CN206148231U - 一种新型电抗器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电子产品技术领域，尤其涉及一种新型电抗器，包括磁芯结构，及设置在所述磁芯结构外侧的绕组，所述磁芯结构上端和下端上分别设置有上盖板和下盖板，所述磁芯结构包括与所述上盖板连接的上轭部，与所述下盖板连接的下轭部，一端与所述上轭部连接、另一端与所述下轭部连接的芯柱组件；每一所述芯柱组件包括不少于2个的芯柱主体，及设置在芯柱主体之间、设置在所述芯柱主体和所述上轭部之间和设置在所述芯柱主体和所述下轭部之间的平衡气隙结构。本实用新型具有额外涡流损耗小、磁芯损耗较小及使用寿命较长的特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子产品技术领域，尤其涉及一种新型电抗器。
背景技术
目前在大功率变化器应用上，常使用电抗器抑制电流纹波、改善功率因素。随着开关元件的发展，开关频率不断提高，特别是开关频率达到5kHz以上，传统直接使用矽钢片材料并开气隙的电抗器，由于损耗较大及效率较低的原因会慢慢变得不太适用。
发明内容
本实用新型提供的一种新型电抗器，具有额外涡流损耗小、磁芯损耗较小及使用寿命较长的特点。
为了解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案为：
一种新型电抗器，包括磁芯结构，及设置在所述磁芯结构外侧的绕组，所述磁芯结构上端和下端上分别设置有上盖板和下盖板，所述磁芯结构包括与所述上盖板连接的上轭部，与所述下盖板连接的下轭部，一端与所述上轭部连接、另一端与所述下轭部连接的芯柱组件；每一所述芯柱组件包括不少于2个的芯柱主体，及设置在芯柱主体之间、设置在所述芯柱主体和所述上轭部之间和设置在所述芯柱主体和所述下轭部之间的平衡气隙结构。
优选地，所述平衡气隙结构包括：平衡磁性层及与所述平衡磁性层相接的气隙。
优选地，所述气隙内设置有绝缘隔磁块。
优选地，所述平衡磁性层的厚度与所述气隙的厚度比值为4-15。
优选地，所述绝缘隔磁块的磁导率为1。
优选地，所述上盖板的宽度大于所述上轭部的宽度，所述下盖板的宽度大于所述下轭部的宽度。
优选地，所述芯柱主体的横截面为矩形。
本实用新型的一种新型电抗器，通过在所述上轭部和所述下轭部上分别设置所述上盖板和所述下盖板，带来了优异的直流偏置特性，从而有效降低了磁芯结构的损耗。通过设置所述平衡气隙结构，使得本实用新型具有额外涡流损耗较小的特点，进一步地，提升了本实用新型的使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型一种新型电抗器的结构示意图。
图2是本实用新型的磁芯结构的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，具体阐明本实用新型的实施方式，附图仅供参考和说明使用，不构成对本实用新型专利保护范围的限制。
请参考图1及图2，本实用新型一种新型电抗器，包括：磁芯结构1、设置在所述磁芯结构1外侧的绕组2，设置在所述磁芯结构1上端部的上盖板3，及设置在所述磁芯结构1下端部的下盖板4。
具体地，所述磁芯结构1包括上轭部11、下轭部12及芯柱组件13。其中，所述上轭部11设置在所述上盖板3的下方，所述下轭部12设置在所述下盖板4的上方，每一所述芯柱组件13包括：不少于2个的芯柱主体131，及设置在芯柱主体131之间、设置在所述芯柱主体131和所述上轭部12之间和设置在所述芯柱主体131和所述下轭部12之间的平衡气隙结构132，所述平衡气隙结构132包括：平衡磁性层1321及与所述平衡磁性层1321相接的气隙1322.，所述气隙1322内设置有绝缘隔磁块。更具体地，所述上盖板3的宽度大于所述上轭部11的宽度，所述下盖板4的宽度大于所述下轭部12的宽度，所述平衡磁性层1321的厚度与所述气隙1322的厚度比值为4-15，所述绝缘隔磁块的磁导率为1。进一步地，所述芯柱组件13分别设置在所述上轭部11和所述下轭部12的左右两端，所述芯柱主体131的横截面为矩形，所述两芯柱主体131之间设置有所述平衡气隙结构132，所述芯柱主体131和所述上轭部11之间设置有所述平衡气隙结构132，所述芯柱主体131和所述下轭部12之间设置有所述平衡气隙结构132。
从以上描述可以看出，本实用新型的一种新型电抗器，通过在所述上轭部11和所述下轭部12上分别设置所述上盖板3和所述下盖板4，结合所述磁芯结构1的设置，给本实用新型带来了优异的直流偏置特性，从而有效降低了所述磁芯结构1的损耗。通过设置所述平衡气隙结构132，使得本实用新型具有额外涡流损耗较小的特点，进一步地，提升了本实用新型的使用寿命
以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实施例，不能以此来限定本实用新型的权利保护范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种新型电抗器，包括磁芯结构，及设置在所述磁芯结构外侧的绕组，其特征在于，所述磁芯结构上端和下端上分别设置有上盖板和下盖板，所述磁芯结构包括与所述上盖板连接的上轭部，与所述下盖板连接的下轭部，一端与所述上轭部连接、另一端与所述下轭部连接的芯柱组件；每一所述芯柱组件包括不少于2个的芯柱主体，及设置在芯柱主体之间、设置在所述芯柱主体和所述上轭部之间和设置在所述芯柱主体和所述下轭部之间的平衡气隙结构。
2.如权利要求1所述的新型电抗器，其特征在于，所述平衡气隙结构包括：平衡磁性层及与所述平衡磁性层相接的气隙。
3.如权利要求2所述的新型电抗器，其特征在于，所述气隙内设置有绝缘隔磁块。
4.如权利要求2所述的新型电抗器，其特征在于，所述平衡磁性层的厚度与所述气隙的厚度比值为4-15。
5.如权利要求3所述的新型电抗器，其特征在于，所述绝缘隔磁块的磁导率为1。
6.如权利要求1所述的新型电抗器，其特征在于，所述上盖板的宽度大于所述上轭部的宽度，所述下盖板的宽度大于所述下轭部的宽度。
7.如权利要求1所述的新型电抗器，其特征在于，所述芯柱主体的横截面为矩形。
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|---|---|---|---|---|
| CN109326420A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-02-12 | 山西中磁尚善科技有限公司 | 三相电抗器的电感平衡磁芯及三相电抗器 |
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2016
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| CN109326420A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-02-12 | 山西中磁尚善科技有限公司 | 三相电抗器的电感平衡磁芯及三相电抗器 |
| CN109326420B (zh) * | 2018-11-15 | 2023-12-26 | 山西中磁尚善科技有限公司 | 三相电抗器的电感平衡磁芯及三相电抗器 |
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