中存在的上述问题，提供一种结构合理、清晰度高且较易维修的G+G结构手机触摸屏。
为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：
一种G+G结构手机触摸屏，包括TP结构（触摸屏结构）和TFT结构（薄膜场效应晶体管结构），所述TP结构为G+G结构，最上层为外屏蔽层（GLASS LENS），在外屏蔽层下设置感应层（GLASS SENSOR），在TP结构下面设置TFT结构，所述TFT结构包括三层，上下两层分别为上偏光层和下偏光层，在上偏光层和下偏光层中间设置为液晶层。
作为优选，所述上偏光层和下偏光层均为由碳纳米管制成的偏光层。
作为优选，所述TP结构与TFT结构通过OCA光学胶层粘接，可脱胶而不损坏TFT结构。
作为优选，所述感应层左右两侧和外屏蔽层边缘的间距为1.04mm，公差控制在±0.1mm以内。
本实用新型采用了上述技术方案，具有以下有益效果：
该G+G结构手机触摸屏，通过设置TP结构和TFT结构，并将TP结构为G+G结构，TFT结构设置为三层结构，从而使得其更换TP时不易损坏TFT屏，总体维修成本较In-Cell屏低，其产品制作成本较In-Cell低，并且其清晰度及触摸效果与In-Cell相当。
附图说明
图1为本实用新型一种G+G结构手机触摸屏结构示意图。
图2为G+G结构手机触摸屏外观效果示意图。
图中：1.TP结构，2.TFT结构，3.外屏蔽层，4.感应层，5.OCA光学胶层，6.上偏光层，7.液晶层，8.下偏光层，9.G+G结构手机触摸屏。
具体实施方式
如图1及图2所示，一种G+G结构手机触摸屏9，包括TP结构1和TFT结构2，所述TP结构1为G+G结构，最上层为外屏蔽层（GLASS LENS）3，在外屏蔽层3下设置感应层（GLASSSENSOR）4，所述感应层4距离外屏蔽层3边缘距离公差控制在±0.15mm以内，在TP结构1下面设置TFT结构2，所述TP结构1与TFT结构3通过OCA光学胶层5粘接，可脱胶而不损坏TFT结构，所述TFT结构2包括三层，上下两层分别为上偏光层6和下偏光层8，在上偏光层6和下偏光层8中间设置为液晶层7；在本实施例中，所述上偏光层6和下偏光层8均为由碳纳米管制成的偏光层，采用光配向基材将碳纳米管层粘结到衬底上制成。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
Claims (4)
1.一种G+G结构手机触摸屏，包括TP结构和TFT结构，其特征在于：所述TP结构为G+G结构，最上层为外屏蔽层，在外屏蔽层下设置感应层，在TP结构下面设置TFT结构，所述TFT结构包括三层，上下两层分别为上偏光层和下偏光层，在上偏光层和下偏光层中间设置为液晶层。
2.根据权利要求1所述的G+G结构手机触摸屏，其特征在于：所述上偏光层和下偏光层均为由碳纳米管制成的偏光层。
3.根据权利要求1所述的G+G结构手机触摸屏，其特征在于：所述TP结构与TFT结构通过OCA光学胶层粘接。
4.根据权利要求1所述的G+G结构手机触摸屏，其特征在于：所述感应层左右两侧和外屏蔽层边缘的间距为1.04mm。
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