CN206221326U - 一种基于mos管反接保护的风机负极三挡电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路,包括MOS管T1、电阻R1、电阻R4和二极管D1,所述MOS管T1的源极连接MOS管T2的源极、MOS管T3的源极、电阻R7、电阻R8、电阻R9和MOS管驱动及单片机模块,MOS管T1的漏极连接二极管D1的阳极和高档位GND,MOS管T1的栅极连接电阻R1、二极管D1的阴极和电阻R4。本实用新型基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路能够有效减少风机因二极管导致的那部分额外温升。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种风机电路,具体是一种基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路。
背景技术
现有负极三挡风机全是由二极管分档,分别为高、中、低档,每档对应一个二极管。二极管在正向导通情况下会有压降产生,大约0.3-0.6V,在电流较大的情况下,发热严重,导致控制器温升较高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种结构简单、使用方便的基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路,包括MOS管T1、电阻R1、电阻R4和二极管D1,所述MOS管T1的源极连接MOS管T2的源极、MOS管T3的源极、电阻R7、电阻R8、电阻R9和MOS管驱动及单片机模块,MOS管T1的漏极连接二极管D1的阳极和高档位GND,MOS管T1的栅极连接电阻R1、二极管D1的阴极和电阻R4,电阻R4的另一端连接电阻R7和MOS管驱动及单片机模块,MOS管T2的漏极连接二极管D2的阳极和中档位GND,MOS管T2的栅极连接电阻R2、二极管D2的阴极和电阻R5,电阻R5的另一端连接电阻R8和MOS管驱动及单片机模块,MOS管T3的漏极连接二极管D3的阳极和低档位GND,MOS管T3的栅极连接电阻R3、二极管D3的阴极和电阻R6,电阻R6的另一端连接电阻R9和MOS管驱动及单片机模块,MOS管驱动及单片机模块还连接24V电源线。
作为本实用新型的优选方案:所述MOS管T1、MOS管T2和MOS管T3的型号均为80NF70,电阻R1-R3的阻值均为10KΩ、R4-R6的阻值为100KΩ,R7-R9的阻值为10KΩ。
作为本实用新型的优选方案:所述二极管D1、二极管D2和二极管D3均为稳压二极管。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路能够有效减少风机因二极管导致的那部分额外温升。
附图说明
图1为基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1,一种基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路,包括MOS管T1、电阻R1、电阻R4和二极管D1,所述MOS管T1的源极连接MOS管T2的源极、MOS管T3的源极、电阻R7、电阻R8、电阻R9和MOS管驱动及单片机模块,MOS管T1的漏极连接二极管D1的阳极和高档位GND,MOS管T1的栅极连接电阻R1、二极管D1的阴极和电阻R4,电阻R4的另一端连接电阻R7和MOS管驱动及单片机模块,MOS管T2的漏极连接二极管D2的阳极和中档位GND,MOS管T2的栅极连接电阻R2、二极管D2的阴极和电阻R5,电阻R5的另一端连接电阻R8和MOS管驱动及单片机模块,MOS管T3的漏极连接二极管D3的阳极和低档位GND,MOS管T3的栅极连接电阻R3、二极管D3的阴极和电阻R6,电阻R6的另一端连接电阻R9和MOS管驱动及单片机模块,MOS管驱动及单片机模块还连接24V电源线。
MOS管T1、MOS管T2和MOS管T3的型号均为80NF70,电阻R1-R3的阻值均为10KΩ、R4-R6的阻值为100KΩ,R7-R9的阻值为10KΩ。二极管D1、二极管D2和二极管D3均为稳压二极管。
本实用新型的工作原理是:+24V端接直流24V,高档与GND相连时,节点1处将24V电压经电阻R1和电阻R4分压,同时稳压二极管D1强节点1处电压钳位在10V左右,保证T1整除导通,同时节点1处产生0.8V电压信号,单片机P1.0端口读到0.8V左右电压,同时P1.1和P1.2为2.18V左右,其他两个档位同样方法判别。
本实用新型基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路能够有效减少风机因二极管导致的那部分额外温升。
Claims (3)
1.一种基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路,包括MOS管T1、电阻R1、电阻R4和二极管D1,其特征在于,所述MOS管T1的源极连接MOS管T2的源极、MOS管T3的源极、电阻R7、电阻R8、电阻R9和MOS管驱动及单片机模块,MOS管T1的漏极连接二极管D1的阳极和高档位GND,MOS管T1的栅极连接电阻R1、二极管D1的阴极和电阻R4,电阻R4的另一端连接电阻R7和MOS管驱动及单片机模块,MOS管T2的漏极连接二极管D2的阳极和中档位GND,MOS管T2的栅极连接电阻R2、二极管D2的阴极和电阻R5,电阻R5的另一端连接电阻R8和MOS管驱动及单片机模块,MOS管T3的漏极连接二极管D3的阳极和低档位GND,MOS管T3的栅极连接电阻R3、二极管D3的阴极和电阻R6,电阻R6的另一端连接电阻R9和MOS管驱动及单片机模块,MOS管驱动及单片机模块还连接24V电源线。
2.根据权利要求1所述的一种基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路,其特征在于,所述MOS管T1、MOS管T2和MOS管T3的型号均为80NF70,电阻R1-R3的阻值均为10KΩ、R4-R6的阻值为100KΩ,R7-R9的阻值为10KΩ。
3.根据权利要求1所述的一种基于MOS管反接保护的风机负极三挡电路,其特征在于,所述二极管D1、二极管D2和二极管D3均为稳压二极管。
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CN201621235544.7U CN206221326U (zh) | 2016-11-17 | 2016-11-17 | 一种基于mos管反接保护的风机负极三挡电路 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN108051649A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-05-18 | 东莞市长工微电子有限公司 | 一种外部配置电阻的检测电路及其检测方法 |
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2016
- 2016-11-17 CN CN201621235544.7U patent/CN206221326U/zh active Active
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Inventor after: Zhang Chi Inventor after: Tian Shengming Inventor after: Xu Bo Inventor before: Zhang Chi Inventor before: Tian Shengming Inventor before: Xu Bo |
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CB03 | Change of inventor or designer information |